Двухмерной зародыш

Cтраница 4

Вязкость насыщенных растворов солей в зависимости от температуры.| Влияние температуры раствора на форму кристаллов MgSO4 6Н2О. [46]

В случае, когда лимитирующей является кристаллохимиче-ская стадия [ уравнение ( 17) ], с повышением температуры уменьшается размер критического двухмерного зародыша [ см. уравнение ( 14) ], а следовательно, и работа его образования, что также увеличивает скорость роста кристаллов. Кроме того, определенную роль при этом играет уменьшение гидратации ионов в растворе, резко ускоряющее переход вещества из полуупорядоченного слоя на грани кристалла. [47]

DM, Ц, отвечают пороговым значениям Д, в точках неравновесных фазовых переходов, которые характеризуют: D, - образование двухмерного зародыша мультифрактала, способного к самоподобному размножению, До - порог стабильного развития плоского МФМ; Д, - порог самоподобия плоского МФМ. [48]

Слоистость не нарушает характера и направления кристаллизации, так как даже в случае периодического оплавления фронта твердой фазы поверх-ьости нерасплавнвшихся частей кристаллов служат двухмерными зародышами, обеспечивающими рост кристаллов с прежней крцсталлогеометрнческой ориентировкой. [49]

Обратимая работа образования трехмерного зародыша А3, по Фольмеру и Веберу197, а также Брандесу195, находится точно так же, как и для двухмерного зародыша. Сначала нужно расширить п3 - ( 4 / 3) лгз / ул ш газа, изменив давление от р до РК, , при этом освобождается обратимая работа - ( 8 / 3) nrla [ после использования ур. [50]

Схема строения элементарного слоя роста на грани. [51]

В предыдущих работах нами был предложен механизм, по которому это периодическое чередование условий активного и пассивного состояний каждого участка грани вытекает из энергетических преимуществ разряда ионов у ребра двухмерного зародыша и устанавливающегося в результате этого регулярного смещения зон обедненной и восстановленной концентрации. [52]

Рассмотрение роста единичной грани при постоянной силе тока показывает, что механизм с упорядоченным возникновением и распространением одного слоя по грани осуществляется при минимальном перенапряжении, определяемом в основном энергией образования двухмерного зародыша. Происходящее при этом нарастание концентрационной поляризации в зоне прохождения фронта ро та слоя осуществляется за счет снижения эффективного перенапряжения без увеличения потенциала всего катода. [53]

Если температура и концентрации двуокиси и трехокиси серы таковы, что устойчивой твердой фазой является сульфат ванадила, то адсорбированные на поверхности катализатора молекулы трехокиси серы могут отрывать атомы ванадия с поверхности кристаллов пятиокиси ванадия, образуя двухмерные зародыши кристаллов сульфата ванадила. В дальнейшем эти зародыши могут расти вглубь, поглощая двуокись и трехокись серы из газовой фазы. Этот процесс образования кристаллического сульфата ванадила уже не является промежуточной стадией каталитического процесса и сопровождается резким снижением скорости окисления двуокиси серы. [54]

РГЗ - давление пара над зародышем радиуса г3; Р - давление пара над бесконечно большим кристаллом; х - поверхностная энергия; М - молекулярная массц вещества; р - плотность зародыша; 8 - толщина двухмерного зародыша; R - газовая постоянная; Т - температура. [55]

Такие легкоплавкие металлы, как свинец, могут вести себя в чистых условиях в некоторой степени как квазижидкие: подвижность атомов металла в этих случаях достаточно велика, чтобы при малой плотности тока разряда ионов металла активные места, выступы и двухмерные зародыши на поверхности электрода быстро исчезали под действием поверхностного натяжения, а разряжающиеся ионы металла могли выделяться непосредственно на гладкой поверхности металла. [56]

Схема образования из винтовой дислокации спиральной ступени роста грани кристалла. [57]

По полученным данным [148], отношение вероятности W включения первого атома нового ряда в ступень роста к вероятности Wn растворения из ступени полного ряда, состоящего из п атомов, экспоненциально зависит от отношения п / щ - 1, где п0 - число атомов в крайнем ряду двухмерного зародыша, соответствующего данному пересыщению. [58]

Схематическое изображение роста кристалла за счет винтовой дислокации. [59]

Здесь Р - корректирующий коэффициент, учитывающий случай, когда не происходит быстрого присоединения частицы к активному центру; k 0 - коэффициент, учитывающий случай, когда расстояние между активными центрами не может считаться значительно меньшим, чем длина свободного перемещения адсорбированной частицы по поверхности; Еак - энергия активации роста кристаллов за счет винтовой дислокации; па - число молекулярных позиций, приходящихся на единицу площади поверхности кристалла; OQ - удельная поверхностная энергия боковой грани двухмерного зародыша, приходящаяся на одну молекулу; / - расстояние между устойчивыми положениями простейших частиц на поверхности; / s - среднее расстояние передвижения адсорбированной поверхностью кристалла простейшей частицы ( молекулы) до десорбции. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5