Использование - тонкая пленка
Cтраница 2
Перспективным в части уменьшения абсолютных потерь и облегчения техники печатного монтажа является использование тонких пленок из сегнетоэлектри-ческих материалов с прямоугольной петлей гистерезиса. Снижение рабочего напряжения и сокращение времени переключения для пленок реализовать пока не удается в связи с несовершенством технологии. [16]
При достаточно большой удельной поверхности раздела между полимером и газовой фазой ( что достигается путем измельчения материала или использования тонких пленок) процесс деполимеризации можно рассматривать как псевдоравновесную реакцию. Однако это предположение справедливо лишь в случае преобладания процессов деполимеризации над процессами деструкции в результате разрывов, связанных с внутри - и межмо-лекулярной передачей цепи. [17]
Размывание зоны уменьшается при ускорении процесса десорбции в неподвижной фазе. Это достигается за счет использования тонких пленок неподвижной фазы в распределительной хроматографии и частиц малого размера в эксклюзионной, адсорбционной и ионообменной хроматографии. Высокая диффузионная подвижность ( увеличивает скорость десорбции. [18]
Таким образом, размывание полосы уменьшается при ускорении процесса сорбции-десорбции в неподвижной фазе. В распределительной хроматографии это достигается использованием тонких пленок неподвижной фазы, а в адсорбционной и ионообменной - применением сорбентов с частицами малого размера. [19]
В некоторых средах кадмий дает лучшую защиту, чем цинк, однако он стоит в десять раз дороже. Он идет вне конкуренции с цинком в качестве покрытия на изделиях, на которых должна быть достигнута высокая степень защиты путем использования тонких пленок, осажденных путем погружения в горячий расплав или напылением металла. Где допустимы тонкие покрытия 25 мкм или тоньше, более высокая защитная способность кадмия в некоторых средах делает его применение более выгодным. И так как однородное сплошное тонкое покрытие может быть получено только путем относительно дорогих процессов, таких как гальванически метод, более высокая цена кадмия будет иметь меньшее влияние на окончательную стоимость изделия. [20]
 |
Поперечное сечение системы из двух переходов Джозефсона, напыленных на кварцевую подложку г. [21] |
НА - поле, соответствующее одному кванту потока в области с большой площадью А. Обнаружение второй периодичности в переходах, отстоящих друг от друга на 3 5 мм, подтверждает представление о сверхпроводящем состоянии как о действительно едином квантовом состоянии, обладающим дальним порядком. Пары переходов с использованием тонких пленок ниобия и свинца были изготовлены Эдвардом Капланом в лаборатории автора. [22]
Дискретные резисторы на основе тонких пленок, по сравнению с объемными резисторами полупроводниковых микросхем, имеют лучшие параметры и повышенную надежность, в сопоставлении же с прецизионными проволочными резисторами они при сравнимых величинах параметров имеют меньшую стоимость. Тонкопленочные резисторы, что называется, нашли себя в области интегральных микросхем. Резисторы, имеющие наименьшие размеры 130 - 260 мкм, еще могут выгодно конкурировать с тонкими пленками, однако для изготовления прецизионных резисторов с размерами менее 130 мкм использование тонких пленок становится обязательным. [23]
С увеличением толщины покрытия наблюдается рост адгезионной прочности. Причина такого роста объясняется особенностями метода отрыва при помощи штифтов. От сравнительно толстых покрытий отрыв штифта происходит одновременно. При использовании тонких пленок отрыв начинается от края торца штифта и распространяется к центру с определенной скоростью. Поэтому искажение результатов может быть вызвано неравномерным отрывом штифта от пленки. Кроме того, в процессе отрыва может происходить прогиб тонких пленок. [24]
 |
Двойная ионизационная камера для одновременной регистрации ( 5 - иу-излучений протекающего раствора. [25] |
Для обеспечения высокой чувствительности и точности измерения радиоактивности желательно применять кюветы максимально возможного размера. Однако объем кювет не может быть сделан очень большим, так как он ограничен градиентом активности. Заслуживают внимания также проточные кюветы. Обычно кюветы имеют вид длинных трубок [39, 62, 102]; во избежание значительного самопоглощения желательно, чтобы слой жидкости не был слишком толстым, Лучшие результаты получаются при использовании тонких пленок, распределенных по большой площади. Для данной кюветы ошибка определения пропорциональна квадратному корню из скорости протекания. [26]
Однако, так как диэлектрическая постоянная массивного Si3N4 ( в 9 4) выше, чем у SiO ( e 6) и SiO2 ( e 3 8), пленки нитрида кремния представляют также интерес для создания конденсаторов. Было обнаружено, что электрическая прочность пленок Si3N4, осажденных при 1000 С за счет реакции SiCl4 и NH3, выше, чем у пленок SiO и SiO2 ( см. также рис. 4), но температура реакции слишком велика для использования при изготовлении тонкопленочных интегральных схем. Предварительные результаты показывают, что стехио-метрические пленки Si3N4 могут быть получены при низких температурах подложки путем реактивного катодного распыления на постоянном токе [54, 55] или ВЧ распыления [55] катода из поликристаллического кремния в атмосфере азота. Из этих двух методов ВЧ распыление более предпочтительно. Однако для использования тонких пленок нитрида при изготовлении тонкопленочных конденсаторов требуется провести большую работу. [27]
Для повышения быстродействия необходимо обеспечивать параллельную самостоятельную работу различных устройств, но при этом возможно увеличение объема оборудования. Большой эффект дает минимизация обращения к памяти. Применение иерархической системы запоминающих устройств ( внешний накопитель - буферный накопитель, оперативная память - сверхоперативная память в сочетании с групповой пересылкой данных) позволяет сочетать их большую емкость с высоким быстродействием машины. Одним из основных недостатков ЭЦВМ является низкая скорость ввода - вывода информации. Для повышения этих скоростей разрабатываются устройства с использованием тонких пленок, сверхпроводящих элементов, приборов с туннельным эффектом, а также фотографические, фотохимические и другие способы выдачи информации. [28]
Осажденные тонкие пленки были, по-видимому, впервые получены в 1857 г. Фарадеем [1] при проведении им опытов по взрыву металлических проволочек в инертной атмосфере. Дальнейшие эксперименты по осаждению пленок были стимулированы в XIX - м столетии интересом к оптическим явлениям, связанным с тонкими слоями вещества, и исследоиаииями кинетики и диффузии газов. В 1887 г. Нарволд [2] на примере проволок из платины продемонстрировал возможность осаждения тонких металлических пленок в вакууме с использованием джоулева тепла. Только с совершенствованием вакуумного оборудования, которое позволило организовать массовое производство и контроль свойств тонких осажденных пленок, последние нашли промышленное применение. За последнюю четверть века области применения тонких пленок значительно расширились. В качестве примера можно привести просветляющие покрытия, зеркала, интерференционные фильтры, солнечные очки, декоративные покрытия на пластиках и тканях, использование тонких пленок в электронно-лучевых трубках и совсем недавно - в производстве микроэлектронных схем. Рассмотрение с различных сторон последнего применения и является целью написания данной книги. [29]
Страницы: 1 2