Гомогенное зарождение

Cтраница 4

Прежде всего, по-видимому, тем, что при создании - полостей заблаговременно преодолевается узкое звено процесса формирования графита - удаление малоподвижных атомов матрицы из мест, в которых он зарождается и растет. Упругая составляющая прироста термодинамического потенциала при образовании зародыша графита настолько велика, что встречающиеся пересыщения недостаточны для гомогенного зарождения. Эта невозможность не является спецификой железных сплавов. [46]

Выход годного увеличивается с ростом концентрации метана, но тогда повышается содержание свободного углерода в TiC. Для увеличения выхода карбида титана рекомендуется вводить в реакционную смесь небольшие количества WC16 или Mods, стимулирующие процесс гомогенного зарождения частиц, и пропускать вдоль реакционных трубок чнертный газ с целью предотвращения образования покрытий. Однако кардинальным решением проблемы является проведение процесса при более высоких температурах, например с использованием плазмы. [47]

Оказалось, что N имеет очень высокий температурный коэффициент, приблизительно равный 225 ккал / молъ. Это значение, попятно, слишком велико для того, чтобы в изучаемых условиях температур и давлений могло произойти гомогенное зарождение активных центров. По-видимому, зарождение связано с реакциями на стенках сосуда. [48]

Зависимость свободных энергий аустенита ( / д. мартенсита ( Fjift и перлита от температуры ( схема. [49]

Большинство исследователей, изучающих мартенситные превращения, разделяют гипотезу гетерогенного зарождения. Я - Любое [6] на основе теоретического анализа термодинамики процесса зародышеобразования мартенсита пришел к выводу, что отклонение гипотезы гомогенного зарождения мартенсита недостаточно обосновано. [50]

Обработка по режиму Б ( быстрое охлаждение из области твердого раствора) допускает зарождение крупных частиц, но не дает им существенно вырасти. Тем не менее за 4ч при 1085 С выделения у все-таки подрастают, и, в значительной мере за счет потенциала старения, происходит гомогенное зарождение множества частиц размером от среднего до крупного. Фоновые выделения у - фазы образуются при 925 и 760 С, однако по понятным причинам их количество не велико. [51]

Сформировавшийся таким образом зародыш будет иметь меньший объем, чем сферический зародыш такого же радиуса. Соответственно этому движущая сила ( или переохлаждение А7), необходимая для образования зародыша в виде шарового сегмента, будет меньше аналогичной величины, необходимой при гомогенном зарождении. [52]

Интенсивность зарождения кристаллов характеризуют скоростью их зарождения, под которой понимают количество центров кристаллизации ( зародышей), возникающих в единице объема за единицу времени. Различают гомогенное и гетерогенное зарождение. Гомогенное зарождение происходит при отсутствии в расплаве ( растворе) посторонних твердых примесей ( частиц), на которых могли бы образоваться кристаллы. Гетерогенное зарождение происходит на твердых поверхностях, а также на взвешенных в расплаве мельчайших инородных частицах. [53]

Процесс кристаллизации как из растворов, так и расплавов протекает в две последовательных стадии: 1) образование зародышей ( центров кристаллизации); 2) рост кристаллов. При этом различают зарождение гомогенное и гетерогенное. Гомогенное зарождение происходит при отсутствии в исходной фазе твердых частиц, на которых могут образоваться кристаллы, и определяется флуктуациями энергии. Гетерогенное зарождение происходит на твердых поверхностях и на взвешенных в исходной фазе твердых частицах. Направление фазовых превращений определяется, как известно, изменением свободной энергии системы. Из двух фазовых состояний устойчиво то, которое соответствует меньшей свободной энергии. Следовательно, кристаллизация возможна в тех случаях, когда переход вещества из жидкого в твердое состояние сопровождается уменьшением свободной энергии системы. [54]

Можно полагать, что в тонких усах дислокаций нет и отсутствуют любые дефекты, которые могут служить их источниками. Пластическая деформация в таких кристаллах должна начинаться в тот момент, когда напряжение достигнет величины, необходимой для зарождения дислокаций в совершенной решетке. Как известно, гомогенное зарождение дислокаций требует напряжения, равного теоретической прочности на сдвиг. После зарождения хотя бы одной подвижной дислокации напряжение падает до значения rs, необходимого для движения и размножения дислокаций. Таким образом, величина зуба текучести для усов равна разности напряжений зарождения и размножения дислокаций. При увеличении диаметра образца изменяется не только внешний вид кривых о - е, но также и характер пластического течения: протяженность легкого скольжения заметно уменьшается и, начиная с d - 20 мкм, эта стадия полностью отсутствует. Вслед за острым пределом текучести сразу же наступает сильное деформационное упрочнение. [55]

Механизм зарождения зон ГП слабо изучен. Плотность дислокаций в реиристаллизованном закаленном сплаве равна 107 - 10s см-2, и в случае гетерогенного зарождения на дислокациях число зон в единице сечения должно было бы характеризоваться этой величиной. Считают, что для кластеров характерно главным образом гомогенное зарождение на концентрационных флуктуациях. [56]

Страницы: 1 2 3 4