Cтраница 5
Дф и селективности мягкого окисления этилена, не известно, является ли заряжение поверхности определяющим факторам в регулировании селективности мягкого окисления олефшюв на металлах. [61]
Изменение а полупроводниковых высокодисперсных адсорбентов при адсорбции может происходить как за счет заряжения поверхности и изменения концентрации носителей в области пространственного заряда, так и за счет возникновения барьеров между частицами. Сопоставление полученных данных с измерениями а при адсорбции кислорода ( нейтральная форма хемосорбции) [5], а также с измерениями а в схеме переменного тока ( 1 кгц) дают основание утверждать, что в нашем случае имеют место оба фактора. Поскольку влияние адсорбции инертных газов на электропроводность полупроводника обнаружено впервые, были поставлены дополнительные опыты для проверки корректности эксперимента. [62]