Cтраница 2
В 50 - х годах были созданы ЭВМ первого поколения на электронных лампах, а в 70 - х годах появились ЭВМ четвертого поколения, выполненные на интегральных микросхемах с высокой степенью интеграции компонентов - большие ( БИС) и сверхбольшие ( СБИС) интегральные микросхемы. [16]
Современным этапом развития транзисторной техники является микроэлектроника, которая характеризуется прежде всего функциональным укрупнением схемных деталей на основе интеграции компонентов. Однако интеграция компонентов не является чисто технологическим аспектом: использование функционально сложных деталей связано с принципиально новым подходом и к конструированию аппаратуры, включая машинные методы ее проектирования. Таким образом, интеграцию следует рассматривать как глобальную характеристику современной электроники. [17]
Одновременно новые технологии и новые подходы к проектированию обусловили значительное сокращение количества компонентов промышленных изделий ( например, в швейных машинах один микропроцессор заменил 350 механических частей), что в свою очередь оказалВ большое влияние на процесс окончательной сборки, изготовление сборочных узлов и производство деталей. В результате интеграции компонентов для сборки конечной продукции требуется меньше времени, а за счет этого происходит снижение стоимости, добавленной обработкой. В то же время удельный вес деталей и узлов в добавленной стоимости конечной продукции, а также в использовании ноу-хау существенно возрастает. А это означает, что поставки комплектующих изделий играют все более важную роль. [18]
Каждый из этих этапов характеризуется определенной степенью интеграции компонентов. [19]
Схематическое устройство печи для диффузии фосфора из Р2О5 в пластины кремния. [20] |
Функции дискретных элементов - активных и пассивных - в таких схемах выполняют различные локальные ( местные) области, между которыми существуют необходимые электрические соединения и изолирующие прослойки. Полупроводниковые интегральные схемы имеют наиболее высокую степень интеграции компонентов ( до 1000 элементов / ел3) и позволяют получить максимальную надежность, так как количество соединений в них сведено к минимуму. [21]
Другие авторы делят ИС по принципу схожести / различия с ERP-системами, в которых отражены наиболее прогрессивные черты И С. Важнейшим классификационным признаком ИС является ее масштаб и интеграция компонентов. [22]
Зависимость количества типов узлов от степени интеграции. [23] |
С увеличением степени N интеграции количество типов узлов Мъ требуемое для построения схемы ЦВМ, увеличивается, достигает максимума, а затем падает. Поэтому коэффициент повторяемости узлов ЦВМ по мере увеличения степени интеграции компонентов в узле падает. [24]
Вместе с тем объединение на едином кристалле матрицы ЗЭ и обслуживающих схем имеет и ряд недостатков. Во-первых, мощность, потребляемая обслуживающими схемами, в ряде случаев составляет значительную часть полной мощности, потребляемой БИС, что ограничивает быстродействие и допустимую степень, интеграции компонентов на кристалле. Во-вторых, использование МДП транзисторов в обслуживающих схемах в ряде случаев снижает быстродействие. И наконец, несмотря на уменьшение числа выводов и площади, необходимой для создания контактных площадок, общий размер кристалла в результате введения обслуживающих схем увеличивается. [25]
У вас может возникнуть вопрос: что такое профессиональное программирование. Обдумывая тематику, я не собирался писать пособие по системе dBASE III Plus, а хотел рассказать о профессиональном подходе к составлению программ, который предполагает применение псевдокода, проектирование структур данных и интеграцию компонентов системы. Терминами типа профессиональное программирование обычно пользуются на лекциях, чтобы поразить воображение аудитории. [26]
Развитие конструкций контроллеров идет по тому же направлению, что и коммутаторов БСЗ. Для контроллеров характерны стремление к интеграции компонентов в результате применения специализированных микросхем в ЦСЗ и использование микропроцессоров с большим набором функциональных возможностей. [27]
Интегральные схемы, являясь основной элементной базой микроэлектроники, позволяют реализовать подавляющее большинство аппаратурных функций, причем сферы применения ИС расширяются, а их качество быстро повышается. Одним из критериев оценки технологического уровня производства ИС является степень интеграции компонентов в пределах конструктивной единицы. [28]
Обычно требуется два-три типа компонентов ( диоды, сопротивления, транзисторы), для которых допустимы сравнительно большие разбросы значений параметров пассивных, а в некоторых случаях и активных ( транзисторов) компонентов. В состав управляющего устройства входит большое количество однотипных логических схем. Среди всех типов интегральных схем логические схемы характеризуются наиболее высокой надежностью, максимальной степенью интеграции компонентов и наименьшей стоимостью. [29]
Двухсторонний процесс дифференциации-интеграции компонентов оказывает существенное влияние на свойства. На практике часто наблюдается отсутствие повторяемости результатов исследования, а подчас и их противоречивость. Например, кривая вязкости системы СаО - SiO2 по одним данным представляется монотонной, по другим - с резко выраженными минимумами в точках, отвечающих определенным химическим соединениям. Зависимость плотности, показателя преломления и других свойств стекол представляется одними авторами в виде кривых с изломами и перегибами, другими - в виде непрерывных монотонных кривых. Такая противоречивость, по-видимому, объясняется не только ошибками опыта, но и разными условиями измерений, при которых стекло может находиться в разных структурных состояниях. Монотонные кривые получаются в случае преобладания в расплавах явлений интеграции компонентов. Если же происходит дифференциация, то на кривых свойств появляются те или иные особенности. [30]