Фотоэлектрическое измерение
Cтраница 3
В ряде схем фотоэлектрического измерения интенсивности спектральных линий [ у-10 применяется метод интегрирования тока за некоторый промежуток времени. [31]
В этих газоанализаторах осуществляется фотоэлектрическое измерение интенсивности окраски жидкого поглотителя, которая зависит от концентрации поглощенного газа. [32]
Тормозящая способность желатины оценивалась путем фотоэлектрических измерений мутности во время созревания желатиновой галоидосеребряной эмульсии. На рис. 15 приведены кривые зависимости мутности ( в произвольных единицах) от времени физического созревания эмульсий, изготовленных в одинаковых условиях на 10 % - ной желатине, богатой сенсибилизаторами и бедной тормозителями, без применения электродиализа ( сплошная кривая) или после электродиализа в течение 3 час. [33]
Кроме того, при фотоэлектрических измерениях с использованием малоинерционных спектрометров появляется возможность непрерывного сканирования по длинам волн всего спектра излучения в целом. [34]
Для устранения этого основного недостатка фотоэлектрических измерений строят сложные многоканальные приборы, пригодные для стандартных спектроаналитических работ, при которых достаточно измерять энергию не во всех точках спектра, а для небольшого ( 10 - 20) числа линий. [35]
Описанная схема не подходит для фотоэлектрических измерений при использовании светового потока в пределах центрального пятна. [37]
Для устранения этого основного недостатка фотоэлектрических измерений строят сложные многоканальные приборы, пригодные для стандартных спектроаналитических работ, при которых достаточно измерять энергию не во всех точках спектра, а для небольшого ( 10 - 20) числа линий. [38]
На рис. 86 представлена схема фотоэлектрического измерения интен-сивностей компонентов сверхтонкой структуры, в которой свет дважды проходит через эталон Фабри - Перо. В этом случае, как указывалось выше, повышается контрастность интерференционной картины. Линза L2 формирует выходящий из монохроматора свет в параллельный пучок. Диафрагма Dz выделяет центральную часть интерференционной картины. Зеркало 3i направляет свет в выходной коллиматор, а линза L t изображает интерференционную картину в плоскости выходной диафрагмы D3, которая выделяет центральное пятно интерференционной картины. [39]
Имеются только два эксперимента по фотоэлектрическому измерению величины / iv отдельных граней вольфрама. [40]
Принцип действия прибора основан на фотоэлектрическом измерении обратного рассеяния инфракрасного излучения осадком, что позволяет контролировать уровень осадка в средах с любой окраской и мутностью. Прибор обеспечивает автоматическое управление системами откачки осадка, предупреждает о возникновении аварийных ситуаций в производстве. [41]
Действие кремнемера модели 58F основано на фотоэлектрическом измерении интенсивности окраски синего кремнемолибденового комплекса, получаемой при введении в пробу соответствующих реактивов и зависящей от концентрации определяемого вещества. Чувствительная часть датчика прибора состоит из согласованной пары фотоэлементов ( измерительного и сравнительного), включенных навстречу друг другу и освещаемых общим источником света. Перед измерительным фотоэлементом расположена измерительная кювета, в которую подается окрашенная проба. В зависимости от интенсивности ее окраски изменяются оптическая плотность слоя жидкости в кювете и, следовательно, освещенность измерительного фотоэлемента и величина возникающего при этом фототока. Выходной сигнал, являющийся разностью фототоков измерительного и сравнительного фотоэлементов, усиливается и подается на указатель и вторичный регистрирующий прибор. Прибор действует циклически с минимальной продолжительностью цикла 12 мин. [42]
Корреляционные функции, возникающие в связи с фотоэлектрическими измерениями поля, являются функциями особого рода. [43]
Примерно такая же высота барьера получается и из фотоэлектрических измерений. Эти результаты являются хорошим подтверждением того, что наблюдалась Шоттки-эмиссия. Так как термоэлектронная эмиссия быстро уменьшается с уменьшением температуры, а туннельная эмиссия почти не зависит от температуры, разд. [44]
Другие экспериментальные доказательства высказанной точки зрения получаются из фотоэлектрических измерений. Нормальная ( неизбирательная) фотоэлектрическая эмиссия с вольфрамовой нити, на которой адсорбирован натрий, при сравнительно малых заполнениях растет с температурой. Напротив, при более высоких заполнениях фотоэффект с ростом температуры падает. Очевидно, что при сравнительно низких значениях 6, когда адсорбированный натрий находится на поверхности в виде ионов, повышение температуры приводит к небольшому увеличению среднего расстояния ионов от поверхности, вследствие чего дипольный момент слегка увеличивается, а работа выхода слегка уменьшается. Если же натрий адсорбирован в виде атомов, то диполи, образовавшиеся теперь в результате поляризации атомов полем металла, уменьшаются, так как с повышением температуры среднее расстояние атомов натрия от поверхности металла увеличивается. [45]
Страницы: 1 2 3 4