Избыток - теллур
Cтраница 2
Состав монокристаллов был близок стехиометрическому, однако в некоторых случаях наблюдалось отклонение от этого состава в сторону избытка теллура до 1 - 2 ат. По измерению края полосы поглощения [108] в различных кристаллографических направлениях монокристаллов 1п2Те было найдено, что для направления [100] при 293 К значение пороговой энергии равно 0 46 эв, а для направления [001] край смещен в длинноволновую область спектра на 0 01 эв. В работах [109, 110] на основе экспериментальных исследований пьезосопротивления, гальваномагнитных и термоэлектрических эффектов в 1п2Те в зависимости от температуры сделаны соответствующие выводы о зонной структуре и механизме рассеяния носителей. [16]
Три соединения Bi2Tea, BiTe и BiaTe имеют достаточно широкие области гомогенности, при этом BijTea склонен к растворению избытка теллура, в то время как BijTe и BiTe легче растворяют избыток висмута. [17]
 |
Кристаллическая структура В12Те3 и его аналогов j - 3 - положения атомов Те 2 TeW и Bi соответственно.| Диаграмма состояния системы РЬ-Те в окрестности соединения РЪТе. [18] |
Теллу-рид свинца плавится конгруэнтно при температуре 923 9 С [101], причем максимум на кривой ликвидуса смещен относительно сте-хиометрического состава в сторону избытка теллура ( 50 002 - 50 012 ат. Границы области гомогенности ( рис. 2.9) лежат по обе стороны от стехиометриче-ского соотношения, что позволяет получать за счет отклонения от стехиометрии материалы п - и р-ти-па. [19]
 |
Кристаллическая структура Bi2Te3 и его аналогов 1 - 3 - положения атомов Те 2 TeW и Bi соответственно.| Диаграмма состояния системы РЬ - Те в окрестности соединения РЪТе. [20] |
Теллу-рид свинца плавится конгруэнтно при температуре 923 9 С [101], причем максимум на кривой ликвидуса смещен относительно сте-хиометрического состава в сторону избытка теллура ( 50 002 - 50 012 ат. Границы области гомогенности ( рис. 2.9) лежат по обе стороны от стехиометриче-ского соотношения, что позволяет получать за счет отклонения от стехиометрии материалы п - ир-ти-па. [21]
Что касается отклонения от стехиометрического состава, то теллурид свинца ведет себя точно так же, как ионные соединения: избыток свинца вызывает электронную проводимость, а избыток теллура - дырочную. [22]
Что касается отклонения от стехиометрического состава, то теллурид свинца ведет себя точно так же, как ионные соединения; избыток свинца вызывает электронную проводимость, а избыток теллура - дырочную. [23]
Суммируя сказанное выше о влиянии примесей на электрические свойства теллурида свинца, мы можем сделать вывод о том, что РЬТе ведет себя с этой точки зрения аналогично чисто ионному соединению: металлические примеси всегда локализуются в кати-онной подрешетке, а металлоидные - в анионной подрешетке; избыток свинца приводит к электронной проводимости, а избыток теллура - к дырочной. [24]
Суммируя сказанное выше о влиянии примесей на электрические свойства теллурида свинца, мы можем сделать вывод о том, что РЪТе ведет себя с этой точки зрения аналогично чисто ионному соединению: металлические примеси всегда локализуются в кати-онной подрешетке, а металлоидные - в анионной подрешетке; избыток свинца приводит к электронной проводимости, а избыток теллура - к дырочной. [25]
Сопоставив все сказанное выше о влиянии примесей на электрические свойства теллуристого свинца, можно сказать, что РЬТе ведет себя, с этой точки зрения, аналогично чисто ионным соединениям: примеси металлов локализуются всегда в субрешетке катионов, металлоида - в субрешетке анионов; избыток ( по отношению к стехеометрии) свинца создает электронную проводимость, избыток теллура - дырочную. [26]
Согласно многочисленным исследованиям [6], в системе Sn-Те образуется одно соединение SnTe [ 51 81 % ( по массе) Те ], плавящееся конгруэнтно. Область гомогенности SnTe неширока и расположена целиком на стороне избытка теллура. Максимум на линии ликвидус отвечает составу 50 4 % ( ат. От этой точки вниз область гомогенности расширяется и имеет максимальную протяженность - от 50 1 0 1 до 50 9 0 1 % ( ат. При дальнейшем понижении температуры область гомогенности несколько сужается. Найдено, что при 600 С этим границам отвечают составы 50 1 и 51 1 % ( ат. [27]
Затем на трубку надвигают небольшую электрическую печь, один конец реакционной трубки и боковой патрубок закрывают пришлифованными колпачками, а другой конец присоединяют к высоковакуумной установке. Препарат нагревают длительное время в высоком вакууме при 600 - 700 С; при это отгоняется избыток теллура. [28]
Состав монокристаллов был близок стехиометрическому, однако в некоторых случаях наблюдалось отклонение от этого состава в сторону избытка теллура до 1 - 2 ат. По измерению края полосы поглощения [108] в различных кристаллографических направлениях монокристаллов 1п2Те было найдено, что для направления [100] при 293 К значение пороговой энергии равно 0 46 эв, а для направления [001] край смещен в длинноволновую область спектра на 0 01 эв. Величина анизотропии электропроводности достигает 1 4; концентрация электронов равна 1018 см-3 при 300 К, отношение подвижностей электронов и дырок 6 ШЛ. В работах [109, 110] на основе экспериментальных исследований пьезосопротивления, гальваномагнитных и термоэлектрических эффектов в 1п2Те в зависимости от температуры сделаны соответствующие выводы о зонной структуре и механизме рассеяния носителей. [29]
С другой стороны, теллурид висмута в этом отношении больше похож на ковалентный кристалл. В этом соединении характер действия примесного атома полностью определяется его валентностью: элементы седьмой и шестой групп ( включая избыток теллура сверх стехиометрического состава) создают донор-ные уровни, тогда как элементы с меньшим числом электронов ( включая избыток висмута) являются акцепторами. [30]
Страницы: 1 2 3 4