Защитный диод

Cтраница 1

Защитный диод служит для уменьшения просачивания высокочастотных колебаний в цепь модулятора; это необходимо для его устойчивой работы. [1]

Защитные диоды необходимо располагать на плате в непосредственной близости от выводов 31 и 32 микросхем. [2]

Проверка исправности защитных диодов призводится при установке отпаек на трансреакторе TAV1 1 - 1 ( максимальное число витков) при плавном увеличении тока до 5 / ном - Напряжение измеряется на разомкнутой накладке SX3 ( выводы а - в) вольтметром магнитоэлектрической системы. Измеренное на защитных диодах напряжение должно быть не более 2 5 В и не менее 0 1 В, обычно оно лежит в пределах 0 6 - 1 В. [3]

Зависимость надежности реле от различных факторов. [4]

Если не применяются защитные диоды для предотвращения обгорания и эрозии контактов реле, вызываемых индуктивной нагрузкой, то должна быть обеспечена двух-трехкратная стойкость контактных пар к максимально возможной индуктивной нагрузке. [5]

Наличие в интегральных схемах защитных диодов, шунтирующих внешние выводы микросхем, позволяет использовать для оценки качества почти стандартную форму М - характеристики, отклонение от которой свидетельствует о наличии тех или иных аномалий. [6]

Схема генератора электрических колебаний. [7]

Импульс с анодной цепи модулятора через защитный диод Лъ подается на сетку лампы-реле Л5, вследствие этого Л5, запираясь, создает режим генерации колебаний высокой частоты для лампы Л6 на время длительности селекторных импульсов. Форма, величина и стабильность амплитуды высокочастотных импульсов во многом определяются формой, величиной и стабильностью импульсов, посылаемых модулятором. [8]

Перед проверкой электрических характеристик дистанционных органов проверяются защитные диоды и полупроводниковый нуль-индикатор НИ. [9]

Топология входного буфера с защитными диодами, построенного на основе элементов базовой ячейки. [10]

При изготовлении БИС на основе БМК в качестве защитных диодов обычно используются р-п-переходы элементов базовой ячейки. На рис. 2.37 показан пример топологии входного защитного устройства, в котором используются диодные структуры с поликремниевыми электродами ( их роль выполняют затворы) для снижения пробивного напряжения. [11]

Операционный усилитель типа цА702. [12]

В, что часто приводит к необходимости включения защитного диода к инвертирующему входу ОУ относительно нулевого потенциала. [13]

График зависимости энергии Е ь переключения транзистора от величины затворного резистора для IRG4BC30F. [14]

Следует отметить, что если в составе IGBT предусмотрен антипараллельный защитный диод, характеристики которого, в отличие от оппозитного диода MOSFET, намного лучше, то значение Els учитывает и потери обратного восстановления этого диода. Если IGBT не имеет оппозитного диода, потери вычисляются для диода отдельно, исходя из его характеристик. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5