Захват - атом
Cтраница 1
Захват атомов Н стенкой тем относительно сильнее, чем ниже давление. Исчезновение атомов Н в объеме при тройных соударениях Н 02 М Н02 М тем относительно сильнее, чем выше давление. [1]
Поперечные сечения захвата атомов при активации достаточно велики, чтобы можно было работать с 500-миллиграммовым радиево-бериллие-вым нейтронным источником. [2]
Твердо установленный факт захвата атомов С1 стенкой однозначно приводит к выводу о том, что обратный процесс зарождения атомов С1 на стенке тоже имеет место. [3]
Дейтеризация, вносимая захватом атомов дейтерия по реакции ( 5), учитывалась при анализе результатов опытов. [4]
Последняя проявляется в непрерывном выделении и захвате атомов элементов из мертвой материи, принимая таким образом участие в процессах миграции, концентрирования и распределения химических элементов в земной коре. Вернадский, впервые показавший планетарную роль живого вещества в геохимических процессах, теснейшим образом связал их с эволюцией всего органического мира. [5]
Более подробный анализ полученных решений, условия захвата атома поверхностью, доля энергии падающей частицы, идущая на возбуждение локальных колебаний и колебаний из области собственных частот кристалла, составят предмет следующей статьи. [6]
К такому же результату ведет рассмотрение процесса захвата атома. Падающий атом в течение времени одного колебания образует связи, теряя за это время со значительной вероят-шестью такое количество энергии ( - kT), что остается приставшим к поверхности. [7]
Полость внутри сфероида Сбо достаточно велика для захвата атомов металлов. Первое доказательство реальности такого явления первоначально было получено в экспериментах в газовой фазе. Весьма вероятно, что это уникальное свойство соединений типа 59 может найти ряд полезных приложений. Наряду с потенциальной пользой, это явление может иметь зловещие последствия. Если образование подобных соединений действительно имело место, то будет крайне непросто изыскать способы удаления этих исключительно опасных загрязнений из пораженной местности. Проблема в том, что ионы радионуклидов, инкапсулированные внутри таких гидрофобных молекул, резко отличаются от свободных ионов по растворимости и способности к диффузии в водной среде. [8]
Полость внутри сфероида С60 достаточно велика для захвата атомов металлов. Первое доказательство реальности такого явления первоначально было получено в экспериментах в газовой фазе. Весьма вероятно, что это уникальное свойство соединений типа 59 может найти ряд полезных приложений. Наряду с потенциальной пользой, это явление может иметь зловещие последствия. Если образование подобных соединений действительно имело место, то будет крайне непросто изыскать способы удаления этих исключительно опасных загрязнений из пораженной местности. Проблема в том, что ионы радионуклидов, инкапсулированные внутри таких гидрофобных молекул, резко отличаются от свободных ионов по растворимости и способности к диффузии в водной среде. [9]
Полость внутри сфероида Сео достаточно велика для захвата атомов металлов. Первое доказательство реальности такого явления первоначально было получено в экспериментах в газовой фазе. Весьма вероятно, что это уникальное свойство соединений типа 59 может найти ряд полезных приложений. Наряду с потенциальной пользой, это явление может иметь зловещие последствия. Если образование подобных соединений действительно имело место, то будет крайне непросто изыскать способы удаления этих исключительно опасных загрязнений из пораженной местности. Проблема в том, что ионы радионуклидов, инкапсулированные внутри таких гидрофобных молекул, резко отличаются от свободных ионов по растворимости и способности к диффузии в водной среде. [10]
Из этого же решения следуют и условия для захвата имелетающего атома поверхностью кристалла. Ими же с помощью 5 определяется движение атомов кристалла. [11]
Были сделаны теоретические предложения по рассеянию и даже по захвату атомов такими полями. [13]
Между этими одновременно растущими центрами кристаллизации появляется конкуренция при захвате атомов из жидкости, что препятствует образованию крупных кристаллов и поэтому вблизи стенок изложницы образуется зона мелких равноосных кристаллов. Быстрая кристаллизация стали вблизи стенок изложницы сопровождается освобождением значительного количества тепла, что уменьшает переохлаждение, а также скорость зарождения центров кристаллизации. Вследствие этого происходит постепенный рост кристаллов на стенках изложницы ( корочки) и образуются удлиненные столбчатые кристаллы. Они направлены перпендикулярно к стенкам изложницы. [14]
Он происходит в результате соединения ( рекомбинации) атомов в объеме реактора, захвата атомов его стенкой с последующей рекомбинацией на стенке, образованием неактивного радикала при взаимодействии активных частиц с примесями. [15]
Страницы: 1 2 3