Кристалл - карбид - кремний
Cтраница 3
Структурные и электрофизически характеристики кристаллов карбида кремния в первую очередь зависят от степени совершенства установки, предназначенной для получения кристаллов. [31]
Результаты измерений электрических свойств кристаллов карбида кремния особой чистоты показывают, что классический способ очистки методом сублимации может быть применен без существенного усложнения для получения гораздо более совершенного по содержанию примесей материала, чем это удавалось до проведения данного исследования. [32]
После извлечения из печи куски сросшихся кристаллов карбида кремния дробят, удаляют посторонние примеси и сортируют по номерам зернистости, в зависимости от размеров зерен. [33]
Микронагрев контактирующих точек между кристаллами карбида кремния, приводящий к возрастанию проводимости контактов. При этом количество выделяющегося тепла невелико, и нагрев всего варистора может не наблюдаться. [34]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне 0 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [35]
 |
Карборунд II. [ IMAGE ] Карборунд III.| Карборунд IV. [36] |
Другие описанные в литературе типы кристаллов карбида кремния ( S8C - I, SiC-V, SiC-VI, SiC-VII) нельзя рассматривать в качестве самостоятельных его модификаций, так как в основе их структур лежат те же трехслойные и двухслойные пачки, образующие вдоль гексагональной оси сверхпериоды той или иной протяженности, возникающие в результате ритмичных нарушений роста кристалла ( пропуск или добавление лишних слоев тетраэдров. [37]
При выращивании совершенных по структуре кристаллов карбида кремния необходимо поддерживать температуру рабочего объема с максимальной точностью. [38]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне О, 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [39]
При выращивании совершенных по структуре кристаллов карбида кремния необходимо поддерживать температуру рабочего объема с максимальной точностью. [40]
Большие трудности встречаются при травлении кристаллов карбида кремния SiC. Это обусловлено высокой химической стойкостью данного полупроводника и значительной полярностью ковалентных связей за счет высокой электроотрицательности углерода. В растворах минеральных компонентов травления SiC даже при высоких температурах Fie наблюдается. [41]
 |
Диаграмма энергетических [ IMAGE ] Экспериментальная зависимость. [42] |
Таким образом, электропроводность двух контактирующих кристаллов карбида кремния определяется электропроводностью тонкого обедненного слоя этого материала или р - n - перехода, имеющегося в контактной области. Напряжение оказывается приложенным в основном к этим слоям контактирующих кристаллов. В результате эффектов сильного поля электропроводность слоев начинает зависеть от напряженности электрического поля. [43]
 |
Диаграмма энергетических [ IMAGE ] Экспериментальная зависимость уровней для чистой поверхности Рд / ( U Для одного из типов варисто. [44] |
Таким образом, электропроводность двух контактирующих кристаллов карбида кремния определяется электропроводностью тонкого обедненного слоя этого материала или р - n - перехода, имеющегося в контактной области. Напряжение оказывается приложенным в основном к этим слоям контактирующих кристаллов. В результате эффектов сильного поля электропроводность слоев начинает зависеть от напряженности электрического поля. [45]
Страницы: 1 2 3 4