Бездефектный кристалл

Cтраница 2

Поэтому прочностные расчеты на основе моделей совершенных бездефектных кристаллов применимы только для структурно-нечувствительных свойств ( например, в упругой области), для расчетов на хрупкое разрушение необходимы уже расчеты с учетом несовершенств и других дефектов структуры. [16]

Что определяет длину пробега электронов в идеальном, бездефектном кристалле. [17]

Ширина зоны запрещенных уровней Q0. [18]

Таким образом, в зонной теории электропроводности чистые бездефектные кристаллы разделяются на две группы: металлы и полупроводники. Однако чаще пользуются несколько иной классификацией. Чистые бездефектные кристаллы с небольшой шириной зоны запрещенных уровней ( порядка 1 зв и меньше) называют собственными полупроводниками. В таблице 4 приведены значения Q0 для некоторых из них. [19]

Анализируются причины возникновения солитона растворения на поверхностях бездефектных кристаллов, роль пороговых уровней М - М взаимодействий в приповерхностном слое кристалла, влияние адсорбции ПАВ на кинетику прохождения солитона, роль поглощенного приповерхностным слоем М водорода и изменений поверхностного натяжения. В экспериментальных оценках особое внимание уделяется фазовым переходам в приповерхностных слоях при наводороживании и адсорбции легких нуклеофильных частиц раствора, кооперативным актам направленных изменений энергий связи М - М и перестройки структуры первых преповерхностных слоев. Изложены результаты экспериментальных работ по изучению электрохимического фасетирования поверхности при сканировании и ступенчатом изменении потенциала ОЦК - и ГЦК-кристаллов зЛ - металлов в кислых растворах, роли рыхлых ступеней типа ( ooij - при наводороживании несингулярных граней граней кристаллов и торможении движения ступеней растворения при ингибирующей адсорбции ПАВ. [20]

Другое направление в поисках прочности - создание бездефектных кристаллов, - хотя и имеет некоторые успехи ( получены нитевидные кристаллы усы некоторых металлов и соединений, обладающие прочностью, близкой к теоретической), но не вышло пока за пределы лабораторных исследований. Основная причина трудности этого пути состоит в том, что малы размеры бездефектных кристаллов: диаметр - не более нескольких микрон, длина - не более 10 - 15 мм. Увеличение размеров сопряжено с появлением дефектов. [21]

Нулевого значения энтропия может достигнуть только у полностью бездефектного кристалла абсолютно беспримесного вещества при абсолютном нуле температурной шкалы. Это и есть сердцевина третьего начала термодинамики - постулат Планка, получивший экспериментальное подтверждение. Ниже мы убедимся, что полные бездефектность и беспримесность вещества, как и абсолютный нуль, напоминают неуловимую синюю птицу из пьесы Метерлинка. [22]

Основная проблема в ЦМД-памяти заключается в сложности изготовления бездефектного кристалла. Чтобы обеспечить приемлемый выход годных схем, на кристалле размещается больше малых петель, чем используется в действительности, и допускаются дефекты в некоторых малых петлях. Однако позиции плохих петель должны быть известны, чтобы их можно было учесть в операциях считывания и записи. Вводимые биты должны чередоваться с незначащими битами, которые передаются в дефектные малые петли. Не все считываемые в странице биты оказываются полезными, и позиции плохих бит должны быть известны, чтобы их можно было удалить из выхода. [23]

Зависимость предела прочности от диаметра нитевидных кристаллов железа.| Зависимость прочности нитевидных кристаллов смеси меди и железа от диаметра образцов. [24]

Изложенные выше данные свидетельствуют о необычайно высокой прочности чистых бездефектных кристаллов. Прочность, измеренная на нитевидных кристаллах, приближается к теоретической прочности идеальных кристаллов, определяемой межатомными силами связи. Для железа эта прочность находится на уровне 1350 - 1500 кГ / мм2 и в 60 - 80 раз превышает прочность обычного технического железа. [25]

Хорошим подтверждением теории является возможность выращивания в идеальных условиях бездефектных кристаллов с прочностью, близкой к теоретической для идеального кристалла. [26]

Как уже отмечалось, в настоящее время в промышленно развитых странах крупные бездефектные кристаллы кварца для радиоэлектронной техники выращивают в гидротермальных условиях методом температурного перепада в стальных автоклавах, емкость которых может достигать нескольких тысяч литров. Поскольку большинство из указанных растворителей являются химически агрессивными ( особенно при повышенных параметрах), в ряде случаев возникает необходимость защиты внутренней полости автоклавов от коррозии с помощью специально сконструированных футеровок из материалов, устойчивых к воздействию среды. В результате коррозии стенок автоклава, а также растворения шихтового поликристаллического природного кварца в гидротермальный раствор поступают различные ионы, которые захватываются растущими кристаллами кварца. К другому источнику примесей можно отнести также минералообра-зующую среду, включения которой часто обнаруживаются в кварце. [27]

Расчет показывает, что отдельная дислокация может перемещаться по плоскости скольжения в остальном бездефектного кристалла при весьма малых напряжениях, называемых напряжением Пайер-лса 1-го рода ( оп), совпадающих по порядку величины с экспериментальным значением. Наличие дислокаций делает кристалл очень пластичным. [28]

ТОПЗ в кристаллах без дефектов при монополярной иижекции ( здесь и на каждое деление на осях соответствует изменению тока или напряжения на порядок. [29]

Это торможение на ловушках снижает подвижность носителей заряда и уровень ТОПЗ по сравнению с бездефектными кристаллами. [30]

Страницы: 1 2 3 4