Кристалл - карбид - кремний
Cтраница 2
Выращивание кристаллов карбида кремния производится также модифицированным методом сублимации: в качестве исходного сырья используют элементарный кремний, а углерод поставляется самой графитовой арматурой печи. Достоинствами этого метода являются возможность получения более чистых кристаллов, а также простота управления пересыщением пара карбида кремния в зоне роста кристаллов. [16]
Легирование кристаллов карбида кремния в процессе их роста из газовой фазы может осуществляться либо при наличии равновесия между состояниями примеси в маточной среде и объеме кристалла, либо при отсутствии такового. Первый случай имеет место при скоростях роста, много меньших скорости диффузии примеси в кристалл. [18]
Для кристаллов карбида кремния a - SiC характерно неравномерное расположение дислокаций в монокристаллах: значение плотности дислокаций в пределах образца может отличаться на два порядка. Очень часто дислокации образуют малоугловые границы. [19]
 |
Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния. [20] |
В кристаллах карбида кремния, легированных бериллием, наблюдается эффективная фото - и электролюминесценция в красной и желтой областях спектра; в кристаллах, легированных скандием, - в желто-зеленой и зеленой областях спектра. [21]
Метод выращивания кристаллов карбида кремния из раствора заключается в следующем: исходные материалы - растворитель и карбид кремния - загружают в тигель и нагревают до температуры несколько выше кривой ликвидуса на фазовой диаграмме, после чего тигель медленно охлаждают. Известно, что растворитель для выращивания кристаллов из раствора должен растворять достаточное количество компонентов, иметь резкую зависимость растворимости от температуры и процесс растворения должен быть обратимым. Кроме того, коэффициент распределения для растворителя должен быть минимальным. [22]
При выращивании кристаллов карбида кремния одной из основных трудностей является защита рабочего объема печи от посторонних примесей. [23]
Метод выращивания кристаллов карбида кремния из раствора заключается в следующем: исходные материалы - растворитель и карбид кремния - загружают в тигель и нагревают до температуры несколько выше кривой ликвидуса на фазовой диаграмме, после чего тигель медленно охлаждают. Известно, что растворитель для выращивания кристаллов из раствора должен растворять достаточное количество компонентов, иметь резкую зависимость растворимости от температуры и процесс растворения должен быть обратимым. Кроме того, коэффициент распределения для растворителя должен быть минимальным. [24]
 |
Эскиз тигля для выращивания кристаллов SiC из раствора Si - С.| Схема получения кристалла SiC способом плавающей зоны. [25] |
При выращивании кристаллов карбида кремния способом плавающей зоны исчезает самопроизвольная кристаллизация и отпадает надобность в использовании тигля, который является основным источником примесей. [26]
При выращивании кристаллов карбида кремния одной из основных трудностей является защита рабочего объема печи от посторонних примесей. [27]
Хотя в кристаллах карбида кремния уже обнаружено более 140 политипных структур, число их, по-видимому, не ограничено. По мере совершенствования методики структурного анализа обнаруживаются все новые и новые политипные структуры, различающиеся как числом слоев, так и порядком их укладки в элементарной ячейке. Установлено, что многообразие политипных структур, как в карбиде кремния, так и в других материалах, обусловлено протеканием в кристаллах твердофазных превращений, обусловленных действием внутренних и внешних источников напряжения. Так как фазовые превращения такого типа наблюдаются у многих веществ, то, как показывают исследования, и явление политипизма довольно широко распространено в природе. В табл. 19.1 представлены важнейшие физико-химические параметры основных политипных структур карбида кремния. [28]
Наличие нескольких модификаций кристаллов карбида кремния позволяет изготовить из него СИД с различной спектральной характеристикой. [29]
Надо отметить, что протравленный кристалл карбида кремния прозрачен, что весьма удобно для визуального контроля за состоянием объема монокристалла при изготовлении диодов. [30]
Страницы: 1 2 3 4