Cтраница 4
Теллур ( IV) образует окрашенные галогенидные комплексы на пример ТеВг. [46]
В литературе сообщается, что галогенидные комплексы железа образуются в кислотной среде. [47]
Эти данные позволяют сравнивать лрочность галогенидных комплексов с электронным строением, зарядом и размером ионов металлов и галогенидов и, таким образом, с их положением в периодической системе. Однако для экстракции интерес представляет устойчивость комплексов в водном растворе. Свободная энергия образования комплекса в растворе является интегральной величиной, в которую, наряду с энергиями образования связей М - X, входят энергии гидратации катиона, аниона и комплекса. [48]
Совпадение рядов прочности и устойчивости галогенидных комплексов ртути и кадмия является, по-видимому, признаком того, что у этих металлов соотношение устойчивости галогенидных комплексов в среднем больше зависит от АЯК, чем от ASK. Однако это еще не является отрицанием принципиальной возможности существования несовпадающих рядов прочности и устойчивости комплексов галогенов с ионами других металлов. [49]
Результатом атаки иона Н - на галогенидный комплекс может быть или замещение галогена на гидрид, или же восстановление металла до состояния окисления нуль. Замещение галогена гидридом является фактически одним из наиболее гибких способов получения гидридных комплексов переходных металлов. К другим методам получения гидридов относятся действие цикло-пентадиенида на галогениды металлов ( стр. Образующиеся гидриды металлов стабилизируются в присутствии лигандов, дающих дативные связи, таких, как карбонил, фосфин или циклопентадиенил. Некоторые комплексы фосфина весьма устойчивы к термическому разложению, окислению и гидролизу. [50]
Осмий ( 1У) входит в галогенидные комплексы. Олово ( П) восстанавливает соединения осмия до элементного состояния. [51]
Пирсону; в водных р-рах устойчивость галогенидных комплексов уменьшается в ряду Р - СГ Вг - 1-ав случае многоатомных лигандов, в т.ч. органических-в ряду донорных атомов О N 8 С. [52]
Этот факт возрастания устойчивости и прочности галогенидных комплексов в противоположных направлениях достаточно хорошо, нам кажется, подтверждает высказанное ранее мнение ( стр. [53]