Поверхность - молибден
Cтраница 3
Однако медь плохо смачивает и растекается по поверхности молибдена. Для улучшения смачивающей способности медь легируют кобальтом, железом, марганцем, никелем, кремнием, палладием. Ограничение вызвано тем, что все названные добавки, кроме палладия, образуют с молибденом хрупкие интерметаллиды, которые кристаллизуются на границе раздела и ослабляют прочность соединения. При пайке молибдена чистой медью необходимо строго соблюдать режим пайки: температура 1100 С, выдержка 20 мин. Увеличение температуры и выдержки приводит к расширению хрупкой диффузионной зоны и к снижению прочности соединения. [31]
Для этого молибден нагревается в струе водорода до температур 1000 - 1200 С, после чего в струю вводится четыреххлористын кремний. В результате соприкосновения с горячим молибденом SiCl4 разлагается с отложением кремния на поверхности молибдена, образующаяся же соляная кислота уносится потоком водорода. [32]
 |
Зависимость тол - g w щины покрытия от времени силицирования молибдена & - / У7. YA 1. [33] |
Термодинамический анализ показал, что силицирование может происходить в результате образования субхлоридов кремния SiCl2 и SiCl3 с последующим диспропорционированием их на поверхности нагретого молибдена. [34]
 |
Концентрическое размещение молибденовых лент, впаянных в кварц. [35] |
Наиболее распространены ( молибденовые ленточные вводы. Вакуумная плотность при этом обеспечивается благодаря хорошей смачиваемости чистой поверхности молибдена в расплавленном кварце и очень большой прочности спая, если предварительно поверхность молибдена химически протравлена. [36]
Эти АЭ имеют среднюю мощность излучения в режиме генератора 10 - 55 Вт, КПД 0 5 - 1 %, гарантированную наработку более 500 ч и сохраняемость не менее 5 лет. Установлено, что максимальная мощность излучения и КПД и лучшее согласование нагрузки ( АЭ) с высоковольтным модулятором накачки достигается при использовании генераторов паров меди на молибденовой подложке после восстановления поверхности молибдена и расплавленной меди водородом при рабочих температурах ( - 1600 С), когда происходит полное смачивание молибдена медью и повышается скорость испарения. [37]
При испытании молибденовых эмиттеров с тонким вольфрамовым покрытием были получены аналогичные результаты, но выраженные более слабо. Минимальная толщина вольфрамового покрытия, по данным работы [171], должна быть не менее 100 мкм, чтобы предупредить диффузию молибдена на поверхность вольфрамового покрытия в процессе эксплуатации ядерного ТЭП. На подготовленную таким образом поверхность молибдена наносится покрытие из вольфрама с крупнокристаллической структурой, которая обеспечивается высокотемпературным процессом покрытия. Граничная диффузия атомов молибдена через вольфрамовое покрытие с такой структурой сильно снижается вследствие уменьшения поверхности и границ зерен, а объемная диффузия практически при этом отсутствует. [38]
Опыт подтверждает такое заключение. Показано, например, что грубый рельеф поверхности необходим при спаивании стекла с металлом. Имеется отчетливая связь между степенью шероховатости поверхности молибдена и вольфрама и прочностью соединения их со стеклом. [39]
 |
Зависимость плотности анодного тока от времени при постоянных значениях потенциала. [40] |
Согласно термодинамическим расчетам, анодное окисление молибдена до МоО - ( реакция 8, табл. 1) возможно при ф 0 11 в. Однако на анодных кривых ( рис. 3 и 4) при этом потенциале увеличения плотности тока не наблюдается. Это свидетельствует, по-видимому, о наличии на поверхности молибдена вблизи этого потенциала слоя защитных окислов, которые и определяют анодное поведение молибдена. [41]
В большинстве случаев крупинки молибдена, применяемого в качестве исходного вещества для хлорирования, покрыты с поверхности окисной пленкой. Поэтому пентахлорид, полученный из такого материала, обычно загрязнен оксихлоридом молибдена. Чтобы избежать такого загрязнения, следует перед хлорированием удалить с поверхности молибдена окисную пленку. Для этого молибден в количестве 3 - 4 г помещают в стеклянную трехколенную трубку для хлорирования ( стр. Дальнейшим нагреванием реактора в токе хлористого водорода отгоняют оксихлорди молибдена так, чтобы пары его удалились через отводную трубку. Затем реактор охлаждают, продолжая пропускать хлористый водород; хлористый водород вытесняют хлором, очищенным от кислорода и паров воды ( см. стр. Образующийся пентахлорид МоС15 конденсируется во втором колене трубки в виде темных кристалликов. [42]
Насыщение производят вакуумным напылением или путем наплавки легирующего компонента. После этого изделия обязательно подвергают термообработке. При этом в отдельных случаях образуются интерметаллиды. Так, при насыщении поверхности молибдена кремнием и последующей обработке изделия образуется интерметал-лид MoSi2, преграждающий доступ воздуха к изделию. [43]
Насыщение производят вакуумным напылением или путем наплавки легирующего компонента. После этого изделия обязательно подвергают термообработке. При этом в отдельных случаях образуются интер металлиды. Так, при насыщении поверхности молибдена кремнием и последующей обработке изделия образуется интер-металлид MoSij, преграждающий доступ воздуха к изделию. [44]
Насыщение производят вакуумным напылением или путем наплавки легирующего компонента. После этого изделия обязательно подвергают термообработке. При этом в отдельных случаях образуются интерметаллиды. Так, при насыщении поверхности молибдена кремнием и последующей обработке изделия образуется интер металлид MoSi2, преграждающий доступ воздуха к изделию. [45]
Страницы: 1 2 3 4