Изготовление - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Изготовление планар-ных полупроводниковых приборов включает в себя кроме создания электронно-дырочных переходов, защищенных окисным слоем, еще ряд универсальных или типовых технологических процессов, связанных с обработкой полупроводниковых материалов, процессами фотолитографии, созданием невыпрямляющих контактов, присоединением электродных выводов и герметизацией. [1]
 |
Кристаллическая решетка кремния и германия в плоскостном изображении. [2] |
Для изготовления полупроводниковых приборов наиболее широко применяются германий, кремний, а также арсенид галлия. [3]
 |
Механизм электронной примесной проводимости полупроводника ( а и энергетическая диаграмма этой проводимости ( б. [4] |
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо иметь кристаллы с явно выраженной проводимостью соответствующего типа. Проводимость, обусловленная присутствием в кристалле полупроводника примесей из атомов другой валентности, называется примесной. [5]
Для изготовления полупроводниковых приборов ( выпрямителей переменного тока и фотоэлементов) используется серый кристаллический гексагональный селен. Такой селен обладает дырочным типом электропроводности. Снижение удельного сопротивления обычно достигается путем введения примесей - хлора, брома, иода. [6]
Для изготовления полупроводниковых приборов применяется, монокристаллический кремний. Сырьем для него служит чистый кремний, который получают чаще всего восстановлением тетра-хлорида кремния цинком в парообразной фазе. Парами цинка или водородом можно восстанавливать другие галлоидные соединения кремния, а также силан. Для всех этих способов необходима предварительная тщательная очистка исходного галогенида или силана фракционной дестилляцией или химическими методами. [7]
Для изготовления полупроводниковых приборов применяется монокристаллический кремний. Сырьем для него служит чистый кремний, который получают чаше всего восстановлением тетра-хлорида кремния цинком в парообразной фазе. Парами цинка или водородом можно восстанавливать другие галлоидные соединения кремния, а также силан. Для всех этих способов необходима предварительная тщательная очистка исходного галогенида или силана фракционной дестилляцией или химическими методами. [8]
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимы полупроводники, обладающие одним типом проводимости - электронной или дырочной. Такой полупроводник может быть получен, из чистого полупроводника добавлением к нему незначительного количества примесей. [9]
Для изготовления полупроводниковых приборов используют следующие элементарные полупроводники: германий, кремний, бор, углерод, селен, теллур, форсфор и др. Из них наибольшее распространение получили германий и кремний. [10]
 |
Примесная проводимость германия. [11] |
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо иметь полупроводник с явно выраженной проводимостью одного типа. Преобладание одного типа проводимости над другим может быть достигнуто введением в полупроводник атомов других веществ - примесей. [12]
 |
Диаграммы состояния. [13] |
Для изготовления полупроводниковых приборов на основе теллурида кадмия во многих случаях необходимы объемные, совершенные кристаллы как чистые, так и легированные разными примесями, обладающие хорошей воспроизводимостью свойств. [14]
 |
К определению э. д. с. Холла в дырочном полупроводнике.| Кристаллическая ячейка алмаза. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5