Cтраница 3
В первом приближении число таких дефектов, вызванных смещениями атомов в кристаллической решетке, пропорционально энергии, переданной веществу нейтронами при их замедлении. Действительно, при малых энергиях атомов отдачи их столкновения с другими атомами являются в основном упругими. Однако с ростом их энергии увеличивается вероятность неупругих столкновений, при которых энергия может передаваться в форме электронного возбуждения или ионизации. Таким образом, часть энергии расходуется не на повреждение кристаллической решетки. Кроме того, отклонение энергетической зависимости радиационной эффективности нейтронов от линейного закона обусловлено колебаниями энергетической зависимости сечений рассеяния, наличием анизотропии рассеяния и неупругого рассеяния нейтронов. [31]
Предварительное исследование процессов рассеяния в полупроводниках ( см. приложение А в работе [5]) показало, что хотя анизотропия рассеяния в - пространстве часто существенна, она все / ко обычно выражена не слишком резко. Таким образом, можно надеяться, что указанное приближение в большинстве случаев окажется достаточно хорошим. Чтобы оцепить справедливость этих ожиданий количественно, мы исследовали в приложении А некоторые частные случаи, в которых уравнение (: 1) можно решить точно, и сравнили полученные результаты с тем, что получается в пренебрежении в ( 7) и ( 8) членами с I I. Однако результаты приложения А позволяют думать, что если время релаксации носителей тока т ( К) пли какая-нибудь аналогичная мера эффективности S меняется при перемещении вдоль энергетической поверхности не более чем в несколько раз, то ошибка обычно будет составлять лишь несколько процентов. Некоторые грубые оценки ( см. приложение А в работе [5]) показали, что анизотропия рассеяния на акустических колебаниях обычно ( правда, не всегда) удовлетворяет этому условию. Степень анизотропии примесного рассеяния известна менее точно. Ясно, однако, что при не слишком большой доле примесного рассеяния полная функция рассеяния не выйдет за пределы применимости настоящего метода. [32]
Построение хода луча проводится таким же образом, как это описано в § 2.9.4. Однако имеется отличие, связанное с необходимостью продвижения вдоль луча с шагом As, в то время как раньше луч проходил полное расстояние R от поверхности к поверхности. Приращение As выбирают таким, чтобы, например, прохождение / - го объема потребовало целого числа шагов. Если Р больше этой вероятности, то луч продолжает движение вдоль первоначального направления неизменным. Если Ж cos [ l - ехр ( - Kes) ], то пучок фотонов рассеивается. Если же луч не пропускается и не рассеивается, он поглощается. При рассеянии в соответствии с уравнениями ( 45), ( 46) выбирают новое направление ( при учете анизотропии рассеяния к энергии луча вводится массовый множитель, равный значению фазовой функции р) и продолжают построение хода луча до тех пор, пока не наберется необходимое число поглощений. [33]