Использование - тонкая пленка
Cтраница 1
Использование тонких пленок в микроэлектронике основано на методах осаждения и контроля физических свойств этих пленок, и, кроме того, на возможности распределения материала в виде точно сформированных рисунков. Стремление ко все большему усложнению и уменьшению размеров микросхем способствовало дальнейшему развитию этого направления, и в результате были достигнуты большие успехи в усовершенствовании методов создания тонкопленочных рисунков. [1]
 |
Процессы фотолитографии, используемые при производстве полупроводниковых ИС. [2] |
Использование тонкой пленки способствует повышению разрешающей способности. При толщине менее 0 1 мкм не обеспечивается достаточная сплошность и кислотостойкость фоторезистов. Для удаления растворителей нанесенная пленка фоторезиста подвергается сушке. [3]
Использование тонких пленок толщиной 500 - 1500 А позволило авторам [77] фактически наблюдать распространение гигагерцевого звука ( акустические частоты va 10 ГГц) при комнатных температурах и определить скорости звука. Согласно полученным ре-зультатам например, в а - As2Te3, скорость са 1 6 - 105 см / с, что при б - 1 300 А позволяет возбуждать акустические импульсы длительностью та-20 пс. [5]
Использование тонких пленок полимера приводит также к снижению высоких температур поверхностей скольжения вследствие высокой теплопроводнссти металла. Особенно широкий успех такого вида сухой пленочной смазки достигнут благодаря использованию политетрафторэтилена. [6]
Использование тонких пленок железа как носителей пассивирующей пленки позволило применить метод прохождения электронов, как дающий наболев точные результаты. Ускоряющее напряжение при этом не измерялось; необходимое для расчетов значение удвоенного произведения длины электронной волны X на эффективную длину электронографа L, 2LX, вычислялось из положения линий железа, почти всегда присутствовавшего в образце, и имеющихся точных рентгенографических данных для постоянной а решетки железа. [7]
Использование тонких пленок полимера приводит также к снижению высоких температур поверхностей скольжения вследствие высокой теплопроводности металла. Особенно широкий успех та кого вида сухой пленочной смазки достигнут благодаря использованию политетрафторэтилена. [8]
 |
Энергетические диаграммы структуры металл - диэлектрик - металл ( МДМ с несимметричными контактами. [9] |
При использовании тонких пленок возникают качественно новые физические явления, которые не проявляются в толстых образцах и структурах. Тонкие пленки из полупроводниковых материалов ( кремния, германия, арсенида галлия и др.) обладают физическими свойствами, аналогичными свойствам тонких диэлектрических пленок. [10]
Перспективные разработки направлены на использование тонких пленок магнитного материала для устройств памяти: предусматривается плотность записи до 1000 битов на 1 см2, а скорость выборки в 10 раз больше, чем для памяти на сердечниках. [11]
У исследователей, заинтересованных в использовании тонких пленок, имеется широкий выбор методов их изготовления. В общем случае, эти методы могут быть разбиты на два класса. Один класс объединяет методы, основанные на физическом испарении или распылении материала из источника, например термическое испарение или ионное распыление. В другом классе собраны методы, основанные на использовании химических реакций. Сущность реакций в этом классе методов может быть различной: электрическое разделение ионов, как например при электрохимическом осаждении и анодировании, или использование тепловых эффектов, как например при осаждении из паровой фазы и термическом выращивании; в любом случае для окончательного формирования пленки необходимо обеспечить протекание определенных химических реакций. [12]
 |
Гибридная микросхема. [13] |
Технология гибридных интегральных микросхем базируется на использовании толстых и тонких пленок, нанесенных на керамическое основание. Пленки изготовляются из специальных паст. [14]
 |
Время переключения пленочного сегнето-конденсатора в зависимости от работы выхода материала электрода.| Схема Я. [15] |
Страницы: 1 2