Изготовление - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
Для изготовления полупроводниковых приборов важное значение имеют монокристаллы кремния, весьма тщательно очищенные от примесей. [16]
 |
Структура р - n - перехода и его вольт-амперная характеристика. [17] |
Для изготовления полупроводниковых приборов с заданными электрическими характеристиками необходимо очень точно выдержать - размеры областей кристалла с разными типами электропроводности. В сплавном переходе конфигурация отдельных областей сильно зависит от точности поддержания температуры, толщины пластинки, времени вплавл ения и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводят к большому разбросу электрических параметров полупроводниковых приборов. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый. Поэтому с помощью диффузии удается выдержать размеры различных областей более точно. [18]
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимы германий и кремний, обладающие различными характеристиками, В одних случаях используют электронный кремний. [19]
 |
Влияние полярности напряжения источника на ширину р - я-переходя. [20] |
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо, чтобы в полупроводнике один из типов проводимости значительно преобладал над другим. Для этого в химически чистый полупроводник вводят примесь - элементы V или III группы периодической системы. [21]
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо иметь кристаллы с явно выраженной проводимостью соответствующего типа. [22]
Для изготовления полупроводниковых приборов применяются различные электротехнические материалы. К ним относятся полупроводниковые, проводниковые и изоляционные материалы, которые студенты изучают в общем курсе Электротехнические материалы. Поэтому в данной книге мы кратко охарактеризуем только специфические материалы полупроводниковой техники и укажем, в каких полупроводниковых приборах и для каких целей они применяются. [23]
Для изготовления полупроводниковых приборов необходимо иметь кристаллы с явно выраженной проводимостью соответствующего типа. [24]
Для изготовления полупроводниковых приборов слитки германия распиливаются на пластинки, поверхность которых протравливается для устранения дефектов обработки. [25]
Технология изготовления полупроводниковых приборов совершенствовалась очень быстро, и это привело к созданию выпрямительных элементов, превосходящих мощностью в сотни раз первые приборы этого рода. Номинальные токи и напряжения, допустимые для этих полупроводниковых элементов, достигли сотен ампер и вольт. В настоящее время созданы полупроводниковые преобразователи мощностью в сотни и тысячи киловатт. [26]
Технология изготовления полупроводниковых приборов на основе германия, как правило, требует термической обработки исходного материала. Было установлено, что термообработка германия оказывает значительное влияние на его электрические свойства, в частности, на удельное сопротивление, подвижность и время жизни носителей заряда. Более того, было показано, что если германий га-типа нагреть до температуры 873 - 923 К и выдержать его при этой температуре некоторое время, а затем быстро охладить, он превращается в кристаллы р-типа. [27]
При изготовлении полупроводниковых приборов и ИМС, как правило, формируются плоскопараллельные структуры, в которых концентрация вещества изменяется лишь в одном направлении. [28]
При изготовлении полупроводниковых приборов в германий добавляют специальные примеси. Хотя по отношению к чистому германию объем их измеряется миллионными долями процента, число примесных атомов в тысячи раз превышает число свободных электронов и дырок в чистом германии. Поэтому проводимость полупроводникового материала определяется примесью. В качестве примесей используются элементы, валентные энергетические уровни которых находятся в запрещенной зоне германия. [29]
 |
Изменение энергии катионов при погруже-в электролит. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5