Избыточный заряд

Cтраница 3

Качественная картина пространственного распределения тока в лабораторной системе координат. [31]

Плазменные колебания избыточного заряда под действием поляризационного поля являются первой реакцией плазмы на нарушение ее квазинейтральности. [32]

Определена величина избыточного заряда в сердцевине тяжелого тела ( и избыточного заряда противоположного знака на его поверхности), появившегося в результате воздействия сил тяготения. [33]

Ббльшая часть избыточного заряда накапливается в коллекторе и пассивной базе ( см. § 4.3, рис. 4.7), поэтому постоянная времени трао в основном определяется эффективным временем жизни дырок в коллекторе и зависит также от эффективного времени жизни электронов в пассивной базе. Время рассасывания, как видно из (4.46), уменьшается при увеличении тока / Б2 удаляющего избыточные электроны из базы. [34]

Поэтому отсутствие избыточного заряда на поверхности раздела между идеально поляризуемым электродом и раствором, определяемое по максимуму пограничного натяжения металла, не обязательно означает, что на поверхности электрода, граничащей с газовой фазой, избыточный заряд тоже отсутствует. Соответственно избыточный заряд может сохраниться и на свободной поверхности раствора. [35]

Анализ распределения избыточного заряда в случае боратных систем несколько более сложен. [36]

Рассмотрим релаксацию избыточного заряда после выключения поля в случае нескольких поверхностных уровней. [37]

Это экранирование избыточного заряда может быть достигнуто и иным путем. [38]

В силу большого накопленного избыточного заряда основных носителей в базе транзистор первое время после изменения входного напряжения остается насыщенным и потому проводящим. Так как этот ток теперь является втекающим, изменившим направление, то на графике базового тока ( см. рис. 3.91, б) он имеет отрицательное значение. Запирающий базовый ток - EjRf, начинает рассасывание избыточного заряда в базе транзистора. Степень насыщения транзистора уменьшается. [39]

Соотношение между суммарным избыточным зарядом внутри кристалла и внешним напряжением в условиях ТОПЗ приближенно описывается выражением Q CU. [40]

В этом случае избыточный заряд, накопленный в базе, успеет исчезнуть в результате рекомбинации. Если симистор работает в качестве ключа переменного тока, когда на основные электроды подается синусоидальное напряжение, то при заданной амплитуде тока существует некоторая критическая частота / кр, при превышении которой симистор будет находиться во включенном состоянии даже при снятии сигнала управления. На рис. 11.39 представлены типичные осциллограммы тока нагрузки через симистор типа ТС 10, управляемый током любого направления. Если частота тока меньше критической ( рис. 11.39 а), то переходный процесс выключения не отличается от выключения обычного тиристора. При превышении критической частоты ( рис. 11.39 6) симистор самопроизвольно включается в обратном направлении. [41]

Имеется в виду избыточный заряд одного типа носителей: либо дырок, либо электронов. Из требования квазинейтральности их избыточные заряды равны. [42]

Другими словами, избыточные заряды на проводах ничтожно малы по сравнению с суммарным зарядом носителей тока. Поэтому магнитные силы в данном случае намного превосходят электрические силы, действующие на избыточные заряды проводов. [43]

Этот ток уносит избыточный заряд из плазмы. Поэтому при выполнении условия (17.16) пространственный заряд пучка нейтрализуется, а магнитное поле обратного тока почти полностью компенсирует поле пучка. [44]

Для рассматриваемой ситуации избыточный заряд определяется разностью между подвижным зарядом в приборе, находящемся в открытом состоянии, и зарядом, который присутствует в нем, когда прибор закрыт. [45]

Страницы: 1 2 3 4