Деформированный кристалл

Cтраница 3

Детальные сведения о поверхностной структуре можно получать непосредственным изучением деформированных кристаллов в электронном микроскопе на просвет или реплик с их поверхности [1;-11], а данные об изменении кристаллографического строения - только при непосредственном изучении в электронном микроскопе в режиме электронной дифракции или тем-нопольного изображения. [31]

Исследование [191] показало сосредоточение диффузионно внедрившейся меди вдоль дислокаций деформированных кристаллов кремния; это объясняется образованием вдоль дислокаций локальных энергетических уровней, которые значительно выше, чем энергетические уровни кристалла с правильной решеткой, в связи с чем для диффузии необходима меньшая энергия активации. [32]

Несмотря на значительно меньшую величину углов поворота блоков, характеризующую деформированные кристаллы кварца по сравнению со слюдой, рефлексы и в этом случае заполнены достаточно большим числом штрихов, которые появляются вследствие отражения рентгеновских лучей от отдельных участков блочного изогнутого кристалла. [33]

Существование напряженных незакристаллизованных участков проходных макромолекул, соединяющих более или менее деформированные кристаллы, - самый основной дополнительный осложняющий фактор. Процесс развития деформации образцов линейных гибкоцепных полимеров имеет часто катастрофический характер, приводя к полной перестройке структуры образца. Например, исходные ламелярные кристаллы в образцах могут под действием достаточно больших напряжений перестраиваться в фибриллярные структуры ( разд. Большие остаточные деформации образцов приводят к тому, что силы высокоэластичности, стремящиеся сократить растянутые участки проходных макромолекул, действуют на кристаллы, которые они соединяют. В равновесных условиях, как было показано в разд. В неравновесных условиях следует также ожидать повышения температуры плавления, но при этом, однако, нужно учитывать локальные эффекты. Например, в некоторых особых условиях, кроме ( или дополнительно) высокоэластй-ческого растяжения проходных молекул, может происходить упругое деформирование кристаллов ( разд. [34]

Тем самым положено основание динамической теории рассеяния рентгеновских лучей в деформированном кристалле. [35]

Совокупность любых самопроизвольных процессов изменения плотности и распределения дефектов в деформированных кристаллах до начала рекристаллизации называют возвратом. Этот собирательный термин, относящийся к весьма разным по своему механизму явлениям, используют в связи с тем, что некоторые свойства наклепанного металла при дорекристаллизационном отжиге частично или полностью возвращаются к значениям свойств перед холодной деформацией. [36]

В 1918 г. мной совместно с М. В. Кирпичевой были опубликованы первые рентгенограммы деформированных кристаллов. [37]

Диаграмма напряжение - удлинение монокристаллов алюминия в неактивной ( / и в активной ( 2 среде ( по П. Л. Ребиндеру. [38]

Действие активной среды проявляется в изменении расположения линий скольжения на поверхности деформированного кристалла. [39]

Гранскии и гчаишев на иазс р ских представлений рассматривают процесс рекристаллизации различно деформированных кристаллов как частный случай полиморфных превращений. Поскольку свободная энергия возрастает по мере увеличения деформации, то в случае различно деформированных кристаллов главным процессом будет рост слабее деформированных кристаллических зерен за счет сильно деформированных. [40]

Это является следствием большей скорости перехода Си в акцепторное состояние в деформированных кристаллах по сравнению с недеформированными. Действительно, перемещаясь по междоузлиям в деформированных кристаллах, атомы Си чаще, чем в недеформированных образцах, встречают вакансии и, ре-комбинируя с ними, переходят в акцепторное состояние. В недеформированных кристаллах или же в кристаллах, свободных от дислокаций, вакансии возникают преимущественно на поверхности кристалла и затем диффундируют в его объем. [41]

Переходим к замечанию, касающемуся диэлектрической постоянной и поляризуемости в общем случае деформированного кристалла. Хотя диэлектрическая постоянная при этом не остается периодической функцией координат, но сохраняется условие (11.2), можно приближенно принимать е ( г) экспоненциальной функцией пт в каждой системе т отражающих плоскостей. [42]

Изменение дислокационной структуры, выравнивание границ и контактных углов при собирательной рекристаллизации зерен. [43]

В работе [8] показано, что склонность к рекристаллизации обычно больше в деформированных кристаллах с менее четко выраженной текстурой деформации, чем в кристаллах с вполне определенной деформационной текстурой. [44]

Схема, поясняющая механизм межзеренного разрушения. [45]

Страницы: 1 2 3 4