Двухмерной зародыш
Cтраница 3
При малых пересыщениях работа образования трехмерного зародыша значительно выше работы образования двухмерного зародыша; между тем эта последняя величина достаточно существенна, чтобы заметно затруднить рост частиц новой фазы. [31]
 |
Влияние пересыщения раствора II ( в г / 100 см3 раствора на форму кристаллов алюмокалиевых квасцов. [32] |
В этом слое концентрация кристаллизующегося вещества может оказаться достаточной для образования двухмерного зародыша, поэтому после ориентации ионов в нем относительно друг друга и поверхности кристалла одновременно с процессом их дегидратации происходит структурное присоединение плоского зародыша к кристаллической решетке и дальнейший рост его на этой грани. Косвенным доказательством является способ выращивания совершенных монокристаллов при ничтожно малом пересыщении раствора. [33]
Полинуклеарный механизм роста действует в условиях, при которых время образования двухмерного зародыша на грани меньше времени образования монослоя. [34]
Было показано, что такая зависимость наблюдается также и при образовании твердого двухмерного зародыша. [35]
Дальнейший рост двухмерного зародыша на грани кристалла может происходить легче, чем образование двухмерного зародыша. Рост зародыша приводит к постепенному закономерному заполнению грани. [36]
При слоистом типе роста происходит образование грани монокристалла путем последовательного присоединения атомов к двухмерному зародышу, находящемуся на плоскости. При развитии грани после образования двухмерного зародыша замедленными стадиями могут являться: поверхностная диффузия адионов и встраивание в место роста, представляющее собой выступ или ступень на атомной плоскости. [37]
В и D - некоторые постоянные; 0Х - коэффициент поверхностного натяжения на границах двухмерного зародыша. [38]
А, В и В - постоянные, а а - периферийная мсжфазная поверхностная анергия двухмерного зародыша. Отсюд-i видно, что число центров К. [39]
Следует иметь в виду, что для развития грани кристалла не всегда необходимо предварительное создание двухмерного зародыша. В тех случаях, когда металл осаждается на чужеродном электроде или на электроде из того же металла, но с сильно за-пассивированной поверхностью, происходит образование трехмерных зародышей. [40]
А, В и В - постоянные, а а - периферийная вежфазная поверхностная энергия двухмерного зародыша. Отсюда видно, что число центров К. [41]
Следует иметь в виду, что для развития грани кристалла не всегда необходимо предварительное создание двухмерного зародыша. В тех случаях, когда металл осаждается на чужеродном электроде или на электроде из того же металла, но с сильно за-пассивированной поверхностью, происходит образование трехмерных зародышей. [42]
 |
Послойный рост грани кристалла цинка. Увеличение в 25000 раз. [43] |
I было упомянуто, что при росте грани кристалла соли не всегда требуется периодическое образование на ней нового двухмерного зародыша. [44]
Дальнейший рост двухмерного зародыша может происходить как в плоскости самого зародыша, так и в направлении, перпендикулярном плоскости двухмерного зародыша. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5