Бездефектный кристалл

Cтраница 3

Заметим, что этим процессом испарения дырок и вообще дефектов решетки настоящее время пользуются для получения идеальных, бездефектных кристаллов. [31]

Схематический вид функции распределения частот акустических и оптических ветвей. оь, ш о3 ш - частоты особенностей Ван Хова, а ия - частоты локального и ква.| Законы дисперсии акустических ( А и оптических ( О. [32]

Точечный дефект приводит к локальному искажению решетки и может вызвать локальные колебания, частоты к-рых попадают в запрещенные зоны бездефектного кристалла. Нормальные колебания кристалла с точечным дефектом не являются плоскими волнами: они имеют вид либо / сходящихся к дефекту или расходящихся от него колебаний типа сферич. Тяжелая примесь в кристалле-порождает квазилокальное колебание, частота к-рого попадает в низкочастотную часть акустич, иолосы частот. [33]

Выращивание монокристаллов. [34]

С этого момента неминуемо увеличение 7, что схематически показано на рис. VI.49. Температура 7 важна не только с точки зрения получения бездефектного кристалла, но и в связи с проблемой уничтожения мелких зародышей. В соответствии с законом Коновалова - Гиббса упругость пара над мелкими кристаллами выше, чем над крупными, и крупные кристаллы съедают мелкие. [35]

Наличие дефектов упаковки у монокристаллов ZnS, выращенных из расплава, должно оказывать существенное влияние на анизотропию механических свойств по сравнению с кубическими бездефектными кристаллами. Образцы ZnS с довольно высокой концентрацией дефектов упаковки ( - 10 %) проявляют те же свойства, что и гексагональные кристаллы CdS и CdSe: 1) на плоскости ( 111), перпендикулярной С3 и С6, розетки укола имеют такую же форму, как и для всех других кристаллов со структурой W ( см. рис. 4, г); 2) на плоскости скола ( 110) картина дислокационной розетки не отличается от соответствующей картины на CdS ( см. рис. 4, з); 3) на плоскости ( 111), перпендикулярной осям Cg сфалерита и Св вюрцита, отпечатки индектора симметричны, анизотропия микротвердости II рода на этой плоскости отсутствует, величина Нр, составляет 268 5 кГ / мм2 для серии монокристаллов, принадлежащих разным плавкам; 4) на плоскостях ( 111), перпендикулярных только осям С3, отпечатки асимметричны, как для кристаллов ZnS со структурой W; 5) дислокационные розетки на этих гранях похожи не на обычные, получаемые на гранях ( 111) кубических бездефектных кристаллов, а на розетки, получаемые на плоскостях скола ( 110); 6) величина микротвердости плоскостей ( 111), перпендикулярных только осям С3, составляет 164 4 кГ / мм2, что совпадает с Нц боковых граней монокристаллов ZnS со структурой W. Все перечисленные особенности поведения кубических монокристаллов ZnS, содержащих до 10 % дефектов упаковки, свидетельствуют о том, что при такой их концентрации механические свойства анизотропны, как у гексагональных кристаллов. [36]

Если а мало, то сразу можно увидеть, что эта функция обладает очень резкими максимумами, которые смещены из точек обратной решетки для бездефектного кристалла, если s непараллелен слоям. [37]

Зависимость поляризации сегнетоэлентриков от электрического поля в полярной фазе. Ес - коэрцитивное поле, Лет - остаточная поляризация, gi - спонтанная поляризация.| Вид петли гиетере-аиса сегнетоэлектриков при наличии внутреннего смещающего поля.| Температурная зависимость е ( Г в области фазового перехода соразмерная ( полярная - несоразмерная фаза при нагревании и охлаждении кристалла. [38]

Величина спонтанной поляризации Ус может быть определена по петле гистерезиса линейной экстраполяцией зависимости ( Е) к значению Е О, Характерно, что хотя для бездефектных кристаллов Ее должно обращаться в 0 ( абсолютно свободное движение доменных стенок), практически оно остается конечным даже для весьма больших периодов изменения поля. [39]

Управление физическими параметрами синтетических слюд типа фторфлогопита, по-видимому, ограничено лишь частичными, небольшими замещениями, так как при полном замещении основных структурных элементов синтетического фторфлогопита его способность образовывать крупные бездефектные кристаллы ухудшается. [40]

Допустим, что соединение АС кристаллизуется в структуре, например, типа сфалерита или каменной соли, где в каждой из под-решеток А и С число узлов отвечает числу атомов и в принципе может возникнуть бездефектный кристалл. [41]

Зависимость удель - [ IMAGE ] Термо - э. д. с. системы ной электропроводности от сое - GaAs - Ga0 667 0 333Se. [42]

Допустим, что соединение АС кристаллизуется в структуре, например, типа сфалерита или каменной соли, где в каждой из подрешеток А и С число узлов отвечает числу атомов и в принципе может возникнуть бездефектный кристалл. [43]

При выращивании монокристаллов окислов и окисных соединений из собственных расплавов возникает целый ряд проблем, связанных с созданием высоких температур, защитой расплава от загрязнения материалом тигля, созданием атмосферы, снижающей летучесть компонентов и обеспечивающей рост бездефектных кристаллов. Применение метода плавающей зоны снимает проблему загрязнения материалом тигля благодаря тому, что расплав силой поверхностного натяжения удерживается между двумя цилиндрическими стержнями из того же материала. [44]

Турмалин широко распространен в природе, однако в большинстве случаев кристаллы изобилуют трещинами. Бездефектные кристаллы, годные для пьезоэлектрических резонаторов, встречаются редко. [45]

Страницы: 1 2 3 4