Cтраница 2
В противоположность перегруппировке Чапмана перегруппировка Ландера межмолекулярна. Недавно Арбузов [71 ] использовал межмолекулярный характер этой реакции при реакции алкиловых имидоэфиров с различными алкилгалогенидами. [16]
Строение двойного электрического слоя по Гун - Чапману. молекулярная картина ( а и изменение потенциала с расстоянием от поверхности металла в глубь раствора ( б. [17] |
Работы Гун и Чапмана были опубликованы раньше и послужили одним из толчков к созданию теории Дебая - Гюккеля. [18]
В противоположность перегруппировке Чапмана перегруппировка Линдера межмолекулярна. Недавно Арбузов 1711 исполыюнал межмолекул яр ный характер этой реакции при реакции алкиловых имидоэфйров с различными алкнлгалогенидами. [19]
Строение двойного электрического слоя по Гун - Чапману. молекулярная картина ( а и изменение потенциала с расстоянием от поверхности металла в глубь раствора ( б. [20] |
Работы Гун и Чапмана были опубликованы раньше из толчков к созданию теории Дебая - Гюккеля. [21]
Теория Гун - Чапмана позволяет рассчитывать разность потенциалов ф между какой-либо точкой с координатой х - х2 и точкой в объеме раствора. [22]
Строение двойного электрического слоя по Гун. [23] |
Работы Гун и Чапмана были опубликованы раньше и послужили одним из толчков к созданию теории Дебая - Гюккеля. [24]
Сопоставление ( а экспериментальной и ( б теоретической ( по теории Гун - Чапмана кривых дифференциальной емкости для 0 001 н. NaF. [25] |
Теория Гун - Чапмана не объясняет, однако, такие опытные факты, как изменение знака - потенциала и перезарядку поверхности металла. Знак - потенциала по этой теории должен быть всегда таким же, как у общего скачка потенциала металл - раствор. [26]
Строение двойного электрического слоя по Гун - Чап. [27] |
Работы Гун и Чапмана были опубликованы раньше и послужили одним из толчков к созданию теории Дебая - Гюккеля. [28]
Строение двойного электрического слоя по Штерну. [29] |
Теория Гуи - Чапмана оправдывается лучше всего тем, где теория Гельмгольца оказывается неприложимой, и, наоборот, последняя дает лучшую сходимость с опытом в тех случаях, когда первая дает неверные результаты. Следовательно, строению двойного электрического слоя должно отвечать некоторое сочетание моделей, предложенных Гельмгольцем и Гуи - - Чапманом. [30]