Анизотропия - рассеяние
Cтраница 2
Таким образом, вместо единственного скалярного времени релаксации т (), характеризующего состояния с энергией, вводится три времени релаксации ( tj ( g), T2 (), т3 ()), соответствующие трем главным осям эллипсоида. Приближение Херринга и Фогта дает хорошие результаты, если анизотропия рассеяния не очень велика. В частности, с помощью этой теории удается удовлетворительно описать подвижность, гальваномагнитнъш эффекты и пьезосопротивление в Si и Ge. He всегда оказывается существенным требование наличия двух плоскостей симметрии. Так, расчеты [14], выполненные для Bi2Te3, где через центры эллипсоидов энергии проходит только одна плоскость симметрии, показали, что недиагональные компоненты тензора релаксации очень малы по сравнению с диагональными. [16]
Наблюдаемый в пленках эффект К 1, несомненно, связан с анизотропией рассеяния. SQ т ц возрастает скачком, во второй - возрастает медленно. [17]
Наблюдаемый в пленках эффект К 1, несомненно, связан с анизотропией рассеяния. Различие моделей - в зависимости т ц () при о б - В первой модели при SQ т ц возрастает скачком, во второй - возрастает медленно. [18]
С помощью такого охлаждения удалось получить мишени и источники с ориентированными ядрами, на к-рых изучается анизотропия рассеяния и испускания у -, Р - и а-лучей. [19]
В подтверждение анизотропности Альбен и др. [321] обсуждают соотношения, ответственные за анизотропно-рассеивающие свойства моделей с 500 и 8000 атомных единиц плотно упакованных структур и аморфных с тетраэдрической координацией. Показано, что хотя имеются правильные плоскости высокой плотности, связанные с сильными рассеивающими направлениями, анизотропия рассеяния не очень отличается от имеющего место беспорядочного рассеяния. [20]
Когерентное рас-простра нение солнечных частиц. Коэффициент диффузии по питч-углам bs () в случае достаточно сильного регулярного магнитного поля сильно зависит от, что отражает анизотропию рассеяния частиц во внешнем магнитном поле. В случае изотропного спектра магнитных неод-нородностей зависимость bs ( &) представлена качественно на рис. 9.1. Центральный пик обязан черенков & кому резонансу, а глубина и положение минимума определяются соотношением между черепковским и циклотронными резонансами. [21]
 |
Значения периода полураспада и величины.| Свойства некоторых замедлителей. [22] |
Значение Дт, вычисленное по этой формуле, в той области, где необходимо учитывать влияние химических связей на процесс передачи энергии от нейтронов к ядрам замедлителя, меньше фактического. Возраст т, см2, для смеси легкого замедлителя с тяжелыми ядрами нельзя вычислять по приводимой формуле, поскольку в этом случае существенную роль играют неупругие столкновения и анизотропия рассеяния на тяжелых ядрах при больших энергиях. [23]
Приведенные результаты были получены [46 ] в предположении об изотропности рассеяния во всех зонах топочной камеры. В то же время, как уже отмечалось выше, для частиц золы и кокса в пылеугольном пламени характерным является анизотропное рассеяние преимущественно в направлении распространения падающего излучения. Влияние анизотропии рассеяния уменьшается по мере увеличения доли дифрагированного излучения. [24]
Закономерности, связывающие свойства включений и матрицы со свойствами композита, несомненно могут быть перенесены на случай микрогетерогенных стекол и использованы для анализа структуры и свойств микрофаз. Особый интерес здесь представляет исследование анизотропных свойств, которыми должны обладать текстуры. В частности, чрезвычайно интересные данные Е. А. Порай-Кошица по малоугловому рассеянию стекол [6] было бы ценно дополнить опытами по анизотропии рассеяния ориентированными стеклами. [25]
Показано, что для каждой эллипсоидальной изоэнергетической поверхности рассеяние в основном описывается с помощью трех времен релаксации ( одного для каждого из главных направлений); это-главные компоненты тензора времени релаксации, зависящего от энергии. Указанное приближенное решение можно использовать, если все процессы рассеяния либо упругие, либо приводят к случайному распределению скоростей. Получены выражения для подвижности постоянной Холла, изменения сопротивления в слабом и сильном ] магнитных полях, изменения сопротивления с. Для явлений переноса в статических полях влияние анизотропии рассеяния сказывается лишь в появлении весового множителя у каждой компоненты тензора эффективной массы, которая появилась бы в обычной теории. Роль этого множителя играет обратная величина соответствующей компоненты тензора времен релаксации. [26]
Таким образом возникает необходимость создать теорию явлений переноса, основанную на менее жестких предположениях относительно процессов рассеяния. Одной из двух целей настоящей работы и является развитие такой теории для модели со многими минимумами. Этот метод применим, если процессы рассеяния либо упругие, либо приводят к случайному распределению скоростей. Он должен дать очень хорошие результаты, когда анизотропия рассеяния выражена не слишком резко. Вместо единственного времени релаксации T ( S), характеризующего все состояния с энергией е, мы вводим три времени релаксации т е), т2 ( е), т3 ( е), соответствующие трем главным осям изоэнергетической поверхности. [27]
Шаг пространственной сетки в защите из бетона не превышал 1 см, анизотропию рассеяния и угловой переменной учитывали в ЗвРз-приближении. [28]
Предварительное исследование процессов рассеяния в полупроводниках ( см. приложение А в работе [5]) показало, что хотя анизотропия рассеяния в - пространстве часто существенна, она все / ко обычно выражена не слишком резко. Таким образом, можно надеяться, что указанное приближение в большинстве случаев окажется достаточно хорошим. Чтобы оцепить справедливость этих ожиданий количественно, мы исследовали в приложении А некоторые частные случаи, в которых уравнение (: 1) можно решить точно, и сравнили полученные результаты с тем, что получается в пренебрежении в ( 7) и ( 8) членами с I I. Однако результаты приложения А позволяют думать, что если время релаксации носителей тока т ( К) пли какая-нибудь аналогичная мера эффективности S меняется при перемещении вдоль энергетической поверхности не более чем в несколько раз, то ошибка обычно будет составлять лишь несколько процентов. Некоторые грубые оценки ( см. приложение А в работе [5]) показали, что анизотропия рассеяния на акустических колебаниях обычно ( правда, не всегда) удовлетворяет этому условию. Степень анизотропии примесного рассеяния известна менее точно. Ясно, однако, что при не слишком большой доле примесного рассеяния полная функция рассеяния не выйдет за пределы применимости настоящего метода. [29]
Если преобладает примесное рассеяние, то как /, так и уменьшаются, и их отношение будет иным, так как носители тока будут иначе распределены в пространстве волновых чисел. Однако при любом законе рассеяния легко вычислить стационарное распределение в электрическом поле, после чего, зная вероятности переходов ( 39), можно определить долю квазиимпульса, передаваемую продольным фононам. Этот расчет был выполнен для случая T; T const, что соответствует рассеянию на нейтральной примеси. Кривые для важного случая рассеяния на заряженной примеси не приводятся, так как еще неизвестно, какова анизотропия рассеяния в этом случае. [30]
Страницы: 1 2 3