Защитный диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Мало знать себе цену - надо еще пользоваться спросом. Законы Мерфи (еще...)

Защитный диод

Cтраница 3


Прибор состоит из преобразователя напряжения на транзисторах VI, V2, выпрямителя, состоящего из кремниевого выпрямительного блока V3 и конденсатора С1, ограничивающих резисторов R5, R6, накопительных конденсаторов С2, СЗ, импульсной стробоскопической лампы V5, цепи поджига лампы, состоящей из конденсаторов С4, С5 и разрядника F1, защитного диода V4 и переключателя S1 для переключения с режима Бритва на режим Стробоскоп и обратно.  [31]

Стабилитрон Vz определяет величину напряжения на затворе Q3 и, следовательно, ток короткого замыкания. Защитный диод ( Transzorb) типа 1N5660A ограничивает индуктивный выброс напряжения на уровне 110 В. Дроссель L и конденсатор С образуют перед лампой последовательный резонансный контур.  [32]

Отпаять от одного из входных лепестков измерительного механизма соответствующие элементы или проводники. При наличии защитных диодов их также следует отпаять с одной стороны. Эти меры позволят избежать повреждений измерительного механизма при прозвонке цепей прибора омметром, ток в измерительной цепи которого, как правило, значительно превышает ток полного отклонения измерительного механизма. Кроме того, исключается взаимное шунтирующее влияние элементов.  [33]

Напряжение измеряется на разомкнутой накладке ЗН ( выводы а - s) вольтметром магнитоэлектрической системы. Измеренное на защитных диодах напряжение должно быть не более 2 5 В и не менее 0 1 В, обычно оно лежит в пределах 0 6 - 1 В.  [34]

Проверка исправности защитных диодов призводится при установке отпаек на трансреакторе TAV1 1 - 1 ( максимальное число витков) при плавном увеличении тока до 5 / ном - Напряжение измеряется на разомкнутой накладке SX3 ( выводы а - в) вольтметром магнитоэлектрической системы. Измеренное на защитных диодах напряжение должно быть не более 2 5 В и не менее 0 1 В, обычно оно лежит в пределах 0 6 - 1 В.  [35]

В большинстве случаев обгорание и эрозия поверхности контактов реле вызываются индуктивной нагрузкой. Если не применяются защитные диоды, конструкторы должны обеспечить прочность контактов, по крайней мере в два раза выше требуемой, при максимальной индуктивной нагрузке. Применение параллельных контактов для повышения допустимой токовой нагрузки нежелательно, так как замыкание и размыкание таких контактов происходит не одновременно. Если реле не герметизировано, то причиной отказа может быть коррозия контактов. Иногда случаются обрыв-или короткое замыкание в обмотках реле и обычно причиной их являются дефекты производства. Очень трудно избежать небольших: изменений сечения и неоднородностей проволоки небольшого диаметра. Такие неоднородности с относительно высоким сопротивлением могут явиться причиной отказа.  [36]

В большинстве случаев обгорание и эрозия поверхности контактов реле вызываются индуктивной нагрузкой. Если не применяются защитные диоды, конструкторы должны обеспечить прочность контактов, по крайней мере в два раза выше требуемой, при; максимальной индуктивной нагрузке. Применение параллельных контактов для повышения допустимой токовой нагрузки нежелательно, так как замыкание и размыкание таких контактов происходит не одновременно. Если реле не герметизировано, то причиной отказа может быть коррозия контактов. Очень трудно избежать небольших: изменений сечения и неоднородностей проволоки небольшого диаметра. Такие неоднородности с относительно высоким сопротивлением могут явиться причиной отказа.  [37]

Микросхемы представляют собой шесть логических элементов НЕ с буферным выходом. ИС не имеют защитных диодов, подключенных анодами к шине питания, что позволяет подавать на вход микросхем напряжение, превышающее напряжение питания. Поэтому они могут быть использованы для согласования выходных уровней КМОП с входами ТТЛ-схем.  [38]

Микросхема представляет собой шесть логических элементов НЕ с буферным выходом. ИС не имеет защитных диодов, подключенных анодами к шине питания, что позволяет подавать на вход микросхемы напряжение, превышающее напряжение питания. Поэтому она J UL может быть использована для согласования выходных уровней КМОП с входами ТТЛ-схем. Бескорпусная to ИС с гибкими выводами.  [39]

40 Схемы защиты преобразователей от включения с обратной полярностью. [40]

Однако в такой схеме значительные потери мощности рассеиваются в диоде. Поэтому более целесообразно включение защитного диода в цепь обмотки пускового контактора ( реле), входящего в схему преобразователя или установленного во внешней цепи ( рис. 11 - 7, б) и выполняющего дополнительно функции дистанционного управления.  [41]

При работе р-канальных МОП-элементов от отрицательного источника напряжения Ucc важно обращать внимание на следующее обстоятельство: в состоянии НИЗКОГО уровня выход может потреблять значительный ток при напряжении на нагрузке ниже нуля. Со входами ТТЛ благодаря наличию защитных диодов ничего не произойдет, однако КМОП-элементы в такой ситуации могут выйти из строя. С неприятностями подобного рода можно столкнуться, если выходы, предназначенные для управления элементами ТТЛ, использовать для управления БИС на МОП-транзисторах.  [42]

43 Тактируемый О-триггер. [43]

Контактная площадка формируется на толстом слое оксида над изолированной n - областыо для повышения производственной надежности БИС. Рядом с контактной площадкой расположена / 7-область защитного диода, который используется во входном буфере.  [44]

В случае, если антенные реле не обеспечивают достаточной развязки, возникает задача защиты предусилителя от сигнала передатчика. При настройке надо обязательно проверить, не ухудшает ли подключение защитного диода коэффициент шума предусилителя. Катушка Ы содержит два витка посеребренного провода диаметром 1 0 мм.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5