Cтраница 3
При объяснении влияния подслоя на ориентировку следующих слоев следовало бы различать два случая, соответствующие связанности и несвязанности поверхностных кристаллов с кристаллами исходного вещества. Второй случай может иметь место при самостоятельном зарождении и независимом росте поверхностных кристаллов, отделенных от кристаллов исходного вещества слоем водорода. В начальной стадии их роста на подслое должны образовываться сначала двухмерные гексагональные слои с плотнейшей шаровой упаковкой атомов никеля; затем на них будут вырастать следующие, такие же, слои. Это соответствовало бы ориентировке кристаллов осью [111] нормально к поверхности, чем и могло бы быть объяснено присутствие двух осей текстуры разной интенсивности на электронограмме. [31]
Мы уже упоминали о слоях, образованных шести -, четырех - и гюсьмичленнымн кольцами. В пироксенах и амфиболах цепи SiO3 и Si4On ( соответственно) непосредственно связаны друг с другом ионами металла, но в большинстве силикатов, содержащих слои, состоящие из связанных между собой тетраэдров, положение не так просто. В апофиллите слои ( четырех - и восьмпчленные кольца) связаны друг с другом этим простым способом. Но гексагональные слои, характерные для глинистых минералов и слюд, никогда не встречаются как простые элементы структуры. Вместо этого мы находим сложные слои, состоящие из одного или двух слоев кремний - кислород и из слоев гидроксильных групп, связанных друг с другом атомами магния или алюминия. [32]
Слабое взаимодействие между слоями, имеющее металлический характер, обусловлено наличием некоторой концентрации свободных валентных электронов. Модификация ( i-урана имеет сложную тетрагональную слоистую структуру, сходную со структурой о-фазы. Она построена из двух типов плоских слоев с особой гексагональной упаковкой, разделенных соединительными волнистыми слоями с малой плотностью упаковки. В гексагональных слоях часть атомов имеет четырех соседей на расстоянии 2 59 А, а часть - по три соседа на несколько большем расстоянии. Это указывает на сохранение сильных двухэлектронных ковалентных связей в слоях, образованных разделением пар электронов, и на разрыв одной из связей вследствие термической ионизации. Обе низкотемпературные модификации вследствие наличия ковалентных связей отличаются пониженной пластичностью и сильной анизотропией свойств. Объемно-центрированная кубическая структура f - урана, типичная для большинства металлов, весьма пластична ввиду разрушения сильных валентных связей при повышении температуры. Вследствие электронной концентрации 3 эл / атом она более пластична, чем р-модификации титана, циркония и гафния ( 4 эл / атом), но более прочна, нежели щелочноземельные металлы, у которых концентрация составляет 2 эл / атом. [33]
Вы видите, как с повышением температуры разрушается правильная укладка шаров. Так как один гексагональный слой входит в сравнительно мелкие лунки другого, слои оказываются слабо связанными, в них легко может возникать скольжение. Попробуйте двигать один гексагональный слой по другому и вы убедитесь, что существуют три направления легкого скольжения, в которых слои передвигаются как целое. То же самое имеет место в кристаллах. Скольжением в этих трех направлениях объясняются особенности пластической деформации кристаллов. [34]
Причем нижний и верхний пределы Nt соответствуют минимальной и максимальной плотностям регулярных структур: D - 0 34 и 0 74 соответственно. В работе [7] описан метод визуализации агрегатов частиц, входящих в первую координационную сферу ( рис. 5), что позволило различать те или иные характерные особенности структуры упаковок. У них отчетливо видна структура плотнейшей упаковки с разным числом точечных дефектов - вакансий, не занятых шарами. Агрегаты удобно было рассматривать, ориентируя их наиболее заселенный гексагональный слой, содержащий до 7 частиц, в горизонтальное положение. [35]
Образование ароматических фрагментов в гидратцеллюлозном волокне из глюкозидных остатков начинается с 400 С. Образующиеся на их основе гексагональные слои растут и совершенствуются в объеме области когерентного рассеяния. При 500 С они состоят в среднем из 8 - 10 слоев и их число практически не изменяется в материале при его обработке до 900 С. Однако при этом протяженность слоев увеличивается в 1 5 раза, а расстояние между фрагментами соответственно уменьшается с 0 386 до 0 356 нм. В полученном при 900 С волокне гексагональные слои далеки от графитоподобных, на что указывает средняя длина связи между атомами, равная 0 139 нм. После термообработки при 2500 С структура все еще остается турбостратной: гексагональные слои взаимно не ориентированы, хотя и обладают достаточно высокой степенью совершенства. Термообработка такого волокна при 2900 С оставляет структуру турбостратной. [36]
Образование ароматических фрагментов в гидратцеллюлозном волокне из глюкозидных остатков начинается с 400 С. Образующиеся на их основе гексагональные слои растут и совершенствуются в объеме области когерентного рассеяния. При 500 С они состоят в среднем из 8 - 10 слоев и их число практически не изменяется в материале при его обработке до 900 С. Однако при этом протяженность слоев увеличивается в 1 5 раза, а расстояние между фрагментами соответственно уменьшается с 0 386 до 0 356 нм. В полученном при 900 С волокне гексагональные слои далеки от графитоподобных, на что указывает средняя длина связи между атомами, равная 0 139 нм. После термообработки при 2500 С структура все еще остается турбостратной: гексагональные слои взаимно не ориентированы, хотя и обладают достаточно высокой степенью совершенства. Термообработка такого волокна при 2900 С оставляет структуру турбостратной. [37]