Кремниевый кристалл

Cтраница 4

Идея объединения на одном кристалле силовых ключевых приборов и управляющей схемы разрабатывалась с начала 80 - х годов. Но только решение проблемы оптимизации размещения элементов на общей поверхности кремниевого кристалла и применение специальных технологий поверхностного монтажа, а также методов изоляции позволили разработать разумные ключевые устройства, нашедшие самое широкое применение в важнейших областях электроники. И если некоторые идеи SMART-ключей нами будут рассмотрены в дальнейшем, то анализ характеристик и параметров IPM должен, по-видимому, составить отдельное издание. [46]

В интегральной схеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности. В совмещенной схеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [47]

В обычной полупроводниковой микросхеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности из-за тепловых перегрузок. В совмещенной микросхеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [48]

После монтажа кристалла в корпусе необходимо соединить контактные площадки кристалла с выводами корпуса. Соединение золотых и алюминиевых проволочных выводов с контактными площадками на кремниевых кристаллах осуществляется с использованием методов термокомлрессии, ультразвуковой и термозвуковой сварки. [49]

Волномер-это цилиндрический резонатор, длину которого можно регулировать микрометрическим винтом так, чтобы она была равна целому числу полуволн. Когда резонансная частота волномера соответствует частоте падающего излучения, на кремниевом кристалле регистрируется уменьшение мощности. Волномеры обычно калибруются в единицах частоты ( мегагерцах), а не в длинах волн. На шкале, как правило, приводятся деления до 1 МГц, однако точность обычно не превосходит 9 МГц. Если требуется более высокая точность, то микроволновую систему следует дополнить частотомером, позволяющим измерять частоту с точностью 10 кГц и выше. [50]

Гибридная технология ( ГТ), которая использует интегральные и тонкопленочные технологические процессы. В логических элементах, выполненных по ГТ, активные компоненты реализуются на основе кремниевых кристаллов, а для пассивных используются тонкие пленки. [51]

Температурная зависимость сопротивления резисторов с эпитаксиалышм слоем.| Схема получения резисторов осаждением из паровой фазы. [52]

Процесс осаждения похож на выращивание монокристаллических эпитаксиальных слоев. Резисторы могут быть изолированы, так как они создаются на слое двуокиси кремния, пассивирующего базовый кремниевый кристалл. [53]

Жидкостное охлаждение позволит значительно повысить рассеиваемую микросистемами мощность и снизить температуру кристаллов ( пластин), что приводит к повышению надежности. В одном из перспективных методов отвод тепла производится потоком воды через теплоот-водящие пластины, встроенные в кремниевый кристалл. [54]

Керамические микрокорпуса совместимы по ТКЛР с кремниевыми кристаллами. Пластмассовые микрокорпуса имеют гибкие выводы, так как их ТКЛР отличается от ТКЛР печатных плат и кремниевых кристаллов. Благодаря использованию гибких выводов достигается термокомпенсация. [55]

Микропроцессоры и микро - ЭВМ создаются на основе БИС и представляют собой функционально законченные малоразрядные цифровые вычислительные устройства с хранимой в памяти программой. Микропроцессоры и микро - ЭВМ в настоящее время выполняются в основном в виде одного или нескольких кремниевых кристаллов, расположенных на одной печатной плате. [56]

Страницы: 1 2 3 4