Избыточный заряд

Cтраница 4

Распределение зарядов в электронно-дырочном переходе ( р-п в состоянии равновесия, я - распределение зарядов при отсутствии перехода. б - распределение зарядов при наличии перехода. в - потенциал электростатического поля у перехода. a - распределение плотности заряда у перехода. [46]

Таким образом, избыточный заряд в каждой области концентрируется вблизи перехода. [47]

Однако, если избыточный заряд может распределиться по коллективу атомов, соединенных с атомом углерода, то ионное состояние стабилизируется, поэтому соединения типа трифенилметилкарбония С ( СеНб) з довольно устойчивы. Карбониевые ионы часто играют роль активных промежуточных продуктов в процессах органического катализа. [48]

Таким образом, максимально возможный избыточный заряд на мастиковом кислороде равен - / 4, и поэтому сумма сил связи с мостиковым кислородом других ионов ( но не иона Si4) не может превышать / 4 - Соответственно координация Б - типа невозможна для катионов, имеющих силу связи более / 4 - Однако все катионы с силой связи менее / 4 иримут координацию Б - типа, поскольку при этом возможна более плотная упаковка. [49]

Электрические поля от избыточных зарядов на предметах, одежде, теле человека оказывают большую нагрузку на нервную систему человека. Исследования показывают, что наиболее чувствительны к электростатическим полям центральная нервная система и сердечно-сосудистая система организма. [50]

При сообщении частицам избыточных зарядов они независимо от их физических свойств будут двигаться в электрическом поле по направлению к электродам, имеющим заряд, противоположный заряду частиц. Таким образом, возможно выделение частиц из несущей их среды как, например, в случае электрогазоочистки. [51]

Так как рассасывание избыточного заряда в базе занимает определенное время, то длительность запускающего импульса ta не должна быть слишком малой: иначе транзистор не успеет выйти из насыщения. [52]

К моменту рассасывания избыточного заряда в базе транзистора и выхода транзистора из насыщения в активную область конденсаторы разряжаются до напряжения Un, при котором запирается диод Д в диагонали моста. [53]

Страницы: 1 2 3 4