Биметаллическая маска
Cтраница 2
 |
Схема изготовления монометаллических свободных масок. [16] |
На рис. 30 изображена технологическая схема изготовления биметаллической маски. Технологический процесс начинается с нарезки заготовок / из ленты бериллиевой бронзы и сверления технологических отверстий. Затем заготовки проходят ряд подготовительных операций, назначением которых является подготовка поверхности к нанесению фоторезистивного слоя. Они производятся в вакуумной печи ( вакуум не менее 6 - 10 - 3Па) при температуре 400 10 С. Перед помещением в печь заготовку химически обезжиривают в трихлорэти-лене и сушат в вытяжном шкафу, после чего заготовку подвергают декапированию в растворе соляной и серной кислот, обезжириванию, промывке и сушке. [17]
Схема получения биметаллических масок показана на рис. 2.10. Биметаллические маски характеризуются высокой точностью изготовления рисунка и относительной простотой технологического процесса. [18]
Указанный недостаток практически полностью устраняете при использовании трехслойных1 биметаллических масок. [19]
При проектировании необходимо учитывать следующие значения ошибок: для биметаллических масок А 10 мкм, А / Аи 10 мкм, ACQBM ( 1 - 7 - 3) мкм. [20]
Изменение размеров элементов маски из-за растравливания значительно уменьшается при изготовлении биметаллических масок. Биметаллические маски состоят из двух слоев металла. Один слой толщиной порядка 100 мкм служит основой и обеспечивает жесткость и механическую прочность маски. Другой, относительно тонкий слой является образующим и обеспечивает высокую точность воспроизводимого рисунка. Металл для основного слоя биметаллических масок должен химически растворяться в растворителях, не действующих на образующий слой. [21]
 |
Схема рас. [22] |
Удачным решением проблемы получения жесткой маски при малых толщинах боковых стенок ее вырезов является применение биметаллических масок. [23]
Изменение размеров элементов маски из-за растравливания значительно уменьшается при изготовлении биметаллических масок. Биметаллические маски состоят из двух слоев металла. Один слой толщиной порядка 100 мкм служит основой и обеспечивает жесткость и механическую прочность маски. Другой, относительно тонкий слой является образующим и обеспечивает высокую точность воспроизводимого рисунка. Металл для основного слоя биметаллических масок должен химически растворяться в растворителях, не действующих на образующий слой. [24]
Заключительными - операциями в изготовлении подобных масок является удаление защитного лака ( рис. 10 - 18 з), нейтрализация в растворе фосфорнокислого натрия, промывка в потоке дистиллированной воды, сушка, проверка качества и контроль. Основной недостаток биметаллических масок - разность температурных коэффициентов линейного расширения образующего слоя и основы, что приводит к короблению масок при нагревании в процессе напыления и быстрому выходу их из строя. [25]
Значительно большей точностью обладают биметаллические маски. В качестве основы при изготовлении биметаллических масок используются медь и ее сплавы ( латунь и бронза), а также специальные сорта стали. [26]
Для изготовления биметаллических масок применяют берил-лиевую бронзу или медно-никелевый сплав в качестве основания и никель - в качестве слоя. На рис. 10 - 18 изображена технологическая схема изготовления биметаллической маски. [27]
Величина такого запыления определяется количеством испаренного материала, его физико-химическими свойствами и особенностями взаимодействия с материалом маски в выбранном диапазоне технологических режимов. На рис. 77 - 79 представлены результаты замеров среднего значения ширины щели в биметаллической маске после многократного напыления слоев хрома, меди и моноокиси кремния. Заращивайие трафарета хромом сопровождается образованием нитевидных структур ( по-видимому, свернутых напряжениями сжатия тонких хромовых слоев), приводящих к местным дефектам резистивной пленки. Пластичная медь монотонно заращивает трафарет, а периодически обрушивающиеся слои моноокиси кремния приводят к случайному значению линейной погрешности. [28]
Резисторы типа меандр имеют технологические ограничения на размеры flmjn и Втах ( см. рис. 1.1, б), аналогичные ограничениям на Кф полосковых резисторов. Обычно при масочном методе Вта / а - 10; amjn ж 2 / iM, где hM - толщина биметаллической маски; 2 / гм - минимально допустимое технологией расстояние между двумя щелями в биметаллической маске. Для составного резистора ( см. рис. 1.1, в) допускается 5гаах / я 50, так как прямоугольные резистив-ные полоски и проводящие перемычки формируются раздельно с использованием двух различных масок. Такая технологическая особенность позволяет формировать тонкопленочные резисторы сложной нерегулярной формы с применением дополнительных металлических перемычек по углам контура резистора. [29]
Резисторы типа меандр имеют технологические ограничения на размеры flmjn и Втах ( см. рис. 1.1, б), аналогичные ограничениям на Кф полосковых резисторов. Обычно при масочном методе Вта / а - 10; amjn ж 2 / iM, где hM - толщина биметаллической маски; 2 / гм - минимально допустимое технологией расстояние между двумя щелями в биметаллической маске. Для составного резистора ( см. рис. 1.1, в) допускается 5гаах / я 50, так как прямоугольные резистив-ные полоски и проводящие перемычки формируются раздельно с использованием двух различных масок. Такая технологическая особенность позволяет формировать тонкопленочные резисторы сложной нерегулярной формы с применением дополнительных металлических перемычек по углам контура резистора. [30]
Страницы: 1 2 3