Измерение - скорость - рост
Cтраница 3
Поэтому для измерения скорости роста при относительно высоких температурах были применены другие методы измерения. [31]
SiC обрамегся при высоких темпера-л подложки, обычно около Г200 С. Аналогичные результаты получены Накашима и др. [203], которые выращивали р - 51С при в пимм ййствии с металлом при температуре выше 1200 С. При проведении измерений скорости роста как функции температуры реакции и парциального давления металла была получена параболическая зависимость, которая объяснилась диффузией атомов С через SiC. Пленке p - SiC имеет монокристаллическую структуру при толщине менее 1000 А. [32]
 |
Иллюстрация метода определения iKp по времени до разрушения т на образцах с предварительно созданной трещиной, вырезанных в высотном направлении из плиты сплава 7075 - Т651 ( полученное этим. [33] |
Методы, описанные выше, были использованы в последний годы многими исследователями [35, 36, 63-66], чтобы преодолеть некоторые недостатки, присущие методу определения КР на гладких образцах по времени до разрушения. Дополнительно к методу определения Кгкр может быть применен фрактографиче-ский анализ начальной стадии роста трещины. Более удобная и точная техника измерения скорости роста трещины как функции коэффициента интенсивности напряжений в конце трещины рассматривается в общих чертах в следующем разделе. [34]
Поскольку на процесс разрушения при коррозии под напряжением влияет такое большое число факторов, становится ясным, что испытания следует проводить в условиях, максимально приближенным к реальным. Повышение температуры коррозионной среды или приложение к образцу потенциала могут способствовать коррозии под напряжением, поэтому при испытании следует относиться с большой осторожностью к изменению внешних факторов. Возможно, что пороговое значение коэффициента интенсивности напряжений KL scc не изменяется под влиянием внешних условий, но это можно установить только экспериментальным путем. Перенесение результатов измерения скоростей роста в одних условиях службы на другие может быть полностью неправомерным, а поправки на влияние температуры ( если условия службы различаются только температурой при условии постоянной энергии активации процесса) чрезвычайно сомнительны, если нет экспериментального подтверждения их правильности. [35]
Поскольку на процесс разрушения при коррозии под напряжением влияет такое большое число факторов, становится ясным, что испытания следует проводить в условиях, максимально приближенным к реальным. Повышение температуры коррозионной среды или приложение к образцу потенциала могут способствовать коррозии под напряжением, поэтому при испытании следует относиться с большой осторожностью к изменению внешних факторов. Возможно, что пороговое значение коэффициента интенсивности напряжений / Clsec не изменяется под влиянием внешних условий, но это можно установить только экспериментальным путем. Перенесение результатов измерения скоростей роста в одних условиях службы на другие может быть полностью неправомерным, а поправки на влияние температуры ( если условия службы различаются только температурой при условии постоянной энергии активации процесса) чрезвычайно сомнительны, если нет экспериментального подтверждения их правильности. [36]
 |
Аналитическая модель растущего пузырька Якоба в неоднородном температурном поле. [37] |
Несмотря на то что большая часть опытов ставилась на горизонтальных пластинах, обращенных книзу, все же были проведены две серии экспериментов с вертикальными пластинами. По кинокадрам скоростной съемки была определена зависимость диаметра пузырька от зарождения до отрыва от поверхности во времени. Несмотря на то что при измерениях скорости роста пузырьков наблюдались статистические изменения, оказалось, что скорость роста почти не зависит от давления в системе. Однако как частота, так и отрывной диаметр уменьшаются с увеличением давления. При больших тепловых потоках отрывной диаметр увеличивается, а частота отрыва соответственно уменьшается. Изменение ориентации поверхности нагрева с горизонтальной на вертикальную не привело к значительным изменениям отрывных диаметров пузырьков, но уменьшило скорость их роста. [38]
 |
ЯЭО в линейной четырехспиновой системе. Величины, использованные в тексте, приведены в толстых рамках. [39] |
Величина ЯЭО зависит от соотношения эффективности различных конкурирующих путей релаксация, которое, как мы уже видели, может выражаться весьма непросто. Но начальная скорость роста зависит только от скорости кросс-релаксации между двумя рассматриваемыми ядрами. При постоянном тс она будет зависеть только от межъядериого расстояния, и в случае рассматривавшейся ранее четырехспиновой системы ( разд. В) должна быть значительно меньше скорости роста Т1В ( С), несмотря на то что их конечные величины близки. Измерение скоростей роста ЯЭО менее надежный источник информации, чем определение равновесных значений, но простота интерпретации этих данных с избытком компенсирует усложнение методики эксперимента. Кроме того, на описываемой далее технике измерения неравновесного ЯЭО основан двумерный эксперимент ЫОЕ5У ( гл. [40]
Стандартную энтропию дегидратации можно найти прямым путем, в то время как энтропия аморфного продукта может быть измерена, хотя это еще не сделано. Из результатов Брайта и Гарнера по росту ядер можно найти энтропию образования переходного состояния, которая составляет 42 кал-градт 1-молъ - 1, что существенно превышает обычные значения изменения энтропии при плавлении. В то же время, используя данные Топли [96], получают около - 5 кал-град-1 - молъ-1. В разделе, где рассматривается дегидратация хромовых квасцов, показано, что для вычислений этого рода более пригодны данные по измерению скорости роста ядер, чем данные по скорости продвижения поверхности раздела. Поэтому мы принимаем, что энтропия активации имеет большую положительную величину. [41]
Эта связь должна быть выражена в виде четких математических зависимостей, позволяющих производить расчеты в реальных условиях. Таким образом, одной из проблем в области кристаллизации из растворов является проблема разработки новой, более общей теории роста кристаллов, пригодной для объяснения явлений, имеющих место в технологических процессах. Изучение влияния примесей на кинетику роста представляет большой интерес главным образом потому, что кристаллизация, как правило, происходит из многокомпонентных растворов. Влияние же физических воздействий интересно с точки зрения выяснения механизма роста кристаллов. Решение вышеперечисленных вопросов требует прежде всего проведения соответствующих методических разработок. Они сводятся в основном к измерению скорости роста кристаллов при больших пересыщениях, когда в растворе одновременно растет не один, а несколько кристаллов. Чаще всего число растущих кристаллов оказывается весьма значительным. Причем желательно иметь возможность изучать кинетику роста отдельных кристаллов в процессе их массового роста. Существующие методы измерения средней скорости роста кристаллов по данным дисперсионного анализа не являются вполне удовлетворительными, поскольку они, с одной сто-эоны, не позволяют изучать кинетику, а с другой, зесьма приближенны сами по себе из-за вышеупомянутых зторичных явлений. [42]
Страницы: 1 2 3