Захват - атом
Cтраница 2
Для комплексообразования всех типов характерны относительно высокая химическая подвижность групп и атомов, входящих в координационную сферу, и легкость захвата атомов и групп, способных к сильной поляризации или ионизации; в частности, легко происходит образование водородных связей. [16]
 |
Полуостров воспламенения. [17] |
Реакция обрыва цепей на стенке, влияющая на нижний предел, может протекать в кинетической ( пирексовый сосуд, малая вероятность захвата атомов стенкой и малые хст) или диффузионной ( кварцевый сосуд, большие хст) области реагирования. Могут быть и промежуточные случаи. Второй предел определяется гомогенными реакциями, протекающими в кинетической области. Скорости процессов в области медленного окисления вблизи пределов невелики, выгорание водорода происходит медленно. Скорость выгорания водорода резко возрастает внутри области воспламенения. [18]
 |
Фазовое пространство системы, переходники из начального состояния / в конечное состояние II черед элемент dT критической поверхности S но фазовой траектории L. [19] |
Если реакция идет без энергии активации, то в качестве АВС выбирается такая конфигурация системы реагирующих молекул, которая ведет к захвату атома А молекулой ВС. [20]
Если реакция идет без энергии активации, то в качестве ABC 6 выбирается такая конфигурация системы реагирующих молекул, которая ведет к захвату атома А молекулой ВС. [21]
Винтовая дислокация часто возникает в процессе роста кристаллов из раствора или расплава. Захват атома гладкой плоской кристаллической поверхностью энергетически менее выгоден и поэтому менее вероятен, чем присоединение атома к ступеньке, существующей на поверхности кристалла с винтовой дислокацией. Поэтому кристаллы предпочитают расти со встроенной внутрь винтовой дислокацией. Новые атомы присоединяются к краю ступеньки, вследствие чего рост кристалла происходит по спирали. [22]
Следовательно, необходимо обеспечить условия, при которых на поверхности частиц-инокуляторов протекала бы химическая реакция с образованием соединения, близкого по плотности к расплаву и достаточно устойчивого в условиях процесса. Полученное соединение будет эндогенным образованием за счет захвата атомов сплава и поэтому может способствовать активации экзогенной тугоплавкой частицы. [23]
Несмотря на размер книги, мы не претендуем на полноту изложения, особенно в части квантово-механических разделов, некоторые темы изложены неполно или вообще отсутствуют. Например, только короткий раздел посвящен проблеме лазерного охлаждения и захвата атомов в ловушки, которая заслуживает отдельной книги, а новая важная область атомной интерферометрии не обсуждается вовсе. [24]
В последующем выяснилось, что передача энергии электронного возбуждения не является главной причиной неаддитивности. Так, состав продуктов радиолиза растворов бензола в циклогек-сане [332, 333] показывает, что неаддитивность отчасти объясняется захватом атомов Н и радикалов молекулой бензола, так как, например, образование радикалов ароматических углеводородов при ра-диолизе замороженных растворов в 3-метилпентане [159] ингиби-руется в присутствии олефинов - акцепторов атомарного водорода. Например, радиолюминесценция тушится примесями N2O, CC14, SFe, захватывающими медленные электроны, хотя эти вещества не оказывают заметного влияния на фотолюминесценцию. В связи с тем что алкильные радикалы и молекулярный водород образуются при облучении парафинов в значительной степени в ионных процессах, передача энергии электронного возбуждения от-парафинов не может полностью объяснить защитное действие ароматического компонента. При облучении замороженных растворов ароматических углеводородов в парафинах образуются с большим выходом анионы [336-341] и катионы [337, 339, 340] растворенного вещества. [25]
Максимум изотермического роста соответствует температуре 680 С. По мнению авторов работы 1267 ], снижение роста в интервале 680 С - Ах связано с захватом атомов углерода дислокациями. [26]
Поскольку химические превращения атомов отдачи зависят, естественно, от энергии, распределенной в горячей области, из модели Либби следует, что изменение начальной энергии атома отдачи должно сказываться на выходах образованных им соединений. Согласно же модели Зейтца - Колера, распределение химических форм, образованных атомом отдачи, в одном и том же веществе не должно зависеть от первоначальной энергии этого атома, если последняя выше, чем наивысшая возможная энергия, при которой происходит захват атома отдачи в горячей области. [27]
Газовые гидраты имеют кубическую структуру, которая бывает двух типов. В структуре одного типа элементарная решетка содержит 46 молекул воды, так что образуется шесть клеток среднего размера и две маленькие. Такая структура возникает при захвате атомов ( Аг, Кг, Хе) или относительно малых молекул ( например, С12, SO2, СНз С. А если заполнены все восемь пустот, то состав будет Х-576 Р О. На практике редко достигается полное заполнение всех пустот или хотя бы пустот одного типа, поэтому приведенные выше составы соответствуют скорее предельным, а не наблюдаемым случаям. Второй тип структуры, который часто возникает в присутствии больших молекул жидких веществ ( поэтому его иногда называют структурой жидкостного гидрата), таких, как этилхлорид или хлороформ, имеет элементарную ячейку, содержащую 136 молекул воды с восемью большими и шестнадцатью малыми пустотами. Анестезирующий эффект таких веществ, как хлороформ, может быть связан с образованием кристаллов жидкостного гидрата в ткани мозга. [28]
Ниже, на конкретном материале реакций окисления фосфора и водорода, приводятся примеры такого анализа. Поэтому здесь мы ограничимся указанием на то, что величина g сильно зависит от условий опыта, и поэтому закономерности цепного воспламенения гораздо более многообразны и причудливы, чем закономерности теплового воспламенения. Так, например, константа g часто определяется захватом атомов и радикалов цепи твердыми поверхностями, причем разные поверхности сорбируют активные частицы с большей или меньшей эффективностью. Поэтому давление, при котором происходит цепное воспламенение, зависит не только от размеров и формы сосуда, но и от малейших изменений в состоянии поверхностного слоя стенок реакционного сосуда. Поверхность стекла гораздо хуже захватывает активные частицы, чем поверхность металла. Это обстоятельство приводит во многих случаях к появлению так называемого верхнего предела цепного воспламенения, ниже которого происходит взрыв, а выше которого газ остается инертным. Подобные явления, конечно, не существуют в тепловых взрывах. Быстрое введение инертного газа при больших давлениях горючей смеси ( в случае достаточно медленной реакции, в которой разогрев не слишком велик) в принципе могло бы затушить начавшееся развитие цепного воспламенения за счет увеличения числа тройных соударений, приводящих к обрыву цепей на верхнем пределе. [29]
Гафний не имеет даже собственных минералов, он неизменный спутник циркония. Зато ( и в этом суть дела) различно сродство элементов к медленным нейтронам: сечение захвата атомов Ш равно 115 барн, а атомов Zr - 0 18 барн Каждая сотая доля процента примеси Ш повышает сечение захвата атомов циркония на 0 01 барн. Вот почему в цирконии реакторной чистоты не должно быть более 0 01 % гафния, хотя такая очистка значительно повышает стоимость циркония. [30]
Страницы: 1 2 3