Омический контакт

Cтраница 3

Омический контакт коллектора создается по всей нижней поверхности пластины. [31]

Технологически омические контакты с промежуточным слоем полупроводников выполняются так же, как и электронно-дырочные переходы, методом сплавления или диф - фузией примесей, с той только разницей, что для электронного полупроводника берутся металлы или их сплавы не с акцепторными, а с донорными свойствами. [32]

Эффект Холла. [33]

Подробно омические контакты будут рассмотрены в разд. В данном случае достаточно под омическим контактом нюшшать невыпрямляющий контакт. [34]

Омический контакт металлов и полупроводников. В полупроводниковой электронике часто бывает нужно осуществить между металлом и полупроводником контакт, через который носители тока в обоих направлениях проходили одинаково легко. Такой контакт называют омическим. Падение напряжения на омическом контакте не зависит от направления тока, и он, очевидно, не обладает выпрямляющим действием. [35]

Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в полупроводник. Может показаться, что это определение является все го лишь окольным путем для описания контакта, в котором зоны загнуты так, что концентрация носителей вблизи контакта понышена по сравнению с остальным объемом полупроводника. Однако это определение включает также случай, описанный в § 2, где сильно поглощаемый свет высокой интенсивности обеспечивал наличие омического контакта даже в отсутствие такого загиба зон. Кроме того, запирающий контакт, если он достаточно тонок, чтобы сделать возможным туннельное просачивание носителей из металла в полупроводник, действует подобно омическому контакту, по крайней мере в том смысле, что для него соблюдается закон Ома и должны наблюдаться также токи, ограниченные объемным зарядом. В этом случае к обедненному слою достаточно приложить очень малое напряжение, чтобы обеспечить необходимый туннельный ток, и такой контакт можно рассматривать как квазиомический. Наконец, нейтральные контакты действуют подобно омическим в узком смысле соблюдения закона Ома в области токов, не превышающих тока насыщения эмиссии. Нейтральные контакты не имеют резервуара, концентрация носителей в котором превышает объемную, и, следовательно, они не позволяют получать токи Ограниченные объемным зарядом. [36]

Омическим контактом у наружного n - слоя является сплав, содержащий галлий и мышьяк. Омические контакты наружного и внутреннего р-слоев получают металлизацией кремния путем химического никелирования. [37]

Омическим контактом называют контакт полупроводника с металлом, который обладает линейной ( омической) вольтамперной характеристикой. Омический контакт иногда называют невыпрямляющим. Этот контакт должен быть низкоомным, чтобы уменьшить падение напряжения на нем. [38]

На омический контакт и на анод подается напряжение от источника постоянного тока. [39]

Устройство р-п переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и пла-нарных ( 3. [40]

Чаще всего омические контакты вплавные, полученные путем приплавления к кристаллу тонкой фольги из сплава, содержащего донорную ( для полупроводника - типа) или акцепторную примесь. [41]

Наиболее часто омические контакты с полупроводниками создаются электронно-лучевым осаждением и вакуумным напылением соответствующих металлов с последующим вжиганием пленок в печи в вакууме или атмосфере инертного газа для улучшения адгезии и стабилизации параметров. В связи с этим в последнее время для формирования омических контактов в БИС все больший интерес представляет использование лазерного излучения, которое характеризуется высокой локальностью как по поверхности кристалла, так и по его глубине и, кроме того, может проводиться в любой атмосфере. Спектральный состав лазерного излучения для этих целей выбирается из следующих соображений. Если энергия кванта лазерного излучения hv превышает ширину запрещенной зоны Eg полупроводникового материала, поглощение оптической энергии происходит вблизи поверхности полупроводника. [42]

Создать идеальный омический контакт очень сложно, так как на границе полупроводника с металлом всегда имеются запирающие слои и контактное сопротивление поэтому часто оказывается больше, чем сопротивление полупроводника. [43]

Создать идеальный омический контакт, полностью отвечающий всем этим требованиям, невозможно. Таким образом, омические контакты представляют собой, вообще говоря, большее или меньшее приближение к идеальному омическому контакту. [44]

Создание омического контакта через напыленную металлическую пленку широко применяется как в лабораторных, так и в зя-водских условиях. [45]

Страницы: 1 2 3 4