Кремниевый кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
В технологии доминируют два типа людей: те, кто разбираются в том, чем не они управляют, и те, кто управляет тем, в чем они не разбираются. Законы Мерфи (еще...)

Кремниевый кристалл

Cтраница 1


Кремниевый кристалл мягким припоем соединен с термокомпенсатором из сплава на основе вольфрама. Компенсатор припаян к никелированному медному кри-сталлодержателю, имеющему резьбовую шпильку для крепления прибора, шестигранное основание под гаечный ключ и тонкий фланец. Сверху к кристаллу припаян свинцовый термокомпенсатор, а к нему - основание гибкого медного вывода. Вывод проходит через трубку, изолированную от корпуса баллона стеклянным изолятором, и герметично соединяется с трубкой посредством импульсной электросварки. Медный кристаллодержа-тель и коваровый баллон герметично соединены между собой холодной сваркой по фланцу.  [1]

Кремниевый кристалл с n - проводимостью прокаливается в парах хлористого бора так, чтобы по всей поверхности образовался тонкий слой кремния с р-прово-димостью, на поверхность наносится полупрозрачный слой золота. Затем к n - слою и р-слою присоединяются невыпрямляющие контакты. Иногда контакт от освещаемой поверхности осуществляют с помощью контактных полос или сетки. Однако при этом уменьшается полезная поверхность фотоэлемента. Рабочая поверхность покрывается защитным ( прозрачным) лаком или стеклом. Возможен вариант фотоэлемента с кристаллом, имеющим дырочную проводимость. В этом случае методом диффузии создается поверхностный слой с проводимостью п-типа.  [2]

Кремниевый кристалл с - проводимостью прокаливается в парах хлористого бора так, чтобы по всей поверхности образовался тонкий слой кремния с р-прово-димостью, на поверхность наносится полупрозрачный слой золота. Затем к n - слою и р-слою присоединяются невыпрямляющие контакты. Иногда контакт от освещаемой поверхности осуществляют с помощью контактных полос или сетки. Однако при этом уменьшается полезная поверхность фотоэлемента. Кристалл помещают в корпус. Рабочая поверхность покрывается защитным ( прозрачным) лаком или стеклом. Возможен вариант фотоэлемента с кристаллом, имеющим дырочную проводимость. В этом случае методом диффузии создается поверхностный слой с проводимостью п-типа.  [3]

Кремниевый кристалл проводимости р-типа имеет поверхностный слой л-типа толщиной 5 мкм, образованный диффузией сурьмы.  [4]

Кремниевый кристалл проводимости р-типа имеет поверхностный слой / г-типа толщиной 5 мкм, образованный диффузией сурьмы.  [5]

Этот маленький кремниевый кристалл выполняет основную интеллектуальную работу, производя арифметические и логические вычисления, кроме того, он содержит в себе устройство управления, координирующее / работу компьютера.  [6]

Выпрямительные свойства кремниевого кристалла описываются эквивалентной схемой ( фиг.  [7]

При подключении к кремниевым кристаллам, помещенным в деионизованную воду, положительного электрода ( анода) и создания между анодом и близко расположенным катодом большой разности потенциалов ( несколько киловольт) происходит диссоциация ( разложение) молекул воды с образованием атомарного кислорода, который при взаимодействии с кремниевым анодом окисляет его, образуя на кристалле довольно плотную пленку SiOa. Пленка отличается высокой влагостойкостью, хорошей термостойкостью, достаточно большой электрической прочностью и выдерживает многократное термо-циклирование.  [8]

Омический контакт между кремниевым кристаллом и молибденовым держателем осуществляется с помощью того же сплава.  [9]

Микропроцессор реализован на кремниевом кристалле размером 10 мм2 в корпусе с 40 выводами. Этот кристалл представляет собой выполненную по n - МОП-технологии БИС, содержащую 5 тыс. транзисторов. Время выполнения операций примерно 15 мкс.  [10]

Приборы, изготовленные на кремниевых кристаллах, нашли применение в ядерной физике, инфракрасной оптике и других областях техники.  [11]

Почти все микропроцессоры изготовляются на кремниевых кристаллах.  [12]

Чаще всего в качестве детектора применяется кремниевый кристалл, функционирующий как микроволновой выпрямитель.  [13]

Керамические микрокорпуса совместимы по ТКЛР с кремниевыми кристаллами. Пластмассовые микрокорпуса имеют гибкие выводы, так как их ТКЛР отличается от ТКЛР печатных плат и кремниевых кристаллов. Благодаря использованию гибких выводов достигается термокомпенсация.  [14]

15 Влияние различных параметров на ход процесса эпитаксиального выращивания. а - зависимость концентрации примеси ( В, Р в эпитаксиальной пленке от числа атомов примеси в зоне источника. б - то же от концентрации примесей в кремнии. [15]



Страницы:      1    2    3    4