Измерение - поверхностное сопротивление
Cтраница 2
На рис. 11.3, в показана схема измерения поверхностного сопротивления. Здесь Iv 0, так как разность потенциалов между электродами А и Б равна нулю, а амперметр показывает значение тока, протекающего между электродами А и В; ток I s в цепь измерителя тока не попадает. [16]
На рис. 11.3, в показана схема измерения поверхностного сопротивления. [17]
 |
Схема измерения объемного сопротивления диэлектрика.| Схема измерения поверхностного сопротивления диэлектрика. [18] |
На рис. 17 - 21 изображена схема для измерения поверхностного сопротивления. [19]
Преддиффузия проводилась из параллельного источника при 980 С в течение 10 мин в открытой печи после чего проводилось измерение поверхностного сопротивления 4-зондовым методом. [21]
Кроме того, не рассматриваются измерения, выполняемые в соответствии с технологией до начала изготовления непосредственно полупроводникового прибора ( например, измерения поверхностного сопротивления пластин), поскольку они не входят в содержание данной книги. Методика этих измерений освещена в соответствующей литературе. [22]
Кроме того, не рассматриваются измерения, выполняемые в соответствии с технологией до начала изготовления непосредственно полупроводникового прибора ( например, измерение поверхностного сопротивления пластин), поскольку они не входят в содержание данной книги. Методика этих измерений освещена в соответствующей литературе. [23]
 |
Измерение удельных объемного ( о и поверхностного ( О сопротивлений при помощи охранных электродов. [24] |
На рис. 44 а представлен элементарный объем с электродами, расположенными на боковых гранях, а на рис. 44 6 - аналогичная схема измерения поверхностного сопротивления на элементарной площади. [25]
 |
Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [26] |
В работе предлагается: 1) осуществить двухстадийную диффузию бора ( загонка - разгонка) в кремний n - типа в проточной системе; 2) произвести измерения поверхностного сопротивления диффузионного слоя; 3) рассчитать кривую распределения примеси и глубину залегания р-п-перехода; 4) методом косого шлифа определить толщину диффузионного слоя экспериментально; 5) изучить вольт-амперную характеристику полученной диодной структуры. [27]
 |
Схема установки для осуществления диффузии в потоке. [28] |
В работе предлагается: 1) осуществить двухстадийную диффузию бора ( загонка - разгонка) в кремний n - типа в проточной системе; 2) произвести измерения поверхностного сопротивления диффузионного слоя; 3) рассчитать кривую распределения примеси и глубину залегания р-п-перехода; 4) методом косого шлифа определить толщину диффузионного слоя экспериментально; 5) изучить вольт-амперную характеристику полученной диодной структуры. [29]
 |
Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом. [30] |
Страницы: 1 2 3