Кремниевый кристалл
Cтраница 2
Выделяющийся в ходе реакции кремний осаждается на кремниевый кристалл. При росте выращиваемой пленки повторяется кристаллографическая структура подложки. [16]
Началом производства ИС является получение двухслойной пластинки кремниевого кристалла. Эпитаксиальный слой определяет свойства области коллектора, влияющие на статические и динамические свойства получаемого транзистора. [17]
 |
ЭВМ с МКМД-архитектурой, построенная на транспьютерах Т414, соединенных в тороидальную матрицу. [18] |
Центральный процессор КСНК занимает минимальную площадь на кремниевом кристалле; для повышения скорости выполнения команд используется аппаратная реализация их микропрограмм и большая разрядность каналов передачи информации. Высокая скорость выполнения должна компенсировать увеличение количества команд, выполняемых КСНК при реализации программы, по сравнению с числом команд в программе традиционного компьютера. Длительность командного цикла транспьютера составляет 50 не, а ЦП занимает всего 35 % площади кристалла. [19]
В интегральной схеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности. В совмещенной схеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [20]
Транзистор отличается прочностью ( ведь это кусочек германиевого или кремниевого кристалла, снабженный тремя выводами и помещенный в корпус), малым весом и миниатюрностью. [21]
В обычной полупроводниковой микросхеме вся рассеиваемая мощность выделяется в кремниевом кристалле, что вызывает повышение его температуры и снижение надежности из-за тепловых перегрузок. В совмещенной микросхеме рассеиваемая мощность распределяется между тонкопленочными резисторами и кремниевым кристаллом. [22]
 |
Устройство плоскостного полупроводникового диода.| Устройство точечного. [23] |
В плоскостных диодах ( рис. 108) в германиевый или кремниевый кристалл вплавлен индий. [24]
 |
Устройство плоскостного полупроводникового диода.| Устройство точечного полупроводникового диода. / - выводы. 2 - вольфрамовая игла. 3. [25] |
В плоскостных диодах ( рис. 18) в германиевый или кремниевый кристалл вплавлен индий. [26]
При технологии совмещенных полупроводниковых микросхем активные элементы изготовляют в теле кремниевого кристалла путем эпитаксиального наращивания, фотолитографии и диффузии. [27]
Метод химического осаждения стеклянных покрытий подобен процессам эпитаксиального выращивания слоев на кремниевом кристалле и основан на пиролитическом разложении, окислении и гидролизе. Реакция протекает на поверхности подложки, которая нагревается до температуры, превышающей температуры всех остальных частей аппаратуры для осаждения. [28]
На рис. 242, а представлена внешняя геометрия узла, выполненного на базе кремниевого кристалла и позволяющего получить требуемые электрические характеристики. Чтобы более наглядно показать роль различных областей полупроводникового кристалла, его модель совмещена с соответствующей электрической схемой. Область, имеющая цилиндрическую форму, используется в качестве диода; большая прямоугольная область осуществляет функции конденсатора; узкий прямоугольный брус играет роль резистора. [29]
Моноблок представляет собой отливку из алюминиевого сплава с двумя гнездами, в которых находятся выпрямители - кремниевые кристаллы с р-п переходами, такие же, как в диодах. Корпус моноблока включен посередине между двумя р-п переходами, как показано на схеме. Гнезда с кристаллами залиты эпоксидной смолой. В корпус моноблока залит выводной болт 5, к которому присоединен вывод фазовой обмотки статора. Схема выпрямительного блока полностью соответствует мостовой схеме выпрямления трехфазного тока, которая была рассмотрена в гл. Отрицательная сборная шина 4 присоединена на массу. [30]
Страницы: 1 2 3 4