Омический контакт
Cтраница 4
Применение омического контакта ( с противоположного конца от р-га-перехода) вместо антизапирающего приводит к увеличению участка с ОС. [46]
Получение омического контакта на точно заданной области полупроводникового кристалла осуществляется следующим образом. На кристалле кремния создают окисную пленку путем нагревания кристалла в течение 15 мин при 1300 С в атмосфере водяных паров. Применяя маску из воска, стравливают окисный слой с заданной области кристалла. [47]
Создание омических контактов при исследовании физических явлений в полупроводниках представляет очень важную, однако крайне трудную задачу. Поскольку создание омического контакта не всегда возможно, то для того, чтобы исключить роль контактных явлений на результаты измерений, в физике полупроводников широко применяют компенсационные методы исследования, благодаря чему ток через контакт не проходит и, следовательно, контактные явления не сказываются на результатах измерений. [48]
Создание омических контактов при исследовании физических явлений в полупроводниках представляет очень важную, однако крайне трудную задачу. Поскольку создание омического контакта не всегда возможно, то для того, чтобы исключить роль контактных явлений на результаты измерений, в физике полупроводников широко применяют компенсационные методы исследования, благодаря чему ток через контакт не проходит и, следовательно, контактные явления не сказываются на результатах измерений. [49]
К омическому контакту предъявляется ряд специальных дополнительных требований: механическая прочность, хорошая теплопроводность, обеспечение одинакового значения коэффициентов расширения у металла и полупроводника ( для обеспечениях прочности при температурных изменениях), а также отсутствие инжекции. [50]
 |
Схема контактов к пла-нарным приборам. 1 - вывод. 2 - контакт. 3 - слой диэлектрика а. [51] |
Под омическим контактом понимают контакт металл - полупроводник, обладающий линейной вольт-амперной характеристикой, в котором не происходит инжекции неосновных носителей. Омическими контактами обеспечивается каждый полупроводниковый прибор или ИМС для осуществления электрической связи между их элементами и внешней цепью. [52]
Для создания омических контактов к соответствующим областям элементов фотоприемников используют вакуумное напыление металлов. В большинстве случаев для кремниевых приборов применяют алюминий. [53]
Для создания омических контактов к полупроводниковым приборам используют как чистые металлы, так и сплавы. Температуру плавления электродных сплавов для омических контактов выбирают несколько ниже температуры плавления электродных сплавов для получения р - п-переходов. [54]
 |
Схема электрическая принципиальная полупроводниковой ИС - логического элемента со сложным инвертором. [55] |
Для образования омических контактов металл-полупроводник через окна фотошаблона наносится слой алюминия методом термического испарения в вакууме. Для образования внутрисхемных соединений между элементами данной ИС удаляют методом фотогравировки алюминий между контактами, соединяющими эти элементы. [56]
Для осуществления омических контактов на кремнии применяют также родий. Этот металл наносится на шероховатую поверхность кремния в сернокислой или фосфатной ванне. [57]
Для обеспечения омического контакта в окисле над областями истока и стока протравливаются окна, которые затем металлизируются. Металлизацией создается также область затвора, расположенная между областями истока и стока. [58]
Величина сопротивления омического контакта должна быть как можно меньшей, чтобы не вызывать излишних потерь мощности и снижения эффективности полупроводникового прибора. [59]
Каково назначение омических контактов и как их изготовляют. [60]
Страницы: 1 2 3 4