Двухмерной зародыш

Cтраница 1

Двухмерные зародыши приводят прежде всего к образованию мономолекулярного слоя на поверхности носителя. Дальнейший рост слоя на нем происходит лишь через образование трехмерных зародышей. Только в случае, если свободная энергия Тп / пр 0, увеличение примесного слоя происходит через образование плоских зародышей. [1]

При кристаллизации кристаллические двухмерные зародыши имеют вначале бездефектное строение и однородную толщину. В результате выгиба зародышевой пластинки из-за неоднородного распределения напряжений возникает винтовая дислокация и на поверхности кристалла появляется ступенька, вокруг которой образуются спиральные ступени роста. [2]

Дальнейший рост двухмерного зародыша на грани кристалла может происходить легче, чем образование двухмерного зародыша. Рост зародыша приводит к постепенному закономерному заполнению грани. [3]

Схема роста двухмерного зародышО. [4]

Дальнейший рост двухмерного зародыша может происходить как в плоскости самого зародыша, так и в направлении, перпендикулярном плоскости двухмерного зародыша. [5]

Винтовая дислокация, действующая как плоский зародыш при росте кристалла. [6]

Предположив, что образуются двухмерные зародыши, теоретически необходимые для роста идеальных кристаллов, можно определить скорости перемещения различных граней при постоянном переохлаждении. Однако экспериментальные значения переохлаждения оказываются значительно меньше, чем дает теоретическая оценка. Другими словами, скорость роста при данном переохлаждении АГ значительно больше теоретической. Эти расхождения во многих случаях обусловлены влиянием реальной структуры кристаллов, так как благодаря наличию дефектов структуры уменьшается или совсем не нужна работа образования двухмерных зародышей при построении грани. [7]

Двухмерный зародыш кристалла. [8]

В этом смысле периметр двухмерного зародыша аналогичен поверхности зародыша объемного. Поэтому, определяя работу образования двухмерного зародыша, вместо площади граней нужно учитывать величину периметра и вместо поверхностного натяжения - краевое натяжение. [9]

Выражения для критического радиуса двухмерного зародыша, если предположить для простоты, что остров круглый и изменение свободной энергии связано с процессом кристаллизации, могут быть получены таким же способом, как было описано для трехмерного зародыша. Вообще можно предположить, что для того чтобы произошла кристаллизация этого типа, необходима высокая степень пересыщения, но она ниже по сравнению с той, которая требуется для образования трехмерных зародышей в эквивалентных условиях. [10]

АОд Crit относится к двухмерному зародышу. [11]

Такое поверхностное образование называется двухмерным зародышем. Скорость роста грани зависит от работы создания двухмерного зародыша. [12]

Три возможных положения строительного элемента на грани растущего кристалла. [13]

Представления о росте кристаллов через двухмерные зародыши были использованы О. М. Тодесом [166] и С. Последний сделал, в частности, вывод о влиянии размера грани на скорость ее роста в случае, когда для образования двухмерного зародыша необходимо значительно больше времени, чем для разрастания его по всей грани. [14]

Вопрос о том, почему отдельные элементарные двухмерные зародыши собираются в более толстые пакеты, представляет значительный интерес. Такое укрупнение должно несколько уменьшить поверхностную энергию растущего кристалла, и в этом смысле оно энергетически выгодно, однако вопрос о его молекулярном механизме остается неясным. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5