Избыток - теллур
Cтраница 4
 |
Сравнение опытных и расчетных данных для легированного селенида сурьмы.| Сравнение опытных и расчетных данных для жидкого сульфида сурьмы. [46] |
На рис. 2 проведено сравнение опытных данных для селенида сурьмы, легированного 20 мольн. Введение избытка сурьмы, видимо, не приводит к сколь-нибудь существенному изменению радиационных характеристик расплава, поэтому наблюдается хорошее согласование результатов расчета и опытных данных. Избыток теллура, видимо, существенно изменяет не только электрические, но и радиационные свойства, что приводит к значительному расхождению опытных и расчетных данных при высоких температурах. Причины этого расхождения можно проанализировать только при наличии данных по всем физико-химическим и оптическим свойствам этого соединения в жидкой фазе. [47]
Так, например, избыток висмута, во-первых, дает один акцепторный уровень на один атом, во-вторых, значительно уменьшает подвижность дырок, и в-третьих, очень слабо воздействует на подвижность электронов. Все эти три обстоятельства указывают на то, что избыток атомов висмута частично заменяет теллур в подрешетке анионов. С другой стороны, избыток теллура, во-первых, дает один электрон на атом, во-вторых, значительно понижает подвижность электронов и, в-третьих, оказывает слабое влияние на подвижность дырок; все это говорит о локализации атомов теллура в подрешетке катионов. Избыток йода дает 1.5 электрона на атом и имеет приблизительно одинаковое влияние как на подвижность дырок, так и на подвижность электронов. Поэтому можно предположить, что атомы йода распределяются более или менее равноценно в обеих подрешетках и дают по два электрона, когда замещают висмут, и по одному - когда замещают теллур. Очевидно, свинец частично замещает висмут, так как его атомы являются акцепторами и резко уменьшают подвижность электронов. Серебро является донором, но действует одинаково как на подвижность дырок, так и на подвижность электронов и имеет аномально большой коэффициент диффузии. Все это свидетельствует в пользу того, что атомы серебра занимают междоузлия решетки теллурида висмута. [48]
При этом интенсивность снижения выходной мощности заметно не изменилась. Характер изменения выходной мощности, напряжения в разомкнутой пели и внутреннего сопротивления свидетельствует о том, что уменьшение выходной мощности является-следствием изменений, происходящих в термоэлектрическом материале. Изменения могли быть результатом диффузии теллура из ветви р - типа к периферии или проницаемости прокладок слюдяной изоляции, что приводит к загрязнению ветви п - типа. Известно, что ветвь п - типа стехиометрического состава без избытка свинца меняет свои свойства под влиянием избытка теллура. [49]
В системе Ge-Те имеется одно [125] химическое соединение GeTe [ 63, 74 % ( по массе) Те ], которое, согласно большинству работ ( см. [6]), образуется по перитектической реакции. Область гомогенности на основе высокотемпературной модификации GeTe лежит в пределах 50 3 0 1 51 2 0 2 % ( ат. При температурах ниже - 710 С ширина области гомогенности в среднем составляет 1 5 % ( ат. Таким образом, GeTe является фазой переменного состава с односторонней областью гомогенности, расположенной на стороне избытка теллура. [50]
Электропроводность теллуридов олова и свинца ( стехиометрического состава) и сплавов, близких к ним по составу, как и в системе Ge - Те, довольно заметно растет с повышением температуры. Сплавы с большим содержанием теллура и олова ( или свинца) имеют высокую электропроводность, которая практически не зависит от температуры. Электропроводность теллурида олова не имеет наименьших значений ( по сравнению с соседними сплавами) во всем исследованном интервале температур. Электропроводность теллурида свинца в области низких температур имеет наименьшие значения по сравнению с другими сплавами. Однако при дальнейшем нагреве, вследствие максимального значения коэффициента электропроводности ( ds / dt) у соединения его электропроводность становится практически равной электропроводности сплавов, содержащих избыток теллура. [51]
Позднее из-за трудностей точного управления составом пленки такой метод для приготовления термоэлектрических пленок не использовался. Такой буферной зоной является поверхностный диффузионный слой шихты, обедненный легколетучими компонентами. Постепенно по мере испарения и формирования этого слоя устанавливается равновесие, при котором составы потоков испаряющегося вещества на выходе и входе буферной зоны совпадают. Применению этого метода для теллурида свинца благоприятствуют два обстоятельства: высокая упругость паров, позволяющая вести напыление путем сублимации, и относительно малая степень инконгруэнтности при испарении. Время, за которое достигается стационарное состояние, определяется: 1) скоростью испарения избыточного теллура с поверхности шихты; 2) скоростью с которой избыток теллура диффундирует иа внутреннего объема шихты в буферный слой; 3) скоростью перемещения поверхности раздела твердой и паровой фаз, которая определяется скоростью испарения теллурида свинца в целом. Поэтому при низких температурах испарения теллурида свинца ( соответствующих скорости конденсации менее 0 10 нм / с в [62]) определяющими будут первый и второй факторы. При повышении температуры испарения сказывается влияние третьего фактора, приводящее к появлению избытка теллура в парах. [52]
Позднее из-за трудностей точного управления составом пленки такой метод для приготовления термоэлектрических пленок не использовался. Такой буферной зоной является поверхностный диффузионный слой шихты, обедненный легко летучими компонентами. Постепенно по мере испарения и формирования этого слоя устанавливается равновесие, при котором составы потоков испаряющегося вещества на выходе и входе буферной зоны совпадают. Применению этого метода для теллурида свинца благоприятствуют два обстоятельства: высокая упругость паров, позволяющая вести напыление путем сублимации, и относительно малая степень инконгруэнтности при испарении. Время, за которое достигается стационарное состояние, определяется: 1) скоростью испарения избыточного теллура с поверхности шихты; 2) скоростью, с которой избыток теллура диффундирует иа внутреннего объема шихты в буферный слой; 3) скоростью перемещения поверхности раздела твердой и паровой фаз, которая определяется скоростью испарения теллурида свинца в целом. Поэтому при низких температурах испарения теллурида свинца ( соответствующих скорости конденсации менее 0 10 нм / с в [62]) определяющими будут первый и второй факторы. При повышении температуры испарения сказывается влияние третьего фактора, приводящее к появлению избытка теллура в парах. [53]
Позднее из-за трудностей точного управления составом пленки такой метод для приготовления термоэлектрических пленок не использовался. Такой буферной зоной является поверхностный диффузионный слой шихты, обедненный легколетучими компонентами. Постепенно по мере испарения и формирования этого слоя устанавливается равновесие, при котором составы потоков испаряющегося вещества на выходе и входе буферной зоны совпадают. Применению этого метода для теллурида свинца благоприятствуют два обстоятельства: высокая упругость паров, позволяющая вести напыление путем сублимации, и относительно малая степень инконгруэнтности при испарении. Время, за которое достигается стационарное состояние, определяется: 1) скоростью испарения избыточного теллура с поверхности шихты; 2) скоростью с которой избыток теллура диффундирует иа внутреннего объема шихты в буферный слой; 3) скоростью перемещения поверхности раздела твердой и паровой фаз, которая определяется скоростью испарения теллурида свинца в целом. Поэтому при низких температурах испарения теллурида свинца ( соответствующих скорости конденсации менее 0 10 нм / с в [62]) определяющими будут первый и второй факторы. При повышении температуры испарения сказывается влияние третьего фактора, приводящее к появлению избытка теллура в парах. [54]
Позднее из-за трудностей точного управления составом пленки такой метод для приготовления термоэлектрических пленок не использовался. Такой буферной зоной является поверхностный диффузионный слой шихты, обедненный легко летучими компонентами. Постепенно по мере испарения и формирования этого слоя устанавливается равновесие, при котором составы потоков испаряющегося вещества на выходе и входе буферной зоны совпадают. Применению этого метода для теллурида свинца благоприятствуют два обстоятельства: высокая упругость паров, позволяющая вести напыление путем сублимации, и относительно малая степень инконгруэнтности при испарении. Время, за которое достигается стационарное состояние, определяется: 1) скоростью испарения избыточного теллура с поверхности шихты; 2) скоростью, с которой избыток теллура диффундирует иа внутреннего объема шихты в буферный слой; 3) скоростью перемещения поверхности раздела твердой и паровой фаз, которая определяется скоростью испарения теллурида свинца в целом. Поэтому при низких температурах испарения теллурида свинца ( соответствующих скорости конденсации менее 0 10 нм / с в [62]) определяющими будут первый и второй факторы. При повышении температуры испарения сказывается влияние третьего фактора, приводящее к появлению избытка теллура в парах. [55]
Страницы: 1 2 3 4