Избыточный заряд
Cтраница 2
Накопление избыточного заряда в базах - и р-типа происходит с постоянными времени тр и т соответственно. [16]
 |
График функции. [17] |
Накопление избыточного заряда идет под воздействием постоянного тока цепи базы. [18]
Компенсация избыточного заряда при таком гетеровалентном замещении достигается за счет частичного замещения ионов кальция ионами натрия. Ион европия находится в окружении шести ионов кислорода, которые располагаются в вершинах искаженного октаэдра ( см. гл. Два иона кислорода находятся на расстоянии 2 33 А от иона европия, два - на расстоянии 2 98 А, а два оставшихся - на расстоянии 2 5 А. [19]
 |
Схема распределения.| Изменение плотности избыточных зарядов двойного слоя в зависимости от положения границы скольжения между твердым телом и жидкостью по теории Квинке - Гельмгольца. [20] |
Плотность избыточных зарядов одного знака ( в данном случае отрицательных) на границе твердого тела возрастает сразу от нуля до определенного значения и далее при переходе в жидкость падает и изменяет знак на положительный. При дальнейшем смещении в глубь жидкости плотность избыточных зарядов вновь приходит к нулю. [21]
Возникновение избыточного заряда возможно также в результате контакта капельки с одним из электродов, создающих поле. Величина прио атаемого ею электрического заряда пропорциональна напряженности электрического поля и квадрату радиуса кривизны контактирующей с электродом поверхности капельки. [22]
Компенсация избыточных зарядов осуществляется путем адсорбции ионов на внутренних поверхностях в каналах кристаллической структуры. [23]
 |
Зависимость емкости С (., 2, З к4 и межфазного натяжения а ( 1 и 2 от потенциала электрода ф для границы сплавов. [24] |
Количество избыточных зарядов в первом от чугуна ионном слое шлака определяется зарядом металла и специфической адсорбцией. Но межионные силы вызывают появление второго ионного слоя противоположного заряда. Аналогично могут появляться третий и следующие за ним слои. [25]
Сообщенный проводнику избыточный заряд вследствие взаимного отталкивания составляющих его микрозарядов должен, очевидно, распределиться по поверхности проводника. [26]
От величины избыточного заряда зависит и характер электростатических сил, преобладающих при осаждении частицы в поле заряженного препятствия. [27]
Это экранирование избыточного заряда может быть достигнуто и иным путем. [28]
Стадия накопления избыточного заряда в базе характеризуется отсутствием внешних изменений токов. При передаче коротких импульсов накопление избыточного заряда может прекратиться раньше, чем будет достигнуто предельное значение заряда. [29]
Стадия рассасывания избыточного заряда начинается с момента подачи на вход запирающего сигнала. Изменения коллекторного тока отсутствуют. Фактически рассасывание проявляется в том, что начало изменений коллекторного тока запаздывает относительно момента подачи запирающего сигнала на вр. Процесс рассасывания может быть описан экспоненциальным законом с постоянной времени рассасывания. [30]
Страницы: 1 2 3 4