Некомпенсированный заряд

Cтраница 2

Замещения внутри структуры четырехвалентного кремния трехвалентным алюминием в тетраэдрических слоях и алюминия катионами низшей валентности, обычно Mg, в октаэдрических слоях приводят к некомпенсированным зарядам структурной ячейки некоторых глинистых минералов. Иногда такие замещения уравновешиваются адсорбированными катионами. [16]

Под действием внешнего электростатического поля электроны проводимости в металлическом проводнике перераспределяются так, что напряженность результирующего поля в любой точке внутри проводника равна нулю; некомпенсированные заряды располагаются неподвижно только на его поверхности. [17]

В 1917 г. мною была развита теория поверхностного натяжения и поверхностного ( контактного) скачка потенциала чистых металлов, основывавшаяся на представлении о том, что поверхность всякого металла ( а также и всякого иного тела) покрыта двойным электрическим слоем атомной толщины, наружная обкладка которого образована электронами ( ввиду их периферического положения в атомах по отношению к положительным ядрам), а внутренняя - некомпенсированным зарядом положительных ядер поверхностного слоя атомов. [18]

Замещение внутри структуры четырехвалентного кремния1 в тстраэдричсских слоях алюминием и трехвалентного алюминия в октаэдрических слоях катионами низшей валентности, обычно магнием. Это вызывает появление некомпенсированных зарядов в структурной ячейке некоторых глинистых минералов. [19]

Встречаясь на границе р - и n - областей, дырки и электроны рекомбинируют. Следовательно, в этой пограничной области обнажаются некомпенсированные заряды неподвижных ионов. [20]

Недавно было установлено [4], что при нагревании вермикулита увеличение его объема происходит вследствие расщепления по плоскости спайности относительно малого количества пакетов. В этих процессах проявляется действие электростатических сил и некомпенсированных зарядов на поверхностях смежных силикатных пакетов. Ни в каком другом кристалле не обнаруживаются столь рельефно силы притяжения и отталкивания; наблюдение за этими процессами не представляет значительных трудностей. [21]

В некоторых случаях диэлектрик заполняет только часть электрического поля взаимодействующих зарядов. В § 6 будет показано, что на поверхности диэлектрика в таких случаях появляются некомпенсированные заряды, которые создают добавочное электрическое поле; это поле накладывается на поле рассматриваемых зарядов дг и 2 и должно быть учтено при расчете О в каждой интересующей нас точке. [22]

Поэтому в высокочастотных триодах с тонкой базой достигается в этом случае быстрый спад коллекторного сигнала. Электроны, компенсировавшие ранее заряд дырок, не могут уйти из объема базы; они остаются в базе как некомпенсированный заряд на время, определяемое временем жизни носителей, понижая барьер и поддерживая протекание эмиттерного и коллекторного токов. Так как время жизни может быть достаточно большим, второй случай характеризуется замедлением спада выходного сигнала. [23]

Энергетические зонные диаграммы полупроводников р - и л-типов проводимости до ( в и после ( б образования р - л-перехода. [24]

При непосредственном контакте двух слоев полупроводникового материала с противоположным типом проводимости происходит обмен носителями заряда, который продолжается до тех пор, пока положение уровней Ферми в обоих слоях не станет одинаковым. Электроны перемещаются из приконтактной области материала н-типа в р-слой, тогда как поток дырок направлен из р-области в материал н-типа. В результате, как показано на рис. 2.2, по обе стороны перехода остаются некомпенсированные доноры и акцепторы. Потенциальный барьер, образующийся в процессе выравнивания уровней Ферми и расположенный внутри двойного слоя некомпенсированных зарядов, препятствует их дальнейшему перераспределению. Обедненные слои имеют резкие границы х и Хр ( это приближение оказывается довольно точным), положение которых легко определить. В области пространственного заряда, заключенной между х и хр, почти не содержится подвижных носителей и поэтому п и р пренебрежимо малы по сравнению с концентрациями доноров и акцепторов. Именно это обстоятельство и позволяет часто называть р-и-пере-ход обедненной областью. [25]

Элюироиание малых монола-меллнрных липосом на колонке с 2 % - ным гелем агарозы. [26]

Вследствие того что размеры малых липосом по порядку величины сравнимы с толщиной образующего их лнпидного бислоя, имеются значительные различия в расположении и характере упаковки лнпндных молекул на наружной и внутренней сторонах мембраны. Прежде всего это проявляется в различном количестве молекул на обеих сторонах бислоя: в липосомах диаметром 20 - 25 нм наружный монослой содержит примерно вдвое больше лнпндных молекул, чем внутренний. Как правило, на наружной стороне бислоя находятся преимущественно те лнпиды, которые имеют более крупную полярную головку, некомпенсированный заряд, а также более длинные насыщенные углеводородные це-пи. Лнпидные молекулы с более короткими или ненасыщенными жирнокислотными остатками располагаются предпочтительно во внутренней половине бислоя. [27]

Им показано, что в состоянии предельной гидратации адсорбционные свойства единицы поверхности пористых стекол, силикагелей и кварца близки друг другу. Установлено, что термическая дегидратированная поверхность кремнезема подвергается регидратации. Низкая энергия активации процесса дегидратации и низкая активность дегидратированной поверхности приводят к выводу об отсутствии ионов на поверхности кремнезема. В отличие от этого поверхность кремнезема, полученная дроблением в вакууме, обладает высокой адсорбционной активностью по отношению к воде, что в отсутствие гидроксилов на такой поверхности связано с наличием некомпенсированных зарядов и свободных валентностей на поверхности свежего раскола. [28]

В связи с этим возникает вопрос, представляет ли эта повышенная сенсибилизация просто арифметическую сумму двух видов сенсибилизации, или же мы имеем дело со следующим явлением. Сульфид может сенсибилизировать в результате действия на особые точки поверхности частиц. Дополнительная сенсибилизация желатиной может быть усилена в присутствии сульфида ( или продукта его реакции) на всей поверхности частицы. В отсутствие желатины этот сульфид не влияет на светочувствительность. Однако если желатина адсорбируется на сульфидированной поверхности, то она может связываться некомпенсированными зарядами иона S-2 и продукт этого соединения может быть более эффективен, чем желатина, адсорбированная на несульфидиро-ванном золе. Светочувствительность при слабых освещенностях может возрастать, вероятно, в результате увеличения коэффициента поглощения поверхностного слоя или повышения квантового выхода в нем. [29]

После адсорбции на подложке цепи из СН2 - звеньев располагаются преимущественно вдоль рядов ионов натрия. Следует ожидать более низкого значения потенциальной энергии при перпендикулярном или параллельном расположении постоянных СН2 - диполей к поверхности раздела. Только на некотором расстоянии от поверхности NaCl происходит переход к более стабильной орторомбической структуре, в которой плоскость ( ПО) параллельна поверхности подложки. Однако на основании только кристаллической структуры соли нельзя объяснить наблюдаемое зародышеобразование, так как различные кристаллики NaCl действуют различным образом ( см. рис. 3.81), а на некоторых совсем не происходит эпитаксиального роста, несмотря на подходящую кристаллографическую ориентацию их поверхностей. Было высказано предположение, что примеси ( порядка 10 - 6 %) могут вызывать образование некомпенсированного заряда на поверхности и что это может приводить к увеличению времени пребывания сегментов полимерной цепи близко к поверхности и тем самым увеличивать вероятность взаимодействия их с более специфическими силами поверхностных ионов. Совершенно ясно, что такие вполне возможные эффекты не могут быть описаны при помощи классической теории зародышеобразования, рассмотренной в разд. [30]

Страницы: 1 2 3