Конструкция - транзистор
Cтраница 1
Конструкция транзисторов, как правило, позволяет использовать их в условиях повышенных вибрационных и ударных перегрузок. Задача конструирования термодатчика сводится к обеспечению надежного механического крепления транзистора при минимальном увеличении его инерционности. [1]
 |
Германиевый транзистор П4БЭ. [2] |
Конструкция транзистора П4БЭ является типичной для мощных приборов такого рода, применяющихся в электрооборудовании автомобилей. Коллектор таким образом присоединен к корпусу. Тепло, выделяющееся в транзисторе, отводится в основном через медный вкладыш 2, корпус / и теплоотвод. Теплоотводом служит деталь, к которой крепится транзистор. Как правило, теплоотвод изготовляется из металла, обладающего большой теплопроводностью, и имеет значительную поверхность охлаждения. [3]
Конструкция транзистора 2Т950Б обеспечивает отпайку фланца от корпуса и не менее чем трехкратную перепайку транзистора на монтажную поверхность гибридных схем при температуре напайки не выше 200 С в течение времени не более 8 с на каждую пайку. [4]
 |
Сечение ( а и план ( б участка ИС с инжекционным питанием.| Полевой транзисторе индуцированным каналом р-типа. [5] |
В конструкции МДП транзистора, показанной на рис. 3 - 4, предусмотрены специальные конструктивно-технологические меры, позволяющие улучшить его усилительные свойства. [6]
Преимущества конструкции транзистора такого типа перед обычным сплавным транзистором, имеющим толщину базы W, очевидны: при той же толщине базы и площади коллекторного перехода данный триод будет иметь значительно более высокие рабочие напряжения и меньшую емкость коллектора. [7]
Существуют также конструкции транзисторов типа МДМП ( металл - диэлектрик - металл - полупроводник), в которых ин-жекция горячих электронов в металлическую базу осуществляется путем их туннелирования из металлического электрода через тонкий слой диэлектрика. [8]
 |
Энергетическая схема и распределение токов в транзисторе п-р - п типа. [9] |
В основу конструкции транзистора также положены свойства р-п перехода. На рис. 1 - 3 приведена энергетическая схема транзистора п-р - п типа. [10]
Но вследствие несимметричной конструкции транзистора это приводит к уменьшению коэффициента усиления по току. При этом дырочный ток диффундирует через базу в направлении от коллектора к эмиттеру. [11]
 |
Диффузионный тран-вистор, установленный на монтажной плате.| Эквивалентная схема дискретного транзистора. [12] |
Конструкция диода аналогична конструкции транзистора. [13]
 |
Структура плоскостного транзистора и его условное обозначение. [14] |
Одной из особенностей конструкции транзистора является то, что сопротивление эмиттерной области выбирается во много раз меньше, чем базовой; для конструкции типа р - п - р это означает, что концентрация дырок в эмиттерной области много больше, чем в базовой. Если бы концентрации были равны, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. Так как концентрация дырок в эмиттере очень высокая, практически весь эмиттерный ток состоит из дырок, инжектированных в базу. [15]
Страницы: 1 2 3 4