Защитный диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
"Человечество существует тысячи лет, и ничего нового между мужчиной и женщиной произойти уже не может." (Оскар Уайлд) Законы Мерфи (еще...)

Защитный диод

Cтраница 4


46 Изменение вольт-амперных характеристик полупроводникового диода в зависимости от температуры. 1 - 65 С. 2 - 20 С.| Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода типа 1N4148 ( 7 и биполярного транзистора типа ВС108 ( 2. [46]

Кривая транзистора в области малых токов имеет большую крутизну, таким образом, реализованный на нем измерительный преобразователь будет иметь бо лыпую чувствительность, для повышения которой следует выбрать транзистор с высоким коэффициентом усиления по току и малым обратным током. Благодаря такой характеристике транзисторы этого типа часто используются в качестве защитных диодов во входных цепях различных электронных устройств, поскольку при напряжении около 0 5 В они практически не оказывают влияния на входное сопротивление устройства, к которому подключаются.  [47]

С целью предупреждения нарушений отрицательное напряжение должно быть ограничено и по амплитуде, и во времени. Для этого параллельно линии в начале либо в конце ее включается защитный диод Дг, получивший название клипперного. При этом напряжение на приборе и в линии не превосходит десятков вольт.  [48]

При этом выводы 40 и 37 ( NMOS-транзисторы с открытым стоком) снабжены дополнительными защитными диодами на положительный полюс источника питания.  [49]

50 Способ защиты от влияния паразитной индуктивности монтажа.| Способ включения диодов TRANSIL.| Вольт-амперная характеристика диода TRANSIL. [50]

И все же отличие TRANSIL от стабилитронов существенно - время их срабатывания составляет несколько пикосекунд. При этом, несмотря на крохотные габариты ( длина около 10 мм), защитные диоды способны поглощать импульсы огромной мощности.  [51]

Обычный входной каскад опять-таки представляет собой р-канадьную дифференциальную пару со смещением от источника тока, работающую на нагрузку в виде токового зеркала на биполярных транзисторах. Так как МОП-транзистор легко может быть поврежден статическим электричеством, в схему входа добавлены защитные диоды.  [52]

53 Полные временные диаграммы блокинг-генератора со стабилизирующим смещением. [53]

Импульс разрядного тока ограничивается сопротивлением г &. Поскольку малые начальные напряжения нежелательны ( см. выше), последовательно с базой ( до резистора R) включают защитный диод ( рис. 14 - 22), который ограничивает разрядный ток конденсатора даже в случае пробоя эмиттерного перехода.  [54]

55 Схема для формирования сигнала сброса при включении питания. [55]

На рис. 8.93 показана подходящая схема. Последовательно включенный со входом вентиля резистор необходим при использовании КМОП-схем, что позволяет избежать повреждения схемы при отключении питания, так как в противном случае электролитический конденсатор будет пытаться запитать систему через защитный диод входного вентиля КМОП. Хорошей идеей является использование триггера Шмитта ( 4093, 14), благодаря которому снятие сигнала СБРОС происходит чисто.  [56]

В сильноточных импульсных источниках электропитания величина, а соответственно и габариты конденсатора С, увы, получаются достаточно большими. С появлением на рынке защитных диодов TRANSIL задача значительно упростилась. Это, конечно, не значит, что можно уже навсегда забыть про индуктивность монтажа, но, по крайней мере, вспоминать о ней гораздо реже.  [57]

Это значение также не должно превышать допустимого напряжения, что практически нельзя обеспечить в случае дрейфовых транзисторов, у которых пробивное напряжение эмиттер - база обычно лежит в пределах 1 - 2 В. Если в цепь базы включен защитный диод ( см. рис. 15 - 22), то такое перенапряжение несущественно. Если же диода нет или если выброс вообще нежелателен, то коллекторную обмотку трансформатора шунтируют диодом или цепочкой диод - резистор.  [58]

Эта величина также не должна превышать допустимого напряжения, что практически нельзя обеспечить в случае дрейфовых транзисторов, у которых пробивное напряжение эмиттер - база обычно лежит в пределах 1 - 2 в. Если в цепь базы включен защитный диод ( см. рис. 14 - 22), то такое перенапряжение несущественно. Часто этот метод используется в случае бездрейфозых транзисторов.  [59]

Конденсатор С, успевший зарядиться до напряжения L / CI EI - U0, начинает теперь разряжаться через источник e ( t) и резисторы R и Ri. Обычно такие значения отрицательного напряжения недопустимы. В том случае, когда такой защитный диод имеется в составе самого логического элемента Эг, подключение внешнего диода излишне. Постоянная времени разрядной цепи и амплитуда отрицательного выброса резко уменьшаются.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5