Кристалл - карбид - кремний
Cтраница 1
Кристаллы карбида кремния срастаются друг с другом, причем процесс сращивания интенсифицируется по мере приближения от периферии печи к нагревателю. Срастаясь, кристаллы образуют цепочки, радиально расходящиеся от нагревателя в плоскостях, перпендикулярных его продольной оси. Цепочки, в свою очередь, срастаясь друг с другом боковыми поверхностями кристаллов, образуют слой, расположенный концентрически вдоль нагревателя и охватывающий его подобно трубе. Кристаллы внутренней части этого слоя, прилегающие к нагревателю, срастаются в почти сплошную массу. [1]
Кристаллы карбида кремния подвергают дроблению в полиэтиленовой пленке, после чего просеивают их через сито. Стакан с раст - вором и кристаллами постепенно нагревают на электрической плит - ке до кипения, после чего кислоту сливают, кристаллы 8 - 10 раз промывают водой, а потом 2 - 3 раза спиртом и высушивают. Сме - шивают 40 мг карбида кремния с 40 мг графитового порошка, со - держащего хлористый натрий. [2]
Кристаллы карбида кремния выращивают при 2500 в графитовых тиглях; при легировании азотом получается материал гс-типа. Сложная и трудоемкая высокотемпературная технология получения кристаллов и р - га-переходов на карбиде кремния делает этот материал очень дорогим, по сравнению с соединениями АШВУ. [3]
Кристаллы карбида кремния с удельным сопротивлением ( 0 02 - 0 3) - 10 - 2 ом-м сошлифовывают параллельно граням ( 0001) до толщины порядка 0 3 мм: Для создания p - n - переходов в монокристаллические пластинки производится диффузия бора. Диффундирующие атомы бора в карбиде кремния с электропроводностью n - типа являются не только компенсирующими примесями, но и активаторами электролюминесценции. [4]
Кристаллы карбида кремния были получены из раствора на основе Si - С, Fe - Si - С, Al - Si - С [3 - 5 ], однако избежать значительного проникновения атомов растворителя в решетку кристаллов карбида кремния не удалось. [5]
Кристаллы карбида кремния выращивают в цилиндрическом графитовом тигле, состоящем из стакана с крышкой и тонкостенного цилиндра ( диафрагмы), вставленного в стакан. Диафрагма служит для образования зоны роста кристаллов и одновременно является подложкой. Толщина диафрагмы составляет 0 15 - 0 20 мм. Радиальные отверстия имеют диаметр порядка 0 8 мм. [6]
Кристаллы карбида кремния были получены из раствора на основе Si - С, Fe - Si - С, Al - Si - С [3 - 5], однако избежать значительного проникновения атомов растворителя в решетку кристаллов карбида кремния не удалось. [7]
Кристаллы карбида кремния выращивают в цилиндрическом графитовом тигле, состоящем из стакана с крышкой и тонкостенного цилиндра ( диафрагмы), вставленного в стакан. Диафрагма служит для образования зоны роста кристаллов и одновременно является подложкой. Толщина диафрагмы составляет 0 15 - 0 20 мм. Радиальные отверстия имеют диаметр порядка 0 8 мм. [8]
Кристаллы карбида кремния кубической модификации встречаются в производстве карбида кремния только в низкотемпературных зонах печи и представлены очень мелкими экземплярами, размером в несколько микрон, не позволяющими определить их форму прямым измерением гониометром. Вследствие этого указанный продукт печи ранее считался аморфным, принадлежность его к кристаллическому телу и к кубической симметрии была установлена только рентгенографически сравнительно недавно. [9]
 |
Тигель для выращивания кристаллов карбида кремния методом сублимации. [10] |
Кристаллы карбида кремния полупроводниковой чистоты могут быть получены кристаллизацией из растворов в расплаве, термической диссоциацией и восстановлением соединений, содержащих кремний и углерод, а также методом сублимации. При выращивании кристаллов из растворов в расплаве в качестве растворителей применяют Si, Si - f Та, Si Cr, Cr, Sc, Dy и другие редкоземельные элементы. Однако малые скорости роста, загрязнение кристаллов материалом растворителя, включение материала растворителя в виде второй фазы в выращиваемый кристалл и ряд других недостатков не позволяют использовать данный метод для промышленного выращивания кристаллов карбида кремния. [11]
Некоторые кристаллы карбида кремния неоднородны. Внутри монокристаллов встречаются участки с отличной по сравнению с основной массой ориентацией. [12]
Электропроводность кристаллов карбида кремния зависит от примесей и от избытка атомов кремния или углерода над стехио-метрическим составом. [13]
Слоистость кристаллов карбида кремния на грани 10001 может быть иногда обнаружена на глаз. [14]
Теплоемкость кристаллов карбида кремния ( в интервале температур 31 - 98) составляет 0 186 ккал / кг / град. [15]
Страницы: 1 2 3 4