Заряжение - поверхность
Cтраница 3
Эти данные доказывают, что заряжение поверхности металла, модифицированного различными добавками, существенно зависит от условий его предварительной обработки. [31]
 |
Зависимость и от кг. [32] |
Классическим примером первой схемы служит заряжение поверхности частиц гидрозоля AgJ. Постоянным остается произведение концентраций п и я, определяемое растворимостью AgJ. При равновесии электрохимические потенциалы ионов в частице AgJ и в растворе должны быть равны. [33]
 |
Адсорбция летучих ингибиторов на напыленном железе.| Влияние количества адсорбированного ингибитора. [34] |
На рис. 19 приведена изотерма заряжения поверхности железа при адсорбции гексаметилениминбензоата. [35]
При отсутствии изопотенциальности часть затрачиваемой на заряжение поверхности частиц работы, равной Fe, идет на создание электростатического поля внутри частиц. [36]
Возможно, что при введении добавок происходит заряжение поверхности с одновременным образованием новых центров локального взаимодействия. Первоначально доводом в пользу коллективного взаимодействия служило падение активности сплавов металлов групп VIII и IB, предсказанное Дауденом [10] и экспериментально подтвержденное Рей-нольдсом [ И ] для сплавов никеля с медью в отношении реакции гидрирования. [37]
С увеличением температуры вакуумной тренировки до 800 отрицательное заряжение поверхности при хемосорбции кислорода при комнатной температуре увеличивается. [38]
В соответствии с условием электрической нейтральности, заряжение поверхности полупроводника при заполнении поверхностных состояний должно сопровождаться возникновением у поверхности слоя объемного заряда, нейтрализующего поверхностный заряд. Нейтрализация происходит путем притяжения к поверхности носителей тока со знаком, противоположным знаку заряда поверхности и отталкивания носителей одного знакч. Поэтому поверхностный слой полупроводника оказывается обедненным носителями тока одного знака со знаком поверхностного заряда и обогащенным носителями противоположного знака. [39]
Важное значение имеет тот факт, что заряжение поверхности полупроводниковых кристаллов происходит не только в связи с процессами адсорбции, но и при формировании собственной поверхности полупроводника. Заряжение поверхности может быть связано с поверхностной активностью дефектов кристаллов. [40]
 |
Изменение селективности процесса. [41] |
Вероятно, тот же механизм модифицирования регулированием заряжения поверхности лежит в основе давно известного промотирующего действия щелочных добавок на ряд старых промышленных катализаторов. Сходные схемы, но с положительным заряжением переходного комплекса получаются при модифицировании окисных контактов окисления СО. [42]
Различные схемы адсорбционных процессов, учитывающие влияние заряжения поверхности лолупроводника ( в указанном смысле), рассматривает С. [43]
Образование ионов при адсорбции и связанное с этим заряжение поверхности приводит к такому же результату, как и действие сил отталкивания между частицами. Это связано с тем, что по мере хемосорбции в приповерхностном слое накапливается заряд, что в свою очередь увеличивает скачок потенциала, затормаживающий дальнейшее протекание процесса. [44]
Согласно предложенному в [3] донорно-акцепторному механизму адсорбции и заряжения поверхности, указанные комплексы выполняют функции первичных поверхностных состояний, чьи уровни лежат достаточно глубоко в запрещенной зоне кристалла. В комплексах первого типа роль центров адсорбции ( а также основу ПС) выполняют электроно-донорные вакансионные дефекты. В комплексах с донорными молекулами роль центров С выполняют дефектные, координационно-ненасыщенные атомы поверхности, на языке катализа - льюисов-ские апротонные центры. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5