Cтраница 3
Рассмотрим два образца германия: один с проводимостью л-типа, другой - ip - типа, из которых образован р-п-переход. Будем считать, что каждый из образцов имеет равномерное распределение примесей, и ограничимся при этом одномерной моделью. Будем считать, что каким-то путем удалось образовать между этими кусками идеальный с точки зрения структуры кристаллической решетки и химического состава контакт. Поскольку в каждом из образцов присутствуют подвижные носители заряда одного знака ( электроны и дырки, находящиеся в разных зонах), то во всей р-я-структуре имеется градиент концентрации подвижных носителей заряда каждого знака и будет существовать процесс диффузии: дырки будут диффундировать в n - германий, а электроны-в р-германий. Наличие неподвижных ионов приводит к тому, что в приконтактной области ушедшие подвижные носители обнажают заряды ионов; появляется электрическое поле, как легко видеть, направленное так, что оно препятствует процессу диффузии. В результате воздействия двух факторов-градиента концентрации и электрического поля ионов - в р-п-системе устанавливается динамическое равновесие, когда диффузионный и дрейфовый потоки носителей друг друга компенсируют, однако в приконтактной области существует пространство с некомпенсированным зарядом и перепадом электростатического потенциала. Приложение внешнего напряжения к р-п-переходу уменьшает или увеличивает потенциальный барьер в приконтактной области. [31]