Гомогенное зарождение
Cтраница 3
В расплаве всегда присутствуют мельчайшие обычно неконтролируемые химическим анализом включения - окислы, нитриды, карбиды, сульфиды и др. Многочисленные посторонние включения служат затравками, и поэтому в обычных условиях мы имеем дело не с самопроизвольным гомогенным зарождением внутри объема чистой жидкости, а с зарождением на имеющихся поверхностях раздела с другими фазами. Поэтому такое зарождение было названо гетерогенным. [31]
Приведенные выше данные по инициированию зарождения газовых пузырьков в полиуретановой композиции можно, очевидно, объяснить тем, что гетерогенное зарождение ( в присутствии готовых поверхностей раздела фаз) наступает всегда при более низких степенях пересыщения, чем гомогенное зарождение. Все исследованные в работе [37] добавки ( кроме ПАВ) нерастворимы в воде, и поэтому образующиеся поверхности раздела фаз являются активными инициаторами зарождения. На этих поверхностях и происходит адсорбция молекул двуокиси углерода и растут газовые пузырьки. [33]
В действительности радикалы будут зарождаться не только на стенках, но и в объеме, поскольку они гибнут в объеме, и расчет по формуле ( 48) показывает, что константа скорости гетерогенного зарождения не так сильно может отличаться от константы скорости гомогенного зарождения. Однако теплота хемосорбции алка-нов на кварце или силикагеле может быть значительной ( порядка 10 ккал / моль и выше) и тогда константа гетерогенного зарождения может быть на порядок или даже несколько порядков больше. [34]
Эта классификация термического крекинга прежде всего должна отразиться на методе расчета скорости зарождения: радикалов: константу скорости реакции зарождения радикалов при термическом крекинге алканов следует вычислять как константу гетерогенной реакции, величина которой гораздо больше ( в зависимости от теплоты адсорбции) константы скорости гомогенного зарождения радикалов. [35]
Образование центров в переохлажденной жидкости стимулируется разностью хим. потенциалов между жидкой и твердой фазами, к-рая при т-ре плавления равна нулю и увеличивается с повышением переохлаждения. Гомогенное зарождение центров осуществляется вследствие образования гетерофазных флуктуации - скоплений молекул ( атомов), расположение к-рых сходно с расположением в кристаллах. [36]
При десублимации веществ кинетика фазового превращения оказывает более существенное влияние на ход процесса. Гомогенное зарождение кристаллов чаще реализуется при десублимации чистых паров; оно определяется флуктуациями энергии в системе. [37]
Экспериментальные исследования указывают на наличие повреж-денности в ударных волнах и волнах разрежения. Гомогенное зарождение дислокаций может происходить как во фронте ударной волны, так и непосредственно за ним из-за высокого уровня девиаторных компонент тензора напряжений, после чего дислокации ускоряются остаточными напряжениями сдвига к фронту ударной волны или от него. [38]
Вопрос о том, что представляют собой зародыши мартенсита, наиболее трудный во всей проблеме мартенситных превращений. Гипотеза гомогенного зарождения, связанного с флуктуационным образованием зародыша критического размера, большинством исследователей отвергается, так как из-за высокой энергии упругих искажений работа гомогенного образования критического зародыша столь велика, что вероятность его флуктуационного появления ничтожна. [39]
Предполагается, что к очень малым капелькам применим термодинамический подход и что поверхности капелек имеют резкую границу. Сначала рассмотрим чисто гомогенное зарождение, предположив, что отсутствуют какие-либо инородные частицы или поверхности, которые могли бы служить катализаторами для зарождения - в таком случае оно называлось бы гетерогенным. Рассмотрим прежде всего термодинамику таких капель, а затем перейдем к кинетике их образования посредством гетерофазных флуктуации. [40]
Формирование на-нокристаллической структуры обусловлено комбинированным легированием сплава Fe-Si - В медью и ниобием. Роль меди заключается в стимулировании гомогенного зарождения зерен твердого раствора a - Fe ( Si) и подавлении кристаллизации боридов железа, а роль ниобия - в торможении роста этих зерен. Не растворяясь в a - Fe ( Si), ниобий вытесняется в межзеренное пространство ( аморфную фазу), повышая температуру кристаллизации этой части сплава. Эта фаза обогащена Nb, Си и В по сравнению с составом исходного аморфного сплава. [41]
Этого эффекта следовало ожидать при условии гомогенного зарождения цепей и обрыва их на стенках или, по крайней мере, когда обрыв превалирует над зарождением на стенках. Однако после проведения нескольких опытов с одной и той же набивкой тормозящее действие набивки значительно уменьшается. Поверхность набивки как бы стареет в отношении обрыва цепей. Эффект ослабления тормозящего действия поверхности, по-видимому, обусловлен хемосорбцией некоторых радикалов, которые не удаляются в процессе откачки между опытами, не успевая рекомбиниро-ваться и десорбироваться в виде молекул. [42]
Механизм образования и роста гранул в этом случае во многом аналогичен наблюдаемому при гранулировании расплавов, когда совмещены стадии формования и структурирования гранул. Здесь в перемешиваемом объеме гранул также происходят гомогенное зарождение центров гранулообразования, рост этих центров и параллельно - рост мелких частиц затравки - гетерогенных центров зарождения гранул. Детальное математическое описание этого процесса затруднительно из-за большого числа трудноучитываемых факторов. [43]
Здесь первый член оценивает полную энергию возникшей петли, второй член - работу пластического сдвига, третий член вводится только при зарождении частичной дислокации, в этом случае у - энергия дефекта упаковки. Кроме того, вариант приведенный на рис. 61, можно рассматривать как случай гомогенного зарождения на поверхности кристалла. При этом были сделаны следующие предпосылки. [44]
Величина диффузионного потока вещества по мере охлаждения раствора-расплава возрастает ( рис. 1), соответственно возрастает и пересы-щение раствора-расплава. Этот процесс протекает до тех пор, пока пересыщение в объеме раствора-расплава не становится достаточным для гомогенного зарождения и роста кристаллов растворенного вещества. Начиная с этого момента, диффузионный перенос вещества осуществляется лишь в некоторой области раствора-расплава, которую будем называть диффузионной. [45]
Страницы: 1 2 3 4