Конструкция - транзистор
Cтраница 4
Время пайки должно быть минимальным, чтобы не нагреть внутренние соединения и детали конструкции транзистора. [46]
Время пайки должно быть минимальным, чтобы не нагреть внутренние соединения и детали конструкции транзистора. С этой же целью выводы паяют на достаточном расстоянии от корпуса. Припой должен иметь температуру плавления не выше 150 С. Изгиб выводов транзистора на расстояниях, меньших, чем предусмотрено техническими условиями, недопустим. Если точка изгиба находится слишком близко к стеклянным изоляторам, последние могут быть повреждены и герметичность транзистора будет нарушена. Чтобы не повредить проводящего покрытия выводов, изгиб их делают плавным, радиусом не менее 0 8 мм. [47]
При работе транзистора на достаточно высоких частотах могут иметь большое значение паразитные индуктивности и емкости конструкции транзистора. [48]
 |
Моделирующая схеиа для области СВЧ. [49] |
Эти схемы более или менее полно отражают как процессы в ОТМ, так и пассивные элементы конструкции транзистора, которые были описаны выше. [50]
Исследования показали, что для создания микромощных логических ИМС нужны специальные транзисторы, конструкция которых отличается от конструкции транзисторов средней мощности. [51]
Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции транзисторов. [52]
Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы, обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзистора с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора. [53]
При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [54]
Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы, обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзистора с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора. [55]
При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [56]
Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы, обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзистора с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора. [57]
При монтаже не допускается использование материалов, вступающих в химическое и электрохимическое взаимодействие с защитным покрытием и другими элементами конструкции транзистора. [58]
Допускаются другие методы монтажа транзисторов в микросхемы, обеспечивающие надежный тепловой контакт подложки транзистора с корпусом микросхемы и целостность конструкции транзистора. [59]
Конструкция резистора переменной величины имеет пространственный заряд ( области, ограниченная пунктирной линией и слоем р-типа) и напоминает конструкцию транзистора. [60]
Страницы: 1 2 3 4