Деформированный кристалл

Cтраница 2

Влияние ориентации кристаллов на кривые деформационного упрочнения. Температура деформации 77 К. По оси ординат напряжение сдвига в благоприятно ориентированной системе скольжения. [16]

Электронно-микроскопические исследования дислокационной структуры деформированных кристаллов обнаруживают влияние ориентации на ее формирование. [17]

Рост кристаллов при нагревании предварительно деформированных кристаллов происходит в результате рекристаллизации. [18]

Удельное сопротивление и удельная поверхность образцов двуокиси марганца.| Форма кристаллов двуокиси марганца ( увеличение в 31 000 раз.| Разрядные кривые щелочных элементов А-343 с ЭДМ-2 и пиролюзитом ( ток 80 мА по 4 ч в сутки. 1 - е ЭДМ-2, 2 - с пиролюзитом. [19]

ЗДМ-2 образуют частицы из многих отдельных равноосных деформированных кристаллов. [20]

Кроме того, расшифровка лауэграмм от деформированных кристаллов, форма пятен которых зависит от многих, не всегда легко поддающихся учету факторов, часто оказывается затруднительной. [21]

Возможность появления специальных эффектов при отжиге деформированных кристаллов обсуждается в разд. [22]

Для изучения геометрии процесса блокообразования в деформированном кристалле каменной соли был использован прием, который удобно называть методом съемки полярных рефлексограмм. [23]

Обреимов и Бриллиантов [32] использовали для исследования деформированных кристаллов каменной соли другой метод, представляющий собой комбинацию рентгеновского и оптического методов. [24]

Такой метод позволяет выявлять дислокационные конфигурации в деформированных кристаллах, поскольку не требует сильного нагрева образца. [25]

Данная система следует из условия положительности свободной энергии деформированного кристалла. При нарушении какого-либо из этих условий кристалл существовать не может. [26]

Физический смысл этого положения очевиден: малые области деформированного кристалла поворачиваются относительно соответствующих областей совершенного кристалла, и поэтому локальные значения s будут иными. [27]

Некоторые аспекты теории химической связи в кристаллах касаются деформированных кристаллов - или кристаллов с дефектами. [28]

В [985] развита общая схема расчета зонной структуры деформированного кристалла с применением теории возмущения. Получены выражения для сдвига экстремумов зон, изменения эффективных масс и g - фак-тора с деформацией. При анализе явлений переноса в кристаллах со структурой цинковой обманки [986] показано, что при наличии ОУД сферически симметричные изоэнергетические поверхности переходят в эллипсоидальные. [29]

Исследование дислокационной структуры горячедеформированного кремнистого железа показало, что деформированные кристаллы полигонизуются и рекристаллизуются неравномерно. Неоднородность дислокационной структуры обнаружена и по сечению сляба. [30]

Страницы: 1 2 3 4