Бездефектный кристалл

Cтраница 1

Кривые коррозионного ( сульфидного растрескивания его f t, рассчитанные по формуле и экспериментальные данные для сталей марок 08Г2СФТ ( 2 и Ст20 ( 1. [1]

Бездефектный кристалл разрушается при напряжениях ( ате0р), намного превышающих прочности поликристаллов. Такое различие объясняется наличием в поликристаллическом металле дефектов ( дислокации, поры и др.), возникающих в силу особенностей его кристаллизации и физической природы. Поликристалл представляет собой конгломерат различно ориентированных зерен с разными физико-механическими формой и размерами. Границы зерен обладают специфическими свойствами, отличающимися от свойств зерен, и являются источниками образования микроскопических дефектов. Механические характеристики от, ав, и 5 отражают осредненные показатели прочности и пластичности конкретного образца, по которым судят о качестве материала. [2]

Кривые коррозионного ( сульфидного растрескивания сто ОД, рассчитанные по формуле и экспериментальные данные для сталей марок 08Г2СФТ ( 2 и Ст20 ( 1. [3]

Бездефектный кристалл разрушается при напряжениях ( атеор), намного превышающих прочности поликристаллов. СТТСОР - Такое различие объясняется наличием в поли кристаллическом металле дефектов ( дислокации, поры и др.), возникающих в силу особенностей его кристаллизации и физической природы. Поликристалл представляет собой конгломерат различно ориентированных зерен с разными физико-механическими формой и размерами. Границы зерен обладают специфическими свойствами, отличающимися от свойств зерен, и являются источниками образования микроскопических дефектов. Механические характеристики от, CTB Ч и отражают осредненные показатели прочности и пластичности конкретного образца, по которым судят о качестве материала. [4]

Бездефектный кристалл разрушается при напряжениях ( сттеор), намного превышающих прочности поликристаллов. [5]

Бездефектный кристалл разрушается при напряжениях ( Огеор), намного превышающих прочности поликристаллов. Между тем, прочность поликристаллов составляет около ( 0 001 - 0 0 1) Е, что на один-два порядка ниже величины атвау. Такое различие объясняется наличием в поликристаллическом металле дефектов ( дислокации, поры и др.), возникающих в силу особенностей его кристаллизации и физической природы. [6]

Бесцветные прозрачные бездефектные кристаллы применяются для изготовления разл. ФОЛАЦИН ( витамин Вс, витамин В9, фолат), группа соед. [7]

Такие бездефектные кристаллы действительно можно получить, формируя тонкие волокна, своего рода усики, на поверхности кристаллов. Такие усики из кристаллического углерода выдерживают растяжение силой до 220 тонн на один квадратный сантиметр, что в 15 - 70 раз превосходит прочность стали. Если этот йетод получения бездефектных кристаллов удастся довести до промышленного уровня, мы получим в свои руки материалы невиданной доселе прочности. Например, уже в 1968 году советские ученые вырастили бездефектный кристалл вольфрама, который выдержал нагрузку более 250 тонн на квадратный сантиметр, в то время как у самой прочной стали этот предел составляет чуть более 30 тонн. [8]

Кристаллографы изучают структуру бездефектных кристаллов и из этого делают свои заключении. Стеклофизики, наоборот, подбирают для исследования стекла, относящиеся к разряду плохих, склонных к расслаиванию и кристаллизации, изучают их структуру и делают свои выводы на основе обобщения этих материалов. Между тем, чтобы правильно судить о природе стекла, нужно изучать типичные нормальные стекла, не склонные к расслоению и кристаллизации. [9]

Схема энергетических уровней неметаллического кристалла, содержащего дефекты, действующие как доноры D и акцепторы А электронов. [10]

Здесь символ нуль обозначает идеальный бездефектный кристалл. Уравнения (2.10) и (2.11) фактически выражают процесс растворения вакуума в кристалле, приводящий к увеличению числа узлов кристаллической решетки. [11]

Рассмотрим механизм деформации сдвига в бездефектном кристалле и в кристалле с простой дислокацией. [12]

Ступенька на линии дислокации. [13]

Дислокации не могут возникать в бездефектном кристалле при однородном нагреве, т.е. за счет чисто теплового движения частиц. Поэтому дислокации могут возникнуть только при действии внешнего напряжения. [14]

Рассмотрим механизм деформации сдвига в бездефектном кристалле и в кристалле с простой дислокацией. [15]

Страницы: 1 2 3 4