Гексагональный слой

Cтраница 2

Оба этих соединения, аналогично описанным выше, имеют моноклинную решетку, параметры а, Ь к с которой возрастают при переходе отбромо-и иодопроизводному. Катионы Си2 образуют деформированные гексагональные слои и находятся в двух разных координациях: в одном случае они окружены четырьмя ОН-группами, расположенными по углам слегка деформированного квадрата, и двумя ионами галогена на несколько большем расстоянии, а во втором случае они имеют также октаэдрическое окружение, но только одна вершина октаэдра занята ионом галогена. Таким образом, неустойчивая в твердом состоянии система Си2 1 - Р в структуре Си2 ( ОН) 3 I стабилизирована наличием ОН-групп. При этом расстояние Си - I увеличивается. [16]

Зависимость физических свойств углеродного волокна от температуры обработки Г134 ]. [17]

Образование ароматических фрагментов в гидратцеллюлозном волокне из глюкозидных остатков начинается с 400 С. Образующиеся на их основе гексагональные слои растут и совершенствуются в объеме области когерентного рассеяния. При 500 С они состоят в среднем из 8 - 10 слоев и их число практически не изменяется в материале при его обработке до 900 С. Однако при этом протяженность слоев увеличивается в 1 5 раза, а расстояние между фрагментами соответственно уменьшается с 0 386 до 0 356 нм. В полученном при 900 С волокне гексагональные слои далеки от графитоподобных, на что указывает средняя длина связи между атомами, равная 0 139 нм. После термообработки при 2500 С структура все еще остается турбостратной: гексагональные слои взаимно не ориентированы, хотя и обладают достаточно высокой степенью совершенства. Термообработка такого волокна при 2900 С оставляет структуру турбостратной. [18]

Изменение формы кристалла происходит в результате того, что частицы сдвигаются вдоль плоскостей скольжения. Можно ожидать, следовательно, что скольжение одного гексагонального слоя относительно другого будет происходить легче. На микрофотографии металла, подвергнутого растяжению, часто можно обнаружить следы таких плоскостей скольжения. [19]

С увеличением отношения Hg: N становятся возможными двух - и трехмерные комплексы. В HggNHBr2 [8] 3 / 4 атомов Hg образуют гексагональные слои состава ( NH) 2Hg3, в которых каждый атом N связан с. Hg и одним Н ( рис. 26.8 0); оставшиеся атомы Hg расположены между слоями и окружены тремя лежащими в одной плоскости атомами Вг на расстоянии 2 6 0 1 А, и двумя на расстоянии 3 08 А, дополняющими координационный полиэдр Hg до тригональнон бипира-миды. [20]

Это связано с тем, что электронные облака атомов цинка и кадмия не обладают сферической симметрией и вытянуты вдоль оси с. Подобное явление приписывается возникновению между атомами, расположенными в гексагональных слоях, ковалентной составляющей связи. [21]

Причина неграфитируемости ряда веществ ( коксы полиакрилонитрила, поливинилиденхлорида, целлюлозы) при термообработке до 3000 С окончательно не выяснена. Полагают, что существенную роль играет характер взаимной ориентации углеродных слоев и кристаллитов, природа связей в боковых цепочках, соединяющих гексагональные слои. Прочные связи препятствуют азимутальному повороту и сближению атомных углеродных слоев в пакетах, а также ликвидации поворотных дефектов в кристаллитах. В результате образуются переходные формы углерода с разной предельной стенанью графитизации или вовсе неграфи-тирующаяся форма. Степень графитизации при высокотемп-рной обработке ( 2800 - 3000 С) коксов феноло-альдегидных резитов растет, напр. Благоприятно сказывается на степени графитнзации применение давления. [22]

Причина неграфитируемости ряда веществ ( коксы полиакрилонитрила, поливинилиденхлорида, целлюлозы) при термообработке до 3000 С окончательно не выяснена. Полагают, что существенную роль играет характер взаимной ориентации углеродных слоев и кристаллитов, природа связей в боковых цепочках, соединяющих гексагональные слои. Прочные связи препятствуют азимутальному повороту и сближению атомных углеродных слоев в пакетах, а также ликвидации поворотных дефектов в кристаллитах. В результате образуются переходные формы углерода с разной предельной степенью графитизации или вовсе неграфи-тирующаяся форма. Степень графитизации при высокотемп-рной обработке ( 2800 - 3000 С) коксов феноло-альдегидных резитов растет, напр. Благоприятно сказывается на степени графитизации применение давления. [23]

Изменение формы кристалла происходит в результате того, что частицы сдвигаются вдоль плоскостей скольжения. Так, металлический цинк имеет гексагональную плотнейшую упаковку, схематически показанную на рис. 17.1. Расстояние между гексагональными слоями атомов несколько превышает расстояние, соответствующее идеальной плот-нейшей упаковке - расстояние между соседними атомами цинка в одном и том же гексагональном слое составляет 266 пм, тогда как расстояние между атомами соседних слоев равно 291 пм. Можно ожидать, следовательно, что скольжение одного гексагонального слоя относительно другого будет происходить легко. Если монокристаллу цинка придать форму проволоки круглого сечения ( с гексагональными слоями) и затем тянуть ее за концы, то проволока вытянется в ленту благодаря скольжению ее частиц вдоль гексагональных плоскостей, как показано на рис. 17.10. На микрофотографии металла, подвергнутого растяжению, часто можно обнаружить следы таких плоскостей скольжения. [24]

Изменение формы кристалла происходит в результате того, что частицы сдвигаюся вдоль плоскостей скольжения. Так, металлический цинк имеет гексагональную плотнейшую упаковку, схематически показанную на рис. 17.1. Расстояние между гексагональными слоями атомов несколько превышает расстояние, соответствующее идеальной плот-нейшей упаковке, - расстояние между соседними атомами цинка в одном и том же гексагональном слое составляет 2 66 А, тогда как соответствующее расстояние в прилегающих слоях равно 2 91 А. Можно ожидать, следовательно, что скольжение одного гексагонального слоя относительно другого будет происходить легко. Если монокристаллу цинка придать форму проволоки круглого сечения ( с гексагональными слоями), как показано слева на рис. 17.18, 1, и затем тянуть ее за концы, то проволока вытянется в ленту благодаря скольжению ее частиц вдоль гексагональных плоскостей, как показано в правой части рис. 17.18. На микрофотографии металла, подвергнутого растяжению, часто можно обнаружить следы таких плоскостей скольжения. [25]

Вы видите, как с повышением температуры разрушается правильная укладка шаров. Так как один гексагональный слой входит в сравнительно мелкие лунки другого, слои оказываются слабо связанными, в них легко может возникать скольжение. Попробуйте двигать один гексагональный слой по другому и вы убедитесь, что существуют три направления легкого скольжения, в которых слои передвигаются как целое. То же самое имеет место в кристаллах. Скольжением в этих трех направлениях объясняются особенности пластической деформации кристаллов. [26]

Разделение соединений с различной электронной структурой. [27]

Графитированная термическая сажа ( ГТС) представляет собой непористый ( в микроскопическом отношении), инертный и устойчивый к высокой температуре адсорбент с физически и химически однородной поверхностью) и высокой удельной поверхностной энергией. Она состоит только из атомов углерода и имеет структурные параметры графита. Расстояние между соседними атомами углерода в гексагональном слое составляет 0 1418 нм, а между слоями 0 3395 нм. При адсорбции на базисной плоскости графита электроны проводимости не играют существенной роли [1], так что адсорбция любых молекул осуществляется в основном за счет дисперсионных сил, а следовательно, по классификации Киселева этот адсорбент можно отнести к I типу. [28]

Страницы: 1 2 3